Spontaneous recovery of hydrogen-degraded TiO 2 ceramic capacitors

Applied Physics Letters

Volumn 84, Issue 1, 2004, Pages 103-105

  Chen, W P ^a   Wang, Y ^a   Dai, J Y ^a   Lu, S G ^a   Wang, X X ^a   Lee, P F ^a   Chan, H L W ^a   Choy, C L ^a  

^a HONG KONG POLYTECHNIC UNIVERSITY   (Hong Kong)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DANGLING BONDS; OXIDE-BASED COMPONENTS;

ABSORPTION SPECTROSCOPY; CHARGE CARRIERS; CRYSTAL LATTICES; DEGRADATION; ELECTRODES; ELECTROLYSIS; FOURIER TRANSFORM INFRARED SPECTROSCOPY; HYDROGEN; SINGLE CRYSTALS; THERMAL EFFECTS; TITANIUM DIOXIDE;

CERAMIC CAPACITORS;

EID: 0942289161     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1637942     Document Type: Article

References (14)

1. S. Aggarwal, S. R. Perusse, C. W. Tipton, R. Ramesh, H. D. Drew, T. Venkatesan, D. B. Romero, V. B. Podobedov, and A. Weber, Appl. Phys. Lett. 73, 1973 (1998).
2. N. Poonawala, V. P. Dravid, O. Auciello, J. Im, and A. R. Krauss, J. Appl. Phys. 87, 2227 (2000).
3. J. H. Ahn, P. C. MCIntyre, L. W. Mirkarimi, S. R. Gilbert, J. Amano, and M. Schulberg, Appl. Phys. Lett. 77, 1378 (2000).
4. W. P. Chen, L. T. Li, Y. Wang, and Z. L. Gui, J. Mater. Res. 13, 1110 (1998).
5. W. P. Chen, H. L. W. Chan, F. C. H. Yiu, K. M. W. Ng, and P. C. K. Liu, Appl. Phys. Lett. 80, 3587 (2002).
6. W. P. Chen, X. P. Jiang, Y. Wang, Z. Peng, and H. L. W. Chan, J. Am. Ceram. Soc. 86, 735 (2003).
7. J. D. Baniecki, J. S. Cross, M. Tsukada, and J. Watanabe, Appl. Phys. Lett. 81, 3837 (2002).
8. J. Im, O. Auciello, A. R. Krauss, D. M. Gruen, R. P. H. Chang, S. H. Kim, and A. I. Kingon, Appl. Phys. Lett. 78, 1162 (1999).
9. W. P. Chen, Y. Wang, X. X. Wang, J. Wang, and H. L. W. Chan, Mater. Chem. Phys. 82, 520 (2003).
10. P. Baldi, M. P. De Micheli, K. El Hadi, S. Nouh, A. C. Cino, P. Aschieri, and D. B. Ostrowsky, Opt. Eng. 37, 1193 (1998).
11. X. L. Tong, M. Zhang, A. Yariv, A. Agranat, R. Hofmeister, and V. Leyva, Appl. Phys. Lett. 69, 479 (1996).
12. J. Arbiol, J. Cerda, G. Dezanneau, A. Cirera, F. Peiro, A. Cornet, and J. R. Morante, J. Appl. Phys. 92, 853 (2002).
13. A. R. Krauss, A. Dhote, O. Auciello, J. Im, R. Ramash, and S. Aggarwal, Integr. Ferroelectr. 27, 1191 (1999).
14. S. Aggarwal, S. R. Perusse, C. J. Kerr, R. Ramesh, J. T. Evans, Jr., L. Boyer, and G. Velasquez, Appl. Phys. Lett. 76, 918 (2000).