Reactions of nitriles at semiconductor surfaces

Journal of Physical Chemistry B

Volumn 107, Issue 44, 2003, Pages 12256-12267

  Mui, Collin ^a   Filler, Michael A ^a   Bent, Stacey F ^a   Musgrave, Charles B ^a  

^a Stanford University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ADDITION REACTIONS; CALCULATIONS; CATALYSIS; CHEMICAL MODIFICATION; ISOMERIZATION; MATHEMATICAL MODELS; ORGANIC COMPOUNDS; PROBABILITY DENSITY FUNCTION; REACTION KINETICS; SEMICONDUCTOR MATERIALS; SURFACE REACTIONS; THERMODYNAMIC STABILITY;

BUTENENITRILE; NITRILES; PROPENENITRILE; SURFACE CATALYZED ISOMERIZATION;

NITROGEN COMPOUNDS;

EID: 0345356217     PISSN: 15206106     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp034864t     Document Type: Article

References (25)

1. Wolkow, R. A. Annu. Rev. Phys. Chem. 1999, 50, 413-441.
2. Hamers, R. J.; Coulter, S. K.; Ellison, M. D.; Hovis, J. S.; Padowitz, D. F.; Schwartz, M. P.; Greenlief, C. M.; Russell , J. N. Acc. Chem. Res. 2000, 33, 617-624.
3. Bent, S. F. J. Phys. Chem. B 2002, 106, 2830-2842.
4. Buriak, J. M. Chem. Rev. 2002, 102, 1271-1308.
5. Tao, F.; Sim, W. S.; Xu, G. Q.; Qiao, M. H. J. Am. Chem. Soc. 2001, 123, 9397-9403.
6. Tao, F.; Wang, Z. H.; Qiao, M. H.; Liu, Q.; Sim, W. S.; Xu, G. Q. J. Chem. Phys. 2001, 115, 8563-8569.
7. Filler, M. A.; Mui, C.; Musgrave, C. B.; Bent, S. F. J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 4928-4936.
8. Lu, X.; Lin, M. Int. Rev. Phys. Chem. 2002, 21, 137-184.
9. Lu, X.; Xu, X.; Wu, J. M.; Wang, N. Q.; Zhang, Q. New J. Chem. 2002, 26, 160-164.
10. Bournel, F.; Gallet, J.; Kubsky, S.; Dufour, G.; Rochet, F.; Simeoni, M.; Sirotti, F. Surf. Sci. 2002, 513, 37-48.
11. Schwartz, M. P.; Hamers, R. J. Surf. Sci. 2002, 515, 75-86.
12. Choi, C. H.; Gordon, M. S. J. Am. Chem. Soc. 2002, 124, 6162-6167.
13. Hohenberg, P.; Kohn, W. Phys. Rev. 1964, 136, B864-B871.
14. Kohn, W.; Sham, L. J. Phys. Rev. 1965, 140, A1133-A1138.
15. Konecny, R.; Doren, D. J. Surf. Sci. 1998, 417, 169-188.
16. Wang, G. T.; Mui, C.; Musgrave, C. B.; Bent, S. F. J. Am. Chem. Soc. 2002, 124, 8990-9004.
17. Lee, C. T.; Yang, W. T.; Parr, R. G. Phys. Rev. B 1988, 37, 785-789.
18. Becke, A. D. J. Chem. Phys. 1993, 98, 5648-5652.
19. Frisch, M. J.; Trucks, G. W.; Schlegel, H. B.; Scuseria, G. E.; Robb, M. A.; Cheeseman, J. R.; Zakrzewski, V. G.; Montgomery, J. A., Jr.; Stratmann, R. E.; Burant, J. C.; Dapprich, S.; Millam, J. M.; Daniels, A. D.; Kudin, K. N.; Strain, M. C.; Farkas, O.; Tomasi, J.; Barone, V.; Cossi, M.; Cammi, R.; Mennucci, B.; Pomelli, C.; Adamo, C.; Clifford, S.; Ochterski, J.; Petersson, G. A.; Ayala, P. Y.; Cui, Q.; Morokuma, K.; Rega, N.; Salvador, P.; Dannenberg, J. J.; Malick, D. K.; Rabuck, A. D.; Raghavachari, K.; Foresman, J. B.; Cioslowski, J.; Ortiz, J. V.; Baboul, A. G.; Stefanov, B . B.; Liu, G.; Liashenko, A.; Piskorz, P.; Komaromi, I.; Gomperts, R.; Martin, R. L.; Fox, D. J.; Keith, T.; Al-Laham, M . A.; Peng, C. Y.; Nanayakkara, A.; Challacombe, M.; Gill, P. M. W.; Johnson, B.; Chen, W.; Wong, M. W.; Andres, J. L.; Gonzalez, C.; Head-Gordon, M.; Replogle, E. S.; Pople, J. A. Gaussian 98; Gaussian, Inc.: Pittsburgh, PA, 2001.
20. Baetzold, R. C.; Somorjai, G. A. J. Catal. 1976, 45, 94-105.
21. Mui, C.; Han, J. H.; Wang, G. T.; Musgrave, C. B.; Bent, S. F. J. Am. Chem. Soc. 2002, 124, 4027-4038.
22. Wang, G. T.; Mui, C.; Musgrave, C. B.; Bent, S. F. J. Phys. Chem. B 2001, 105, 12559-12565.
23. Bent, H. A. Chem. Rev. 1961, 61, 275-311.
24. Bordwell, F. G.; Hughes, D. L. J. Org. Chem. 1983, 48, 619-621.
25. Bordwell, F. G.; Hughes, D. L. J. Am. Chem. Soc. 1985, 107, 4737-4744.