Reassessment of the role of antiphase boundaries in the low-field magnetoresistance of Sr 2FeMoO 6

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 71, Issue 6, 2005, Pages

  Fang, Tsang Tse ^a  

^a NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

IRON; MOLYBDENUM; OXYGEN; STRONTIUM;

ANTIPHASE BOUNDARY; ARTICLE; CHEMICAL COMPOSITION; CHEMICAL REACTION; CONDUCTANCE; DEVICE; LOW FIELD MAGNETORESISTANCE; MAGNETIC FIELD; MAGNETISM; MAGNETOTRANSPORT; MODEL; PHASE TRANSITION; PHYSICAL PHENOMENA; SEMICONDUCTOR; SOLID STATE; TEMPERATURE; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; X RAY DIFFRACTION; X RAY DIFFRACTOMETER;

EID: 16244387375     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.71.064401     Document Type: Article

References (54)

1. K.-I. Kobayashi, T. Kimura, H. Sawada, K. Terakura, and Y. Tokura, Nature (London) 395, 677 (1998).
2. T. H. Kim, M. Uehara, S. W. Cheong, and S. Lee, Appl. Phys. Lett. 74, 1737 (1999).
3. Y. Tomioka, T. Okuda, Y. Okimoto, R. Kumai, and K.-I. Kobayashi, Phys. Rev. B 61, 422 (2000).
4. T. Saitoh, M. Nakatake, A. Kakizaki, H. Nakajima, O. Morimoto, S. Xu, Y. Moritomo, N. Hamada, and Y. Aiura, Phys. Rev. B 66, 035112 (2002).
5. S. Nakayama, T. Nakagawa, and S. Nomura, J. Phys. Soc. Jpn. 24, 219 (1968).
6. A. W. Sleight and J. F. Weiher, J. Phys. Chem. Solids 33, 679 (1972).
7. M. Itoh, I. Ohta, and Y. Inaguma, Mater. Sci. Eng., B 41, 55 (1996).
8. B. García-Landa, C. Ritter, M. R. Ibarra, J. Blasco, P. A. Algarabel, R. Mahendiran, and J, García, Solid State Commun. 110, 435 (1999).
9. D. Niebieskikwiat, R. D. Sánchez, A. Caneiro, L. Morales, M. Vásquez-Mansilla, F. Rivadulla, and L. E. Hueso, Phys. Rev. B 62, 3340 (2000).
10. M. S. Moreno, J. E. Gayone, M. Abbate, A. Caneiro, D. Niebieskikwiat, R. D. Sánchez, A. de Siervo, R. Landers, and G. Zampieri, Solid State Commun. 120, 161 (2001).
11. J. H. Kim, S. C. Wi, S. Yoon, B. J. Suh, J. S. Kang, S. W. Man, K. H. Kim, A. Sekiyama, S. Kasai, S. Suga, C. Hwang, C. G. Olson, B. J. Park, and B. W. Lee, J. Korean Phys. Soc. 43 (3), 416 (2003).
12. Y. Morimoto, S. Xu, A. Machida, T. Akimoto, E. Nishibori, M. Takata, and M. Sakata, Phys. Rev. B 61, R7827 (2000).
13. T. Nakagawa, J. Phys. Soc. Jpn. 24, 806 (1968).
14. A. S. Ogale, S. B. Ogale, R. Ramesh, and T. Venkatesan, Appl. Phys. Lett. 75, 573 (1999).
15. O. Chmaissem, R. Kruk, B. Dabrowski, D. E. Brown, X. Xiong, S. Kolesnik, J. D. Jorgensen, and C. W. Kimball, Phys. Rev. B 62, 14 197 (2000).
16. H. Q. Yin, J. S. Zhou, J. P. Zhou, R. Dass, J. T. McDevitt, and J. B. Goodenough, Appl. Phys. Lett. 75 (18), 2812 (1999).
17. J. P. Zhou, R. Dass, H. Q. Yin, J. S. Zhou, L. Rabenberg, and J. B. Goodenough, J. Appl. Phys. 87 (9), 5037 (2000).
18. H. Q. Yin, J. S. Zhou, R. Dass, J. P. Zhou, J. T. McDevitt, and J. B. Goodenough, J. Appl. Phys. 87 (9), 6761 (2000).
19. D. Niebieskikwiat, A. Caneiro, R. D. Sanchez, and J. Fontcuberta, Phys. Rev. B 64, 180406 (2002).
20. D. Niebieskikwiat, A. Caneiro, R. D. Sánchez, and J. Fontcuberta, Physica B 320, 107 (2002).
21. A. Sharma, A. Berenov, J. Rager, W. Branford, Y. Bugosiavsky, L. F. Cohen, and J. L. MacManus-Driscoll, Appl. Phys. Lett. 83 (12), 2384 (2003).
22. K. Wang and Y. Sui, Solid State Commun. 129, 135 (2004).
23. K. Wang and Y. Sui, Physica B 344, 423 (2004).
24. C. L. Yuan, Y. Zhu, P. P. Ong, Z. X. Shen, and C. K. Ong, Solid State Commun. 129, 551 (2004).
25. H. Y. Hwang, S. W. Cheong, N. P. Ong, and B Batlogg, Phys. Rev. Lett. 77, 2041 (1996).
26. M. Jullière, Phys. Lett. 54A, 225 (1975).
27. A. Gupta, G. Q. Gong, G. Xiao, P. R. Duncombe, P. Lecoeur, P. Trouilloud, Y. Y. Wang, V. P. Dravid, and J. Z. Sun, Phys. Rev. B 54, R15 629 (1996).
28. N. D. Matthur, G. Burnell, S. P. Isaac, T. J. Jackson, B.-S. Teo, J. L. McManus Driscoll, L. F. Cohen, J. E. Evetts, and M. G. Blamire, Nature (London) 387, 266 (1997).
29. K. Steenbeck, T. Eick, K. Kirsch, K. O'Donnell, and E. Seinbeiss, Appl. Phys. Lett. 71, 968 (1997).
30. K. Steenbeck, T. Eick, K. Kirsch, H.-G. Schmidt, and E. Seinbeiss, Appl. Phys. Lett. 73, 2506 (1998).
31. N. K. Todd, N. D. Mathur, S. P. Isaac, J. E. Evetts, and M. G. Blamire, J. Appl. Phys. 85, 7263 (1999).
32. R. Gross, L. Alff, B. Büchner, B. H. Freitag, C. Höfener, J. Klein, Y. Lu, W. Mader, J. B. Philipp, M. S.R. Rao, P. Reutier, S. Ritter, S. Thienhaus, S. Uhlenbruck, and B. Wiedenhorst, J. Magn. Magn. Mater. 211, 150 (2000).
33. C. Höfener, J. B. Philip, J. Klein, L. Alff, A. Marx, B. Büchner, and R. Gross, Europhys. Lett. 50, 681 (2000).
34. R. Mathieu, P. Svedlindh, R. Gunnarsson, and Z. G. Ivanov, Phys. Rev. B 63, 132407 (2001).
35. A. Glaser and M. Ziese, Phys. Rev. B 66, 094422 (2002).
36. R. Gunnarsson, A. Kadigrobov, and Z. Ivanov, Phys. Rev. B 66, 024404 (2002).
37. J. Klein, C. Hoffner, S. Uhlenbruck, L. Alff, B. Buchner, and R. Gross, Europhys. Lett. 47, 371 (1999).
38. J. E. Evetts, N. D. Mathur, S. P. Isaac, B. S. Teo, L. F. Cohen, J. L. MacManus-Driscoll, and M. G. Blamire, Philos. Trans. R. Soc. London, Sen A 356, 1593 (1998).
39. A. Glaser and M. Ziese, Phys. Rev. B 66, 094422 (2002).
40. C. L. Yuan, Y. Zhu, and P. P. Ong, Appl. Phys. Lett. 82, 934. (2003).
41. Tsang-Tse Fang and J. C. Lin, J. Am. Ceram. Soc. 87, 1343 (2004).
42. J. Navarro, Ll. Balcells, F. Sandiumenge, M. Bibes, A. Roig, B. Martínez, and J. Fontcuberta, J. Phys.: Condens. Matter 13, 8481 (2001).
43. W. Eerenstein, T. T. M. Palstra, S. S. Saxena, and T. Hibma, Phys. Rev. Lett. 88, 247204 (2002).
44. J. Linden, Phys. Rev. B 68, 174415 (2003).
45. Tsang-Tse Fang, M. S. Wu, and T. F. Ko, J. Mater. Sci. Lett. 20, 1609 (2001).
46. Tsang-Tse Fang and T. F. Ko, J. Am. Ceram. Soc. 86 (9), 1453 (2003).
47. H. Asano, S. B. Ogale, J. Garrison, A. Orozzco, Y. H. Li, E. Li, V. Smolyaninova, C. Galley, M. Downes, M. Rajeswari, R. Ramesh, and T. Venkatesan, Appl. Phys. Lett. 74 (24), 3696 (1999).
48. G. Y. Liu, G. H. Rao, X. M. Feng, H. F. Yang, Z. W. Ouyang, W. F. Liu, and J. K. Liang, Physica B 334, 229 (2003).
49. N. F. Mott and E. A. Davies, Electron Processes in Non-Crystalline Materials (Clarendon, Oxford, 1979); N. F. Mott, Metal-Insulator Transition (Taylor and Francis, London, 1990).
50. N. F. Mott and E. A. Davies, Electron Processes in Non-Crystalline Materials (Clarendon, Oxford, 1979); N. F. Mott, Metal-Insulator Transition (Taylor and Francis, London, 1990).
51. T. Holstein, Ann. Phys. (N.Y.) 8, 343 (1959).
52. B. I. Shklovskii and A. L. Efros, Electronic Properties of Doped Semiconductors (Springer, Berlin, 1984).
53. T.-T. Fang, E. Lu, and H.-F. Ho, J. Am. Ceram. Soc. (to be published).
54. M. G. Blamire, C. W. Schneider, G. Hammerl, and J. Annhart, Appl. Phys. Lett. 82, 2670 (2003).