The HfSixOy interfacial layer effect on improving electrical characteristics of ultrathin high-κ TiO2 gate dielectric

Electrochemical and Solid-State Letters

Volumn 8, Issue 1, 2005, Pages

  Sim, Hyunjun ^a   Samantaray, Chandan B ^a   Hwang, Hyunsang ^a  

^a Gwangju Institute of Science and Technology (GIST)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AUGER ELECTRON SPECTROSCOPY; LEAKAGE CURRENTS; MOSFET DEVICES; PERMITTIVITY; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; SILICA; THERMODYNAMIC STABILITY; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

CURRENT REDUCTION; ELECTRICAL PERFORMANCES; INTERFACIAL LAYERS; INTERMIXING;

TITANIUM OXIDES;

EID: 12344298467     PISSN: 10990062     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1828271     Document Type: Article

References (25)

1. The International Technology Roadmap for Semiconductor, Semiconductor Industry Association (2003).
2. B. H. Lee, L. Kang, R. Nieh, W. J. Qi, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett., 76, 1926 (2000).
3. M. H. Cho, H. S. Chang, Y. J. Cho, D. W. Moon, K. H. Min, R. Sinclair, S. K. Kang, D. H. Ko, J. H. Lee, J. H. Gu, and N. I. Lee, Appl. Phys. Lett., 84, 571 (2004).
4. W. Qi, R. Nieh, B. Lee, L. Kang, Y. Jeon, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett., 77, 3269 (2000).
5. H. Kim, D. C. Gilmer, S. A. Campbell, and D. L. Polla, Appl. Phys. Lett., 69, 3860 (1996).
6. P. K. Roy and I. C. Kizilyalli, Appl. Phys. Lett., 72, 2835 (1998).
7. N. Rausch and E. P. Burte, J. Electrochem. Soc., 140, 145 (1993).
8. D. C. Gilmer, D. G. Colombo, C. I. Tayor, J. Roberts, G. Haustad, S. A. Campbell, H. S. Kim, G. D. Wilk, M. A. Gribelyuk, and W. L. Gladfelter, Chem. Vap. Deposition, 4, 9 (1998).
9. X. Guo, X. Wang, Z. Luo, T. P. Ma, and T. Tamagawa, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 1999, 137.
10. K. Matsuo, K. Nakajima, S. Omoto, S. Nakamura, A. Yagishita, T. Iinuma, A. Murakoshi, K. Nakajima, S. Omoto, and K. Sugruro, Extended Abstracts of the Solid State Devices Meeting, 164 (1999).
11. H. Jung, H. Yang, K. Im, and H. Hwang, Appl. Phys. Lett., 79, 4408 (2001).
12. F. Chen, X. Bin, C. Hella, X. Shi, W. L. Gladfelter, and S. A. Campbell, Microelectron. Eng., 72, 63 (2004).
13. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys., 87, 484 (2000).
14. M. Itano, F. W. Kern, Jr., R. Reed, W. Rosenberg, M. Miyashita, I. Kawanabe, and I. Ohmi, IEEE Trans. Semicond. Manuf., 5, 114 (1992).
15. X. Xu, R. T. Kuehn, M. C. Ozturk, J. J. Wortman, R. J. Nemanich, G. S. Harris, and D. M. Maher, J. Electron. Mater., 22, 335 (1993).
16. H. Sim, S. Jeon, and H. Hwang, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 40, 6803 (2001).
17. P. Lobl, M. Huppertz, and D. Mergel, Thin Solid Films, 251, 72 (1994).
18. K. Yang, Y. C. King, and C. Hu, in Proceedings of the 1999 Symposium on VLSI Technology, p. 77 (1999).
19. W. K. Henson, K. Z. Ahmed, E. M. Vogel, J. R. Hauser, J. J. Wortman, R. D. Venables, M. Xu, and D. Venable, IEEE Electron Device Lett., 20, 179 (1999).
20. S. K. Iai, J. Lee, and V. K. Dham, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 1983, 190.
21. L. Kang, K. Onishi, Y. Jeon, B. H. Less, C. Kang, W. Qi, R. Nieh, S. Gopalan, R. Choi, and J. Lee, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 2000, 35.
22. R. Nieh, C. Kang, H. Cho, K. Onishi, R. Choi, S. Krishnan, J. Han, Y. Kim, M. Akbar, and J. Lee, IEEE Trans. Electron Devices, 50, 333 (2003).
23. M. Cho, H. Park, J. Park, C. Hwang, J. Lee, S. Oh, J. Jeong, K. Hyun, H. Kang, Y. Kim, and J. Lee, J. Appl. Phys., 94, 2563 (2003).
24. H. F. Luan, B. Z. Wu, L. G. Kang, B. Y. Kim, R. Vrtis, D. Roberts, and D. L. Kwong, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet., 1998, 609.
25. M. H. Cho, Y. S. Roh, C. N. Whang, K. Jeong, S. W. Nahm, D. H. Ko, J. H. Lee, N. I. Lee, and K. Fujihara, Appl. Phys. Lett., 81, 472 (2002).