Growth and in situ annealing conditions for long-wavelength (Ga, In)(N, As)/GaAs lasers

Applied Physics Letters

Volumn 86, Issue 7, 2005, Pages 1-3

  Damilano, B ^a   Barjon, J ^a   Duboz, J Y ^a   Massies, J ^a   Hierro, A ^b   Ulloa, J M ^b   Calleja, E ^b  

^a CNRS   (France)

^b UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE MADRID   (Spain)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; ELECTRIC CURRENTS; ETCHING; GROWTH KINETICS; HETEROJUNCTIONS; METALLIZING; MOLECULAR BEAM EPITAXY; PHOTOLITHOGRAPHY; PHOTOLUMINESCENCE; REFLECTION HIGH ENERGY ELECTRON DIFFRACTION; SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS; THERMAL EFFECTS;

GROWTH CONDITIONS; GROWTH TEMPERATURE; IN SITU THERMAL ANNEALING; THRESHOLD CURRENT;

SEMICONDUCTOR LASERS;

EID: 17044434727     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1863433     Document Type: Article

References (27)

1. M. Kondow, S. Nakatsuka, T. Kitatani, Y. Yazawa, and M. Okai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 5711 (1996).
2. M. Fischer, M. Reinhardt, and A. Forchel, Electron. Lett. 36, 1208 (2000).
3. N. Tansu, A. Quandt, M. Kanskar, W. Mulhearn, and L. J. Mawst, Appl. Phys. Lett. 83, 18 (2003).
4. A. Livshits, A. Yu. Egorov, and H. Riechert, Electron. Lett. 36, 1381 (2000).
5. W. Li, T. Jouhti, C. Si Peng, J. Konttinen, P. Laukkanen, E.-M. Pavelescu, M. Dumitrescu, and M. Pessa, Appl. Phys. Lett. 79, 3386 (2001).
6. N. Tansu, J.-Y. Yeh, and L. J. Mawst, Appl. Phys. Lett. 83, 2512 (2003).
7. J.-Y. Yeh, N. Tansu, and L. J. Mawst, Electron. Lett. 40, 739 (2004).
8. L. H. Li, V. Sallet, G. Patriarche, L. Largeau, S. Bouchoule, L. Travers, and J. C. Harmand, Appl. Phys. Lett. 83, 1298 (2003).
9. S. R. Bank, M. A. Wistey, H. B. Yuen, L. L. Goddard, W. Ha, and J. S. Harris, Electron. Lett. 39, 1445 (2003).
10. M. Kondow and T. Kitatani, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 40, 108 (2001).
11. E. Tourní, M.-A. Pinault, and A. Guzman, Appl. Phys. Lett. 80, 4148 (2002).
12. R. Kudrawiec, G. Sek, J. Misiewicz, D. Gollub, and A. Forchel, Appl. Phys. Lett. 83, 2772 (2003).
13. W. Li, M. Pessa, T. Ahlgren, and J. Decker, Appl. Phys. Lett. 79, 1094 (2001).
14. M. Albrecht, V. Grillo, T. Remmele, H. P. Strunk, A. Yu. Egorov, Gh. Dumitras, H. Riechert, A. Kaschner, R. Heitz, and A. Hoffmann, Appl. Phys. Lett. 81, 2719 (2002).
15. J.-M. Chauveau, A. Trampert, K. H. Ploog, and E. Tourní, Appl. Phys. Lett. 84, 2503 (2004).
16. P. J. Klar, H. Grüning, J. Koch, S. Schäfer, K. Volz, W. Stolz, W. Heimbrodt, A. M. Kamal Saadi, A. Lindsay, and E. P. O'Reilly, Phys. Rev. B 64, 121203 (2001).
17. S. Makino, T. Miyamoto, T. Kageyama, Y. Ikenaga, M. Arai, F. Koyama, and K. Iga, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 40, L1211 (2001).
18. E. Tourní, M.-A. Pinault, M. Laügt, J.-M. Chauveau, A. Trampert, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 82, 1845 (2003).
19. A. Hierro, J.-M. Ulloa, J.-M. Chauveau, A. Trampert, M.-A. Pinault, E. Tourní, A. Guzman, J. L. Sanchez-Rojas, and E. Calleja, J. Appl. Phys. 94, 2319 (2003).
20. J. C. Harmand, G. Ungaro, L. Largeau, and G. Le Roux, Appl. Phys. Lett. 77, 2482 (2000).
21. Z. Pan, L. Li, W. Zhang, X. Wang, Y. Lin, and R. H. Wu, Appl. Phys. Lett. 77, 214 (2000).
22. E.-M. Pavelescu, T. Jouhti, M. Dumitrescu, P. J. Klar, S. Karirinne, Y. Fedorenko, and M. Pessa, Appl. Phys. Lett. 83, 1497 (2003).
23. M.-A. Pinault and E. Tourní, Appl. Phys. Lett. 78, 1562 (2001).
24. J.-M. Ulloa, A. Hierro, J. Miguel-Sanchez, A. Guzman, A. Trampert, J. L. Sanchez-Rojas, and E. Calleja, IEE Proc.-J: Optoelectron. 151, 421 (2004).
25. S. Kurtz, J. Webb, L. Gedvilas, D. Friedman, J. Geisz, J. Olson, R. King, D. Joslin, and N. Karam, Appl. Phys. Lett. 78, 748 (2001).
26. V. Lordi, V. Gambin, S. Friedrich, T. Funk, T. Takizawa, K. Uno, and J. S. Harris, Phys. Rev. Lett. 90, 145505 (2003).
27. S. Makino, T. Miyamoto, M. Ohta, T. Matsuura, Y. Matsui, and F. Koyama, Phys. Status Solidi C 0 (4), 1097 (2003).