Diode-like characteristics of nanometer-scale semiconductor channels with a broken symmetry

Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures

Volumn 21, Issue 2-4, 2004, Pages 1116-1120

  Song, A M ^a   Maximov, I ^b   Missous, M ^a   Seifert, W ^b  

^a UNIVERSITY OF MANCHESTER   (United Kingdom)

^b LUND UNIVERSITY   (Sweden)

Author keywords

InGaAs InAlAs; InGaAs InP; Nanodevice; Nonlinear; Symmetry

Indexed keywords

CMOS INTEGRATED CIRCUITS; DIODES; ELECTRIC POTENTIAL; ETCHING; LEAKAGE CURRENTS; LITHOGRAPHY; OPTIMIZATION; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; SWITCHING; THERMAL EFFECTS; TRANSISTORS;

INGAAS-INALAS; INGAAS-INP; NANODEVICES; SYMMETRY;

SEMICONDUCTOR DEVICES;

EID: 1642352582     PISSN: 13869477     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/j.physe.2003.11.190     Document Type: Conference Paper

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