MOCVD growth of AlN/GaN DBR structures under various ambient conditions

Journal of Crystal Growth

Volumn 262, Issue 1-4, 2004, Pages 151-156

  Yao, H H ^a   Lin, C F ^a   Kuo, H C ^a   Wang, S C ^a  

^a NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

AlN; Ambient gas; Distributed Bragg reflector; GaN; MOCVD

Indexed keywords

AMMONIA; ATOMIC FORCE MICROSCOPY; BANDWIDTH; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; COMPUTER SIMULATION; DEPOSITION; ENERGY GAP; GALLIUM NITRIDE; GRAIN SIZE AND SHAPE; LIGHT EMITTING DIODES; MORPHOLOGY; OPTICAL MICROSCOPY; SEMICONDUCTOR LASERS; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS; TENSILE STRESS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

AIN; AMBIENT GAS; DISTRIBUTED BRAGG REFLECTORS (DBR); METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (MOCVD);

CRYSTAL GROWTH;

EID: 0842286895     PISSN: 00220248     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.10.062     Document Type: Article

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