Initial phase formation in Nb/Si multilayers deposited at different temperatures

Journal of Applied Physics

Volumn 80, Issue 3, 1996, Pages 1422-1427

  Zhang, Ming ^a   Yu, Wen ^a   Wang, W H ^a   Wang, W K ^a,b  

^a INSTITUTE OF PHYSICS   (China)

^b INTERNATIONAL CENTRE FOR MATERIALS PHYSICS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0347259471     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.362940     Document Type: Article

References (41)

1. K. N. Tu and J. W. Mayer, in Thin Films, Interdiffusion and Reactions, edited by J. M. Poate, K. N. Tu, and J. W. Mayer (Wiley, New York, 1978).
2. M.-A. Nicolet and S. S. Lau, in VLS/Electronic, Microstructure Science, edited by N. G. Einapruch and G. B. Larrabee (Academic, New York, 1983).
3. R. M. Walser and R. W. Bene, Appl. Phys. Lett. 28, 624 (1976).
4. M. Ronay, Appl. Phys. Lett. 42, 577 (1983).
5. J. R. Abelson, K. B. Kim, D. E. Mercer, C. R. Helms, R. Sinclair, and W. Sigmon, J. Appl. Phys. 63, 689 (1988).
6. W. Lur and L. J. Chen, Appl. Phys. Lett. 54, 1217 (1989).
7. T. L. Lee and L. J. Chen, J. Appl. Phys. 73, 8258 (1993).
8. W. H. Wang and W. K. Wang, J. Appl. Phys. 76, 1578 (1994).
9. G. V. Kidson, J. Nucl. Mater. 3, 21 (1961).
10. U. Gosele and K. N. Tu, J. Appl. Phys. 53, 3252 (1992).
11. F. M. d'Hearle, J. Mater. Res. 3, 167 (1988).
12. L. Zhang and D. G. Ivey, J. Appl. Phys. 71, 4314 (1992).
13. M. H. Wang and L. J. Chen, Appl. Phys. Lett. 58, 463 (1991).
14. W. Y. Hsieh, J. H. Lin, and L. J. Chen, Appl. Phys. Lett. 62, 1088 (1993).
15. W. Y. Liang and L. J. Chen, Appl. Phys. Lett. 64, 1224 (1994).
16. Maria Ronay, Appl. Phys. Lett. 42, 577 (1983).
17. E. Horache, J. E. Fischer, and J. van der Spiegel, J. Appl. Phys. 69, 7029 (1991).
18. N. M. Filho, C. Achete, and F. L. Freire, Jr., Thin Solid Films 220, 184 (1992).
19. T. Nakanishi, M. Takeyama, A. Naya and K. Sasaki, J. Appl. Phys. 77, 948 (1995).
20. R. M. Walser and R. W. Bene, Appl. Phys. Lett. 28, 624 (1976).
21. R. W. Bene, Appl. Phys. Lett. 41, 529 (1982).
22. R. W. Bene, J. Appl. Phys. 61, 1826 (1987).
23. U. Gosele and K. N. Tu, J. Appl. Phys. 66, 2612 (1989).
24. F. M. d'Heurle, J. Mater. Res. 1, 205 (1986).
25. H. Nakajima, M. Lkebe, Y. Muto, and H. Fujimori, J. Appl. Phys. 65, 1637 (1987).
26. W. H. Wang, H. Y. Bai, and W. K. Wang, J. Appl. Phys. 74, 2471 (1993).
27. E. E. Fullerton, J. Pearson, C. H. Sowers, and S. D. Bader, Phys. Rev. B 48, 17 432 (1993).
28. M. H. Wang and L. J. Chen, J. Appl. Phys. 71, 5918 (1992).
29. W. H. Wang, H. Y. Bai, and W. K. Wang, J. Appl. Phys. 73, 4313 (1993).
30. L. A. Clevenger and C. V. Thompson, J. Appl. Phys. 67, 1325 (1990).
31. L. A. Clevenger, C. V. Thompson, R. C. Cammarata, and K. N. Tu, J. Appl. Phys. 52, 795 (1988).
32. K. Holloway and R. Sinclair, J. Appl. Phys. 65, 474 (1987).
33. R. B. Schwarz and W. C. Johnson, Phys. Rev. Lett. 51, 415 (1983).
34. F. R. Boer, R. Room, A. R. Miedema, and A. K. Niessen, Cohesion in Metals (North-Holland, Amsterdam, 1988).
35. R. W. Bene, J. Appl. Phys. 61, 1826 (1987).
36. F. Spaepen, Acta Metall. 23, 729 (1975).
37. W. A. Miller and G. A. Chadwick, Acta Metall. 15, 609 (1967).
38. M. C. Inman and H. R. Tipler, Metall. Rev. 8, 105 (1963).
39. J. E. E. Baglin, F. M. d'heurle, W. N. Hammer, and S. Petersson, Nucl. Instrum. Methods 168, 491 (1980).
40. J. Y. Cheng and L. J. Chen, J. Appl. Phys. 69, 2161 (1991).
41. R. Pretorius, R. de Reus, A. M. Vredenberg, and F. W. Sana, J. Appl. Phys. 70, 3636 (1991).