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Volumn 39, Issue 6, 1989, Pages 3741-3757

Electronic structure of Ge/Si monolayer strained-layer superlattices

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EID: 0346340325     PISSN: 01631829     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.39.3741     Document Type: Article
Times cited : (100)

References (43)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.