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Volumn 33, Issue 5, 2004, Pages 712-716

Analysis and design of temperature field of SiCGe alloy growth by hot-wall chemical vapor deposition on SiC substrates

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Finite element; Hot wall CVD; Induction heating; SiCGe; Temperature field

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EID: 10444234252     PISSN: 1000985X     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.