Double-scaled potential profile in a group-III nitride alloy revealed by Monte Carlo simulation of exciton hopping

Applied Physics Letters

Volumn 83, Issue 18, 2003, Pages 3722-3724

  Kazlauskas, K ^a   Tamulaitis, G ^a   Zukauskas A ^a   Khan, M A ^b   Yang, J W ^b   Zhang, J ^b   Simin, G ^b   Shur, M S ^c   Gaska, R ^d  

^a VILNIUS UNIVERSITY   (Lithuania)

^b University of South Carolina   (United States)

^c RENSSELAER POLYTECHNIC INSTITUTE   (United States)

^d SENSOR ELECTRONIC TECHNOLOGY INC   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

COMPUTER SIMULATION; EXCITONS; MONTE CARLO METHODS; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS; SURFACE ROUGHNESS; THERMAL EFFECTS;

EXCITON HOPPING; NITRIDE ALLOY;

ALLOYS;

EID: 0344497423     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1625111     Document Type: Article

References (21)

1. A. Žukauskas, M. S. Shur, and R. Gaska, Introduction to Solid-State Lighting (Wiley, New York, 2002).
2. H. Kudo, Y. Ohuchi, T. Jyouichi, T. Tsunekawa, H. Okagawa, K. Tadatomo, Y. Sudo, M. Kato, and T. Taguchi, 5th Int. Conf. On Nitride Semicond., May 25-30, 203, Nara, Japan. Phys. St.
3. V. Adivarahan, S. Wu, A. Chitnis, R. Pachipulusu, V. Mandavilli, M. Shatalov, J. P. Zhang, M. Asif Khan, G. Tamulaitis, A. Sereika, I. Yilmaz, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 81, 3666 (2002).
4. M. A. Khan, J. W. Yang, G. Simin, R. Gaska, M. S. Shur, H.-C. Loye, G. Tamulaitis, A. Žukauskas, D. J. Smith, D. Chandrasekhar, and R. Bicknell-Tassius, Appl. Phys. Lett. 76, 1161 (2000).
5. G. Tamulaitis, K. Kazlauskas, S. Juršenas, A. Žukauskas, M. A. Khan, J. W. Yang, J. Zhang, G. Simin, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 77, 2136 (2000).
6. K. Kazlauskas, G. Tamulaitis, A. Žukauskas, M. A. Khan, J. W. Yang, J. Zhang, G. Simin, M. S. Shur, and R. Gaska, Phys. Status Solidi C 0, 512 (2002). (ISSN 1610-1634)
7. P. G. Eliseev, P. Perlin, J. Lee, and M. Osinski, Appl. Phys. Lett. 71, 569 (1997).
8. Y.-H. Cho, G. H. Gainer, A. J. Fisher, J. J. Song, S. Keller, U. K. Mishra, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 73, 1370 (1998).
9. J. Li, K. B. Nam, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 79, 3245 (2001).
10. K. Kazlauskas, G. Tamulaitis, A. Žukauskas, M. A. Khan, J. W. Yang, J. Zhang, E. Kuokstis, G. Simin, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 82, 4501 (2003).
11. H. Hirayama, A. Kinoshita, T. Yamabi, Y. Enomoto, A. Hirata, T. Araki, Y. Nanishi, and Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 80, 207 (2002).
12. T. Wang, Y. H. Liu, Y. B. Lee, J. P. Ao, J. Bai, and S. Sakai, Appl. Phys. Lett. 81, 2508 (2002).
13. Y.-H. Cho, G. H. Gainer, J. B. Lam, J. J. Song, W. Yang, and W. Jhe, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 5S1, W11.57 (2000).
14. D. Monroe, Phys. Rev. Lett. 54, 146 (1985).
15. S. A. Tarasenko, A. A. Kiselev, E. L. Ivchenko, A. Dinger, M. Baldauf, C. Klingshirn, H. Kalt, S. D. Baranovskii, R. Eichmann, and P. Thomas, Semicond. Sci. Technol. 16, 486 (2001).
16. S. D. Baranovskii, R. Eichmann, and P. Thomas, Phys. Rev. B 58, 13081 (1998).
17. M. S. Skolnick, P. R. Tapster, S. J. Bass, A. D. Pitt, N. Apsley, and S. P. Aldred, Semicond. Sci. Technol. 1, 29 (1986).
18. L. E. Golub, S. V. Ivanov, E. L. Ivchenko, T. V. Shubina, A. A. Toropov, J. P. Bergman, G. R. Pozina, B. Monemar, and M. Willander, Phys. Status Solidi B 205, 203 (1998).
19. M. Silver, G. Schoenherr, and H. Baessler, Phys. Rev. Lett. 48, 352 (1982).
20. S. Chichibu, K. Wada, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 71, 2346 (1997).
21. A. Kaneta, K. Okamoto, Y. Kawakami, S. Fujita, G. Marutsuki, Y. Narukawa, and T. Mukai, Appl. Phys. Lett. 81, 4353 (2002).