Effect of deep levels on current excitation in 6H-SiC diodes

Semiconductors

Volumn 31, Issue 10, 1997, Pages 1049-1052

  Kuznetsov, N I ^a   Edmond, J A ^b  

^a IOFFE INSTITUTE   (Russian Federation)

^b Arkansas Power Electronics International Inc   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0346509593     PISSN: 10637826     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1134/1.1187023     Document Type: Article

References (31)

1. F. M. Berkovskii, S. M. Ryvkin, and N. B. Strokan, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 3, 230 (1961) [sic].
2. F. M. Berkovskii, S. M. Ryvkin, and N. B. Strokan, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 3, 3535 (1961) [sic].
3. M. M. Anikin, A. S. Zubrilov, A. A. Lebedev, A. M. Strel'chuk, and V. E. Chelnokov, F. M. Berkovskii, S. M. Ryvkin, and N. B. Strokan, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 25, 479 (1991) [Sov. Phys. Semicond. 25, 289 (1991)].
4. M. M. Anikin, A. S. Zubrilov, A. A. Lebedev, A. M. Strel'chuk, and V. E. Chelnokov, F. M. Berkovskii, S. M. Ryvkin, and N. B. Strokan, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 25, 479 (1991) [Sov. Phys. Semicond. 25, 289 (1991)].
5. N. T. Son, E. Sorman, W. M. Chen, O. Kordina, B. Monemar, and E. Janzen, Appl. Phys. Lett. 65, 2687 (1994).
6. St. G. Muller, D. Hoffmann, A. Winnacker, E. N. Mokhov, and Yu. A. Vodakov, Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 361 (1996).
7. G. F. Goluyanov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 4, 3170 (1993) [Semiconductors 27, 925 (1993)].
8. G. F. Goluyanov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 4, 3170 (1993) [Semiconductors 27, 925 (1993)].
9. A. I. Veinger and K. P. Fiz. Tekh. Poluprovodn. 2, 294 (1968) [Sov. Phys. Semicond. 2, 247 (1968)].
10. A. I. Veinger and K. P. Fiz. Tekh. Poluprovodn. 2, 294 (1968) [Sov. Phys. Semicond. 2, 247 (1968)].
11. G. Borda, E. E. Violin, G. N. Violina, and Yu. M. Tairov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 11, 2551 (1969) [sic].
12. H. S. Kong, J. T. Glass, R. F. Glass, and R. F. Davis, J. Appl. Phys. 64, 2672 (1988).
13. J. W. Palmour, R. F. Davis, T. M. Wallett, and K. B. Bhasin, J. Vac. Sci. Technol. A 4, 590 (1990).
14. T. Tachibana, H. S. Kong, Y. C. Wang, and R. F. Davis, J. Appl. Phys. 67, 6375 (1990).
15. D. V. Lang, J. Appl. Phys. 45, 3023 (1974).
16. N. I. Kuznetsov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 27, 1674 (1993) [Semiconductors 27, 925 (1993)].
17. N. I. Kuznetsov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 27, 1674 (1993) [Semiconductors 27, 925 (1993)].
18. W. Suttrop, G. Pensl, W. J. Chyke, R. Stein. S. Leibenzeder, J, Appl. Phys. 72, 3708 (1992).
19. H. J. van Daal, W. F. Knippenbery, J. D. Wasscher, J. Phys. Chem. Solids 24, 109 (1963).
20. M. Ikeda, H. Matsunami, and T. Tanaka, Phys. Rev. B 22, 2842 (1980).
21. N. I. Kuznetsov, A. P. Dmitriev, and A. S. Furman, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 28, 1010 (1994) [Semiconductors 28, 584 (1994)].
22. N. I. Kuznetsov, A. P. Dmitriev, and A. S. Furman, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 28, 1010 (1994) [Semiconductors 28, 584 (1994)].
23. V. N. Abakumov, V. I. Perel', I. N. Yassievich, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 12, 3 (1978) [Sov. Phys. Semicond. 12, 1 (1978)].
24. V. N. Abakumov, V. I. Perel', I. N. Yassievich, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 12, 3 (1978) [Sov. Phys. Semicond. 12, 1 (1978)].
25. O. V. Vakulenko and O. A. Guseva, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 15, 1528 (1981) [Sov. Phys. Semicond. 15, 886 (1981)].
26. O. V. Vakulenko and O. A. Guseva, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 15, 1528 (1981) [Sov. Phys. Semicond. 15, 886 (1981)].
27. C. T. Sah, R. N. Noyce, and W. Shockley, Proc. IRE 45, 1228 (1957).
28. V. V. Evstropov, K. V. Kiselev, I. L. Petrovich, and B. V. Tsarenkov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 18, 1852 (1984) [Sov. Phys. Semicond. 18, 1156 (1984)].
29. V. V. Evstropov, K. V. Kiselev, I. L. Petrovich, and B. V. Tsarenkov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 18, 1852 (1984) [Sov. Phys. Semicond. 18, 1156 (1984)].
30. Yu. R. Nosov, Physical Principles of the Semiconductor Diode Operating in the Pulse Mode, Nauka, 1968.
31. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, Wiley, N.Y. (1981).