Growth and characterization of hafnlum silicate films prepared by UV/ozone oxidation

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 22, Issue 2, 2004, Pages 395-400

  Punchaipetch, Prakaipetch ^a,b   Pant, Gaurang ^a   Kim, M J ^a   Wallace, Robert M ^a   Gnade, Bruce E ^a  

^a The University of Texas at Dallas   (United States)

^b NARA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CAPACITANCE EQUIVALENT THICKNESS (CET); DEPTH PROFILING;

ANNEALING; CHEMICAL BONDS; CONCENTRATION (PROCESS); CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; CURVE FITTING; DEPOSITION; INTERFACES (MATERIALS); LEAKAGE CURRENTS; OXIDATION; OZONE; RUTHERFORD BACKSCATTERING SPECTROSCOPY; SILICATES; STRENGTH OF MATERIALS; THERMAL EFFECTS; ULTRAVIOLET RADIATION; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

DIELECTRIC FILMS;

EID: 1842503950     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1649346     Document Type: Article

References (55)

1. D. Buchanan, IBM J. Res. Dev. 43, 245 (1999).
2. R. A. McKee, F. J. Walker, and M. F. Chisholm, Phys. Rev. Lett. 81, 3014 (1998).
3. A. H. Mueller, N. A. Suvorova, E. A. Irene, O. Auciello, and J. A. Schultz, Appl. Phys. Lett. 80, 3796 (2002).
4. A. H. Mueller, N. A. Suvorova, E. A. Irene, O. Auciello, and J. A. Schultz, J. Appl. Phys. 93, 3866 (2003).
5. B. Cheng, M. Cao, R. Rao, A. Inani, P. V. Voorde, W. M. Greene, M. C. Stork, Z. Yu, P. M. Zeitzoff, and J. C. S. Woo, IEEE Trans. Electron Devices 46, 1537 (1999).
6. H. Li, X. Hu, Y. Wei, Z. Yu, X. Zhang, R. Droopad, A. A. Demkov, J. Edwards, Jr., K. Moore, W. Ooms, J. Kulik, and P. Fejes, J. Appl. Phys. 93, 4521 (2003).
7. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001).
8. J. Robertson, J. Non-Cryst. Solids 303, 94 (2002).
9. J. Robertson, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1785 (2000).
10. C. M. Perkins, B. B. Triplett, P. C. McIntyre, K. C. Saraswat, S. Haukka, and M. Tuominen, Appl. Phys. Lett. 78, 2357 (2001).
11. S. Ramanathan, G. D. Wilk, D. A. Muller, C. M. Park, and P. C. McIntyre, Appl. Phys. Lett. 79, 2621 (2001).
12. S. Ramanathan, D. A. Muller, G. D. Wilk, C. M. Park, and P. C. McIntyre, Appl. Phys. Lett. 79, 3311 (2001).
13. P. D. Kirsch, C. S. Kang, J. Lorano, J. C. Lee, and J. G. Ekerdt, J. Appl. Phys. 91, 4353 (2002).
14. H. J. Cho, C. S. Kang, K. Onishi, S. Gopalan, R. Nieh, R. Choi, S. Krishnan, and J. C. Lee, IEEE Electron Device Lett. 23, 249 (2002).
15. G. D. Wilk and R. M. Wallace, Appl. Phys. Lett. 74, 2854 (1999).
16. G. D. Wilk and R. M. Wallace, Appl. Phys. Lett. 76, 112 (2000).
17. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 87, 484 (2000).
18. H. Kato, T. Nango, T. Miyagawa, T. Katagiri, and Y. Ohki, International Workshop on Gate Insulator, 2001, Section 7:19, p. 166.
19. M. Quevedo-Lopez, M. El-Bouanani, S. Addepalli, J. L. Duggan, B. E. Gnade, R. M. Wallace, M. R. Visokay, M. Douglas, and L. Colombo, Appl. Phys. Lett. 79, 4192 (2001).
20. M. Quevedo-Lopez, M. El-Bouanani, S. Addepalli, J. L. Duggan, B. E. Gnade, R. M. Wallace, M. R. Visokay, M. Douglas, M. J. Bevan, and L. Colombo, Appl. Phys. Lett. 79, 2958 (2001).
21. M. Quevedo-Lopez, M. El-Bouanani, S. Addepalli, J. L. Duggan, B. E. Gnade, R. M. Wallace, M. R. Visokay, M. Douglas, M. J. Bevan, and L. Colombo, J. Appl. Phys. 92, 3540 (2002).
22. S. K. Dey, C.-G. Wang, D. Tang, M. J. Kim, R. W. Carpenter, C. Werkhoven, and E. Shero, J. Appl. Phys. 93, 4144 (2003).
23. Y. M. Sun, J. Lazano, H. Ho, H. J. Park, S. Veldman, and J. M. White, Appl. Surf. Sci. 161, 115 (2000).
24. A. Callegari, E. Cartier, M. Gribelyuk, H. F. Okorn-Schmidt, and T. Zabel, J. Appl. Phys. 90, 6466 (2001).
25. E. Cartier, B. He, E. Gousev, D. A. Buchanan, H. F. Okorn-Schmidt, M. Copel, and M. Gribelyuk, Proceedings of the Material Research Society, MRS, San Francisco, CA, 2000.
26. A. Callegari, E. Cartier, M. Gribelyuk, H. F. Okorn-Schmidt, and T. Zabel, J. Appl. Phys. 90, 6466 (2001).
27. S. Ramanathan and P. C. McIntyre, Appl. Phys. Lett. 80, 3793 (2002).
28. T. Kaneko, M. Suemitsu, and N. Miyamoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 28, 2425 (1989).
29. A. Kazor and I. W. Boyd, Appl. Surf. Sci. 54, 460 (1992).
30. A. Kazor and I. W. Boyd, Electron. Lett. 29, 115 (1993).
31. A. Ermolieff, S. Marthon, X. Rochet, D. Rouchon, O. Renault, A. Michallet, and F. Tardif, Surf. Interface Anal. 33, 433 (2002).
32. S. Ichimura, A. Kurokawa, K. Nakamura, H. Itoh, H. Nonaka, and K. Koike, Thin Solid Films 377, 518 (2000).
33. G. D. Wilk and B. Brar, IEEE Electron Device Lett. 20, 132 (1999).
34. E. P. Gusev, M. Copel, E. Cartier, I. J. R. Baumvol, C. Krug, and M. A. Gribelyuk, Appl. Phys. Lett. 76, 176 (2000).
35. S. Guha, E. Cartier, N. A. Bojarczuk, J. Bruley, L. Gignac, and J. Karasinski, J. Appl. Phys. 90, 512 (2001).
36. D. Niu, R. W. Ashcraft, M. J. Kelly, J. J. Chambers, T. M. Klein, and G. N. Parsons, J. Appl. Phys. 91, 6173 (2002).
37. P. Punchaipetch, G. Pant, M. Q. Lopez, H. Zhang, M. E. Bouanani, M. J. Kim, R. M. Wallace, and B. E. Gnade, Thin Solid Films 425, 68 (2003).
38. K. Werner, Handbook of Semiconductor Wafer Cleaning Technology (Noyes, Park Ridge, NJ, 1993).
39. J. R. Vig, in Treatise on Clean Surface Technology, Vol. 1, edited by K. L. Mittal (Plenum, New York, 1987), pp. 1-26.
40. S. P. Murarka, J. Vac. Sci. Technol. 17, 775 (1980).
41. S. P. Murarka and C. C. Chang, Appl. Phys. Lett. 37, 639 (1980).
42. See ASTM committee E-42 on Surface Analysis Standards at www.astm.org
43. L. Kubler, R. Haug, E. K. Hill, D. Bolmont, and G. Gewinner, J. Vac. Sci. Technol. A 4, 2323 (1986).
44. F. Lacona, R. Kelly, and G. Marietta, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 2771 (1999).
45. G. M. Ingo, N. Zacchetti, D. della Sala, and C. Coluzza, J. Vac. Sci. Technol. A 7, 3048 (1989).
46. M. Quevedo-Lopez, Ph.D. Dissertation, University of North Texas, Denton, TX, 2002.
47. Contact Clean 2 solution® from ATMI, 7 Commerce Drive, Danbury, Connecticut 06810.
48. K. J. Hubbard and D. G. Schlom, J. Mater. Res. 11, 2757 (1996).
49. F. J. Grunthaner, P. J. Grunthaner, R. P. Vasquez, B. F. Lewis, J. Maserjian, and A. Madhukar, J. Vac. Sci. Technol. 16, 1443 (1979); Phys. Rev. Lett. 43, 1683 (1979).
50. F. J. Grunthaner, P. J. Grunthaner, R. P. Vasquez, B. F. Lewis, J. Maserjian, and A. Madhukar, J. Vac. Sci. Technol. 16, 1443 (1979); Phys. Rev. Lett. 43, 1683 (1979).
51. C. S. Fadley, Prog. Surf. Sci. 16, 275 (1984).
52. J. M. Hill, D. G. Royce, C. S. Fadley, L. F. Wagner, and F. J. Grunthaner, Chem. Phys. Lett. 44, 225 (1976).
53. y as determined by HRTEM and ellipsometry.
54. K. Onishi, C. S. Kang, R. Choi, H.-J. Cho, S. Gopalan, R. E. Nieh, S. A. Krishnan, and J. C. Lee, IEEE Trans. Electron Devices 50, 384 (2003).
55. R. E. Nieh, C. S. Kang, H.-J. Cho, K. Onishi, R. Choi, S. Krishnan, J. H. Han, Y.-H. Kim, M. S. Akbar, and J. C. Lee, IEEE Trans. Electron Devices 50, 333 (2003).