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Volumn , Issue , 1997, Pages

10 Gb/s 12×12 cross-point switch implemented with AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors

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CHANNEL CAPACITY; HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS; SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE;

EID: 17944398568     PISSN: None     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: None     Document Type: Conference Paper
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.