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Volumn 59, Issue 27, 1991, Pages 3574-3576

Heteroepitaxial growth of Ge on (100) Si by ultrahigh vacuum, chemical vapor deposition

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EID: 0346215019     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.105636     Document Type: Article
Times cited : (110)

References (26)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.