Non-linear electro thermal model of LDMOS power transistor coupled to 3D thermal model in a circuit simulator

Conference Proceedings- European Microwave Conference

Volumn 2, Issue , 2004, Pages 573-576

  Guyonnet, Michael ^a   Sommet, Raphael ^b   Quéré, Raymond ^b   Bouisse, Gérard ^a  

^a FREESCALE Semi conducteurs   (France)

^b Centre National de la Recherche Scientifique   (France)

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CAPACITANCE; ELECTRIC PROPERTIES; HARMONIC GENERATION; HEAT RESISTANCE; POWER AMPLIFIERS; PULSE WIDTH MODULATION; THERMAL EFFECTS; WIRELESS TELECOMMUNICATION SYSTEMS;

HARMONIC BALANCE; PULSE WIDTHS; SUBCIRCUITS; THERMAL CAPACITANCE;

TRANSISTORS;

EID: 18744411026     PISSN: None     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: None     Document Type: Conference Paper

References (7)

1. Jihye Whang, Jaime Plà, "Thermal Characterization and Modeling of LDMOS devices"
2. M. Guyonnet, R. Sommet, R. Quéré, G. Bouisse, "Non-Linear Electro Thermal Model of LDMOS Power Transistor Coupled to 3D Thermal Model in a Circuit Simulator", BCTM, October 2003, Toulouse-France.
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4. D.Lopez «Intégration d'un modèle é lectrothermique de transistor bipolaire à Hétéro Jonction issu de simulations thermiques tridimensionnelles dans un environnement de simulation circuit», Thèse de l'Université de Limoge, France, 2002
5. Fasttherm: http://www.brive.unilim.fr/raph/
6. G. Qu, A.E. Parker, "Modelling Intermodulation Distorsion in MESFETs and HEMTs"
7. S. Forestier, T. Gasseling, P. Bouisse, D. Barataud, R. Quéré, J.M. Nebus "Theorical and experimental investigations on Nonlinear Capacitance and loading effect on Power PHEMT linearity" European Microwave Week, Gaas Symposium - Munich 2003.