Growth of hafnium aluminate thin films by direct liquid injection metallorganic CVD using Hf [N(C2H5)2] 4 and Al(OiC3H7)3

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 152, Issue 2, 2005, Pages

  Song, Moon Kyun ^a   Kang, Sang Woo ^a   Rhee, Shi Woo ^a  

^a Pohang University of Science and Technology (POSTECH)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CMOS INTEGRATED CIRCUITS; CONDENSATION; CRYSTALLIZATION; DISSOCIATION; GROWTH (MATERIALS); METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; THIN FILMS;

DEPOSITION RATE; HAFNIUM ALUMINATE; MOLECULAR BEAM DEPOSITION (MBD); TETRAKIS-DIETHYLAMIDO-HAFNIUM (TDEAH);

METALLIC FILMS;

EID: 14744273964     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1851058     Document Type: Article

References (26)

1. S. Sayan, S. Aravamudhan, B. W. Busch, W. H. Schulte, F. Cosandey, G. D. Wilk, T. Gustafsson, and E. Garfunkel, J. Mac. Sci. Technol. A, 20, 507 (2002).
2. H. Ikeda, S. Goto, K. Honda, M. Sakishita, A. Sakai, S. Zaima, and Y. Yasuda, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 41, 2476 (2002).
3. M. Copel, M. Gribelyuk, and E. Gusev, Appl. Phys. Lett., 76, 436 (2000).
4. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys., 87, 484 (2000).
5. A. Kumar, D. Rajdev, and D. L. Douglass, J. Am. Chem. Soc., 55, 439 (1972).
6. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys., 89, 5243 (2001).
7. E. P. Gusev, M. Copel, E. Cartier, I.J. R. Baumvol, C. Krug, and M. A. Gribelyuk, Appl. Phys. Lett., 76, 176 (2000).
8. M. Copel, E. Cartier, E. P. Gusev, S. Guha, N. Bojarczuk, and M. Poppeller, Appl. Phys. Lett., 78, 2670 (2001).
9. H. Y. Yu, N. Wu, M. F. Li, C. Zhu, B. I. Cho, D. L. Kwong, C. H. Tung, J. S. Pan, J. W. Chai, W. D. Wang, D. Z. Chi, C. H. Ang, I. Z. Zheng, and S. Ramanathan, Appl. Phys. Lett., 81, 3618 (2002).
10. P. F. Lee, J. Y. Dai, K. H. Wong, H. L. W. Chan, and C. L. Choy, Appl. Phys. Lett., 812, 2419 (2003).
11. B. E. Park and H. Ishiwara, Appl. Phys. Lett., 82, 1197 (2003).
12. H. Y. Yu, M. F. Li, B. J. Cho, C. C. Yeo, M. S. Joo, D. L. Kwong, J. S. Pan, C. H. Ang, Z. Zheng, and S. Ramanathan, Appl. Phys. Lett., 81, 376 (2002).
13. C. Zhao, O. Richard, E. Young, H. Bender, G. Roebben, S. Haukka, S. D. Gendt, M. Houssa, R. Cartel, W. Tsai, O. V. D. Biest, and M. Heyns, J. Non-Cryst. Solids, 303, 144 (2002).
14. R. S. Johnson, J. G. Hong, C. Hinkle, and G. Lucovsky, J. Vac. Sci. Technol. B, 20, 1126 (2002).
15. J. H. Lee and S. W. Rhee, Electrochem. Solid-State Lett. 4, F1 (2001).
16. R. A. Gardiner, P. C. Vanbuskirt, and P. S. Kirlin, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 335, 221 (1994).
17. D. I. Lee, S. W. Kang, and S. W. Rhee, Thin Solid Films, 413, 237 (2002).
18. J. S. Na, D. H. Kim, K. J. Yong, and S. W. Rhee, J. Electrochem. Soc., 149, C23 (2002).
19. S. W. Kang and S. W. Rhee, J. Electrochem. Soc., 149, C345 (2002).
20. Y. Ohshita, A. Ogura, A. Hoshino, S. Hiiro, T. Suzuki, and H. Machida, Thin Solid Films, 406, 215 (2002).
21. R. S. Johnson, J. G. Hong, C. Hinkle, and G. Lucovsky, Solid-State Electron., 46, 1799 (2002).
22. E H. Nicollian and J. R. Brews, MOS (Metal Oxide Semiconductor) Physics and Technology, Wiley. New York (1982).
23. E. P. Gusev, M. Copel, E. Cartier, I. J. R. Baumvol, C. Krug, and M. A. Gribelyuk, Appl. Phys. Lett., 76, 176 (2000).
24. J. Kolodzey, E. A. Chowdhury, O. Qui, J. Olowolafe, C. P. Swann, K. M. Unruh, J. Suehle, R. G. Wilson, and J. M. Zavada, Appl. Phys. Lett., 71, 3802 (1997).
25. T. Laue and A. Plagens, Named Organic Reactions, John Wiley, London (1998).
26. W. J. Zhu, T. Tamagawa, M. Gibson, T. Furukawa, and T. P. Ma, IEEE Electron Device Lett., 23, 649 (2002).