The growth and optical properties of large, high-quality AlN single crystals

Journal of Applied Physics

Volumn 96, Issue 10, 2004, Pages 5870-5876

  Strassburg, Martin ^a   Senawiratne, Jayantha ^a   Dietz, Nikolaus ^a   Haboeck, Ute ^b   Hoffmann, Axel ^b   Noveski, Vladimir ^c   Dalmau, Rafael ^c   Schlesser, Raoul ^c   Sitar, Zlatko ^c  

^a GEORGIA STATE UNIVERSITY   (United States)

^b TECHNISCHE UNIVERSITÄT BERLIN   (Germany)

^c North Carolina State University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ABSORPTION BANDS; DISLOCATIONS; GLOW DISCHARGE; PHYSICAL VAPOR TRANSPORT;

NATURAL FREQUENCIES; NEUTRON ACTIVATION ANALYSIS; OPTICAL PROPERTIES; OPTOELECTRONIC DEVICES; OXYGEN; PHOTOLUMINESCENCE; RAMAN SPECTROSCOPY; SINGLE CRYSTALS; ULTRAVIOLET DEVICES;

ALUMINUM NITRIDE;

EID: 10044281871     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1801159     Document Type: Article

References (60)

1. B. Monemar, J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 10, 227 (1999).
2. S. Strite and H. Morkoc, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1237 (1992).
3. L. Liu and J. H. Edgar, Mater. Sci. Eng., R. 37, 61 (2002).
4. O. Ambacher, J. Phys. D 31, 2653 (1998).
5. R. Schlesser and Z. Sitar, J. Cryst. Growth 234, 349 (2002).
6. R. Schlesser, R. Dalmau, and Z. Sitar, J. Cryst. Growth 241, 416 (2002).
7. J. C. Rojo, G. A. Slack, K. Morgan, B. Roghothamachar, M. Dudley, and L. J. Schowalter, J. Cryst. Growth 231, 317 (2001).
8. J. Pastrnak and L. Roskovcova, Phys. Status Solidi 7, 331 (1964).
9. C. O. Dugger, Mater. Res. Bull. 9, 331 (1974).
10. G. A. Slack, and T. F. McNelly, J. Cryst. Growth 34, 263 (1976).
11. C. M. Balkas, Z. Sitar, T. Zheleva, L. Bergman, R. Nemanich, and R. F. Davis, J. Cryst. Growth 179, 363 (1997).
12. R. Schlesser, R. Dalmau, R. Yakimova, and Z. Sitar, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 693, 1.9.9.1 (2001).
13. J. C. Rojo, G. A. Slack, K. Morgan, B. Raghothamachar, M. Dudley, and L. J. Schowalter, J. Cryst. Growth 231, 317 (2001).
14. N. B. Singh, A. Berghmans, H. Zhang, T. Wait, R. C. Clarke, J. Zingaro, and J. C. Golombeck, J. Cryst. Growth 250, 107 (2003).
15. M. Gadenne, J. Plon, and P. Gadenne, Thin Solid Films 333, 251 (1998).
16. S. Strite and H. Morkoc, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1237 (1992).
17. S. Loughin, R. H. French, W. Y. Ching, Y N. Xu, and G. A. Slack, Appl. Phys. Lett. 63, 1182 (1993).
18. D. Brunner, H. Angerer, E. Bustarret, F. Freundenberg, R. Höpler, R. Dimitrov, O. Ambacher, and M. Stutzmann, J. Appl. Phys. 82, 5090 (1997); U. Ozgur, G. Webb-Wood, H. O. Everitt. F. Fun, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 79, 4103 (2001).
19. D. Brunner, H. Angerer, E. Bustarret, F. Freundenberg, R. Höpler, R. Dimitrov, O. Ambacher, and M. Stutzmann, J. Appl. Phys. 82, 5090 (1997); U. Ozgur, G. Webb-Wood, H. O. Everitt. F. Fun, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 79, 4103 (2001).
20. S. Yu. Karpov, A. V. Kulik, I. N. Przhevalskii, M. S. Ramm, and Yu. N. Makarov, Phys. Status Solidi C 0, 1989 (2003).
21. R. A. Youngman and J. H. Harris, J. Am. Ceram. Soc. 73, 3238 (1990).
22. J. H. Harris and R. A. Youngman, in Properties of Group III Nitrides IEE, EMIS Datarev Series No, 11, edited by J. H. Edgar (Inspec, London, 1994), p. 203.
23. G. A. Slack, and T. F. McNelly, J. Cryst. Growth 34, 263 (1976).
24. G. A. Slack, L. J. Schowalter, D. Morelli, and J. A. Freitas Jr., J. Cryst. Growth 246, 287 (2002).
25. M. Bickermann, B. M. Epelbaum, and A. Winnacker, Phys. Status Solidi C 0, 1993 (2003).
26. A. Sarua et al., Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 798, Y5.17.1 (2004).
27. J. A. Freitas, Jr., G. C. B. Braga, E. Silveira, J. G. Tischler, and M. Fatemi, Appl. Phys. Lett. 83, 2584 (2003).
28. B. Monemar, J. Cryst. Growth 189/190, 1 (1998).
29. M. Morita, K. Tsubouchi, and N. Mikoshiba, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 21, 1102 (1982).
30. H. Morkoc, in Nitride Semiconductors and Devices, edited by R. Hull, R. M. Osgood, Jr., H. Sakaki, and A. Zunger (Springer, New York, 1999), p. 17.
31. A. Yoshida, in Properties, Processing and Applications of Gallium Nitride and Related Semiconductors, EMIS Data Reviews Series No. 23, edited by J. H. Edgar, S. Strite, I. Akasaki, H. Amano, and C. Wetzel (INSPEC, London, 1999).
32. W. M. Jadwisienczak, H. J. Lozykowski, I. Berishev, A. Bensaoula, I. G. Brown, J. Appl. Phys. 89, 4384 (2001).
33. P. M. Mason, H. Przybylinska, G. D. Watkins, W. J. Choyke, and G. A. Slack, Phys. Rev. B 59, 1937 (1999).
34. M. Schwoerer-Bohning and A. T. Macrander, J. Phys. Chem. Solids 61, 485 (2000).
35. U. Haboeck, H. Siegle, A. Hoffmann, and C. Thomsen, Phys. Status Solidi C 0, 1710 (2003), and references therein.
36. V. Yu. Davydov, et al., J. Cryst. Growth 189/190, 656 (1998).
37. C. Carlone, K. M. Lakin, and H. R. Shanks, J. Appl. Phys. 55, 4010 (1984).
38. A. Goñi, H. Siegle, K. Syassen, C. Thomsen, and J.-M. Wagner, Phys. Rev. B 64, 035205 (2001).
39. M. Kuball, J. M. Hayes, A. D. Prins, N. W. A. van Uder, D. J. Dunstan, Y. Shi, and J. H. Edgar, Appl. Phys. Lett. 78, 724 (2001).
40. C. R. Bennett, B. K. Ridley, N. A. Zakhleniuk, and M. Babikar, Physica B 263-264, 469 (1999).
41. H. M. Tutuncu, G. P. Srivastava, and S. Duman, Physica B 316-317, 190 (2000).
42. V. Noveski, B. Wu, H. Zhang, R. Schlesser, S. Mahajan, S. Beaudoin, and Z Sitar, J. Cryst. Growth 264, 369 (2004).
43. V. Noveski, R. Schlesser, J. A. Freitas, Jr., S. Mahajan, S. Beaudoin, and Z. Sitar, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 798, Y.2.8 (2004).
44. D. G. Esaev, S. G. Matsik, M. B. M. Rinzan, A. G. Perera, H. C. Liu, and M Buchanan, J. Appl. Phys. 93, 1879 (2003).
45. M. Born, and E. Wolf, Principles of Optics, 6th ed. (Pergamon, Oxford, 1989), p. 96.
46. G. M. Laws, E. C. Larkins, I. Harrison, C. Molloy, and D. Somerford, J. Appl. Phys. 89, 1108 (2001).
47. J. Pastrnak and L. Roskovcova, Phys. Status Solidi 26, 591 (1968).
48. W. M. Yim, E. J. Stofko, P. J. Zanzucchi, J. I. Pankove, M. Ettenberg, and S. L. Gilbert, J. Appl. Phys. 44, 292 (1973).
49. J. Li, K. B. Nam, M. L. Nakarmi, J. Y. Lin, H. X. Jiang, P. Carrier, and S. H. Wei, Appl. Phys. Lett. 83, 5163 (2003).
50. K. B. Nam, J. Li, M. L. Nakarmi, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 82, 1694 (2003).
51. A. T. Collins, E. C. Lightowler, and P. J. Dean, Phys. Rev. 158, 833 (1967).
52. A. Kasic, M. Schubert, B. Kuhn, F. Scholz, S. Einfeldt, and D. Hommel, J. Appl. Phys. 87, 3720 (2001).
53. J. H. Harris, R. A. Youngman, and R. G. Teller, J. Mater. Res. 5, 1763 (1990).
54. B. Berzina, L. Trinkler, E. Palcevskis. and J. Sils, Mater. Sci. Forum 239-241, 145 (1997).
55. X. Jiang, F. Hossain, K. Wongchotigul, and M. G. Spencer, Appl. Phys. Lett. 72, 1501 (1998).
56. S. Nakahata, K. Sogabe, T. Matsuura, and A. Yamakawa, J. Am. Ceram. Soc. 80, 1612 (1997).
57. J. Neugebauer and C. G. Van de Walle, Appl. Phys. Lett. 69, 503 (1996).
58. K. Saarinen, et al., Phys. Rev. Lett. 79, 3030 (1997).
59. T. Mattila and R. M. Nieminen, Phys. Rev. B 55, 9571 (1997).
60. M. K. Li, C. B. Li, C. S. Liu, X. J. Fan, D. J. Fu, Y. Shon, and T. W. Kang, J. Appl. Phys. 95, 755 (2004).