Annealing-induced-type conversion of GaInNAs

Journal of Applied Physics

Volumn 95, Issue 5, 2004, Pages 2505-2508

  Kurtz, Sarah ^a   Geisz, J F ^a   Friedman, D J ^a   Metzger, W K ^a   King, R R ^a   Karam, N H ^a  

^a NATIONAL RENEWABLE ENERGY LABORATORY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

IN SITU ANNEALING; VACANCIES;

ANNEALING; CAPACITANCE; CARRIER CONCENTRATION; ELECTRIC POTENTIAL; ELECTRON MOBILITY; GALLIUM NITRIDE; HYDROGEN; IN SITU PROCESSING; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY; SEMICONDUCTOR DOPING; SEMICONDUCTOR GROWTH; THERMAL EFFECTS;

SEMICONDUCTING INDIUM GALLIUM ARSENIDE;

EID: 1642314565     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1643775     Document Type: Article

References (25)

1. M. Kondow, K. Uomi, A. Niwa, T. Kitatani, S. Watahiki, and Y. Yazawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 1273 (1996).
2. J. F. Geisz, D. J. Friedman, J. M. Olson, S. R. Kurtz, and B. M. Keyes, J. Cryst. Growth 195, 401 (1998).
3. J. F. Geisz and D. J. Friedman, Semicond. Sci. Technol. 17, 769 (2002).
4. S. R. Kurtz, A. A. Allerman, E. D. Jones, J. M. Gee, J. J. Banas, and B. E. Hammons, Appl. Phys. Lett. 74, 729 (1999).
5. P. M. Asbeck, R. J. Welty, C. W. Tu, H. P. Xin, and R. E. Welser, Semicond. Sci. Technol. 17, 898 (2002).
6. C. Monier, A. G. Baca, S. Z. Sun, E. Armour, F. Newman, and H. Q. Hou, Appl. Phys. Lett. 81, 2103 (2002).
7. M. Kondow, S. I. Nakatsuka, T. Kitatani, Y. Yazawa, and M. Okai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 5711 (1996).
8. H. Riechert, A. Ramakrishnan, and G. Steinle, Semicond. Sci. Technol. 17, 892 (2002).
9. J. S. Harris, Semicond. Sci. Technol. 17, 880 (2002).
10. H. P. Xin, K. L. Kavanagh, M. Kondow, and C. W. Tu, J. Cryst. Growth 202, 419 (1999).
11. T. Kitatani, K. Nakahara, M. Kondow, K. Uomi, and T. Tanaka, J. Cryst. Growth 209, 345 (2000).
12. R. Potter, S. Mazzucato, N. Balkan, M. J. Adams, P. R. Chalker, T. B. Joyce, and T. J. Bullough, Superlattices Microstruct. 29, 169 (2001).
13. S. Kurtz, J. F. Geisz, D. J. Friedman, J. M. Olson, A. Duda, N. H. Karam, R. R. King, J. H. Ermer, and D. E. Joslin, in Modeling of Electron Diffusion Length in CaInAsN Solar Cells (IEEE, New York, 2000), p. 1210.
14. S. Kurtz, R. Reedy, G. D. Barber, J. F. Geisz, D. J. Friedman, W. E. McMahon, and J. M. Olson, J. Cryst. Growth 234, 318 (2002).
15. S. R. Kurtz and J. M. Olson, in Rapid Characterization of Photovoltaic Materials Using Photoelectrochemical Techniques (IEEE, New York, 1987), pp. 823-826.
16. S. R. Kurtz, J. F. Klem, A. A. Allerman, R. M. Sieg, C. H. Seager, and E. D. Jones, Appl. Phys. Lett. 80, 1379 (2002).
17. S. Kurtz, R. Reedy, B. Keyes, G. D. Barber, J. F. Geisz, D. J. Friedman, W. E. McMahon, and J. M. Olson, J. Cryst. Growth 234, 323 (2002).
18. H. P. Xin, C. W. Tu, and M. Geva, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1476 (2000).
19. A. Janotti, S. B. Zhang, S. H. Wei, and C. G. Van de Walle, Phys. Rev. Lett. 8908, 6403 (2002).
20. A. A. Bonapasta, F. Filippone, P. Giannozzi, M. Capizzi, and A. Polimeni, Phys. Rev. Lett. 8921, 6401 (2002).
21. Y. S. Kim and K. J. Chang, Phys. Rev. B 6607, 3313 (2002).
22. A. Janotti, S. H. Wei, S. B. Zhang, S. Kurtz, and C. G. Van de Walle, Phys. Rev. B 6716, 1201 (2003).
23. J. Toivonen, T. Hakkarainen, M. Sopanen, H. Lipsanen, J. Oila, and K. Saarinen, Appl. Phys. Lett. 82, 40 (2003).
24. W. Li, M. Pessa, T. Ahlgren, and J. Dekker, Appl. Phys. Lett. 79, 1094 (2001).
25. S. R. Kurtz, J. Webb, L. Gedvilas, D. J. Friedman, J. F. Geisz, J. M. Olson, R. King, D. Joslin, and N. Karam, Appl. Phys. Lett. 78, 748 (2001).