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Volumn 361, Issue 6-7, 1998, Pages 570-573

Investigation of metallization schemes for high temperature devices based on silicon carbide

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EID: 0346344966     PISSN: 09370633     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1007/s002160050951     Document Type: Article
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References (3)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.