Atomic structure, band offsets, growth and defects at high-K oxide:Si interfaces

Microelectronic Engineering

Volumn 72, Issue 1-4, 2004, Pages 112-120

  Robertson, J ^a   Peacock, P W ^a  

^a UNIVERSITY OF CAMBRIDGE   (United Kingdom)

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CHEMICAL BONDS; CMOS INTEGRATED CIRCUITS; CRYSTAL GROWTH; CRYSTAL LATTICES; DEGRADATION; DEPOSITION; PERMITTIVITY; SILICA; SUPERCONDUCTING DEVICES; VACUUM;

ATOMIC STRUCTURES; INSULATING INTERFACE;

SEMICONDUCTING SILICON;

EID: 1642603313     PISSN: 01679317     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/j.mee.2003.12.026     Document Type: Conference Paper

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