Structural and optical studies of InxGa1-xAs/GaAs multiple quantum wells

Journal of Applied Physics

Volumn 80, Issue 1, 1996, Pages 482-489

  Di Dio, M ^a   Lomascolo, M ^a   Passaseo, A ^a   Gerardi, C ^a   Giannini, C ^a   Quirini, A ^a   Tapfer, L ^a   Giugno, P V ^b   De Vittorio, M ^b   Greco, D ^b   Convertino, A L ^b   Vasanelli, L ^b   Rinaldi, R ^b   Cingolani, R ^b  

^a Centro Nazionale per la Ricerca e lo Sviluppo dei Materiali   (Italy)

^b INFM   (Italy)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0343958260     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.362751     Document Type: Article

References (52)

1. W. Z. Shen, W. G. Tang, S. C. Shen, S. M. Wang, and T. Andersson, Appl. Phys. Lett. 65, 2728 (1994).
2. K. J. Moore, G. Duggan, A. Raukema, and K. Woodbridge, Phys. Rev. B 42, 1326 (1990).
3. S. M. Wang, J. V. Thordson, T. G. Andersson, S. Jiang, L. X. Yang, and S. C. Shen, Appl. Phys. Lett. 65, 336 (1994).
4. M. J. Joyce, Z. Y. Xu, and M. Gal, Phys. Rev. B 44, 3144 (1991).
5. H. Nickel, R. Lösch, W. Schlapp, H. Leier, and A. Forchel, Surf. Sci. 228, 340 (1990).
6. K. J. Moore, G. Duggan, K. Woodbridge, and C. Roberts, Phys. Rev. B 41, 1095 (1990).
7. K. J. Moore, G. Duggan, K. Woodbridge, and C. Roberts, Phys. Rev. B 41, 1090 (1990).
8. K. J. Moore, G. Duggan, K. Woodbridge, C. Roberts, N. J. Pulsford, and R. J. Nicholas, Phys. Rev. B 42, 3024 (1990).
9. D. J. Arent, K. Deneffe, C. Van Hoof, J. De Boeck, and G. Borghs, J. Appl. Phys. 66, 1739 (1989).
10. S. Niki, C. L. Lin, W. S. C. Chang, and H. H. Wieder, Appl. Phys. Lett. 55, 1339 (1989).
11. G. Ji, D. Huang, U. K. Reddy, T. S. Henderson, R. Houdrè, and Morkoç, J. Appl. Phys. 62, 3366 (1987).
12. G. Ji, W. Dobbelaere, D. Huang, and Morkoç, Phys. Rev. B 39, 3216 (1989).
13. X. M. Fang, X. C. Shen, H. Q. Hou, W. Feng, J. M. Zhou, and F. Koch, Surf. Sci. 228, 351 (1990).
14. J. Massies, F. Turco, A. Saletès, and J. P. Contour, J. Cryst. Growth 80, 307 (1991).
15. M. Moison, F. Houzay, F. Barthe, J. M. Gèrard, B. Jusserand, J. Massies, and F. Turco, J. Cryst. Growth 111, 141 (1991).
16. J. M. Gerard and J. Y. Marzin, Phys. Rev. B 45, 6313 (1992).
17. F. Likawa, P. Motisuke, J. A. Brum, M. A. Sacilotti, A. P. Roth, and R. A. Masut, J. Cryst. Growth 93, 336 (1988).
18. B. Gil, P. Bigenwald, O. Laire, N. Briot, O. Briot, T. Cloitre, and L. R. Aulombard, Phys. Low-Dim. Struct. 7, 1 (1995).
19. D. Gershoni, G. M. Vandenberg, S. N. G. Chu, H. Temkin, T. Tanbun-Ek, and R. A. Logan, Phys. Rev. B 40, 10017 (1989).
20. J. Leymarie, C. Monier, A. Vasson, A. M. Vasson, M. Leroux, B. Courboulès, N. Grandjean, C. Deparis, and J. Massies, Phys. Rev. B 51, 13274 (1995).
21. G. Ambrazevicius, S. Marcinkevicius, T. Lideikis, and K. Naudzius, Semicond. Sci. Technol. 6, 41 (1991).
22. A. P. Roth, R. A. Masut, M. Sacilotti, P. J. D'Arcy, B. Watt, G. I. Sproule, and D. F. Mitchell, J. Cryst. Growth 77, 571 (1986).
23. I. Hwang, C. Lee, J. Kim, H. Y. Park, E. K. Such, K. Y. Lim, and H. J. Lee, Phys. Rev. B 51, 7894 (1995).
24. L. Dapkus, V. Jasutis, S. Kaciulis, D. Lescinskas, G. Mattogno, L. Stakvilevicius, G. Treideris, and S. Viticoli, J. Appl. Phys. 76, 5738 (1994).
25. F. Koyama, T. Mukaihara, Y. Hayashi, N. Ohnoki, N. Hatori, and K. Iga, Electron. Lett. 30, 1947 (1994).
26. S. H. Pan, H. Shen, Z. Hang, F. H. Pollak, W. Zhuang, Q. Xu, A. P. Roth, R. Masut, C. Lacelle, and D. Morris, Phys. Rev. B 38, 3375 (1988).
27. B. Y. Hua, E. Fortin, A. P. Roth, and R. A. Masut, Appl. Phys. Lett. 53, 1062 (1988).
28. F. Likawa, F. Cerdeira, C. Vazquez-Lopez, P. Motisuke, M. A. Sacilotti, A. R. Roth, and R. A. Masut, Phys. Rev. B 38, 8473 (1988).
29. F. Bugge, G. Beister, G. Erbert, S. Gramlich, I. Rechenberg, H. Treptow, and M. Weyers, J. Cryst. Growth 145, 907 (1994).
30. S. F. Yoon, H. M. Li, K. Radhakrishnan, and D. H. Zhang, J. Mater. Res. 8, 3122 (1993).
31. K. Wittmaack, Surf. Interface Anal. 21, 323 (1994).
32. K. Muraki, S. Fukatsu, Y. Shiraki, and R. Ito, Appl. Phys. Lett. 61, 557 (1992); K. Muraki, S. Fukatsu, Y. Shiraki, and R. Ito, J. Cryst. Growth 127, 546 (1993).
33. K. Muraki, S. Fukatsu, Y. Shiraki, and R. Ito, Appl. Phys. Lett. 61, 557 (1992); K. Muraki, S. Fukatsu, Y. Shiraki, and R. Ito, J. Cryst. Growth 127, 546 (1993).
34. Y. Gao, I Appl. Phys. 64, 3760 (1988).
35. L. Tapfer, Physica Scr. T25, 45 (1989).
36. L. De Caro, C. Giannini, and L. Tapfer, J. Appl. Phys. (to be published).
37. R. C. Miller, A. C. Gossard, G. D. Sanders, Y. C. Chang, and J. N. Schulman, Phys. Rev. B 32, 8452 (1985).
38. R. C. Miller, A. C. Gossard, and D. A. Kleinman, Phys. Rev. B 32, 5443 (1985).
39. D. S. Chemla, D. A. B. Miller, P. W. Smith, A. C. Gossard, and W. Wiegmann, IEEE J. Quantum Electron. QE-20, 265 (1984).
40. P. Christol, P. Lefebvre, and H. Mathieu, J. Appl. Phys. 74, 5626 (1993).
41. G. Bastard, E. E. Mendez, L. L. Chang, and L. Esaki, Phys. Rev. B 26, 1974 (1982).
42. D. A. B. Miller, D. S. Chemla, T. C. Damen, A. C. Gossard, W. Wiegmann, T. H. Wood, and C. A. Burrus, Phys. Rev. B 32, 1043 (1985).
43. V. D. Kulakovskii, A. Forchel, K. Pieger, J. Straka, B. N. Shepel, and S. V. Nochevny, Phys. Rev. B 50, 7467 (1994).
44. M. J. L. S. Haines, N. Ahmed, S. J. A. Adams, K. Mitchell, I. R. Agool, C. R. Pidgeon, B. C. Cavenett, E. P. O'Reilly, A. Ghiti, and M. T. Emeny, Phys. Rev. B 43, 11944 (1991).
45. N. J. Pulsford, R. J. Nicholas, R. J. Warburton, G. Duggan, K. J. Moore, K. Woodbridge, and C. Roberts, Phys. Rev. B 43, 2246 (1991).
46. W. Zhou, M. Dutta, D. D. Smith, J. Pamulapati, H. Shen, P. Newman, and R. Sacks, Phys. Rev. B 48, 5256 (1993).
47. H. Q. Hou, Y. Segawa, Y. Aoyagi, S. Namba, and J. M. Zhou, Phys. Rev. B 42, 1284 (1990).
48. U. Rössler, Solid State Commun. 65, 1279 (1988).
49. G. Bastard, E. E. Mendez, L. L. Chang, and L. Esaki, Phys. Rev. B 28, 3241 (1983).
50. J. A. Brum and G. Bastard, Phys. Rev. B 31, 3893 (1985).
51. Data in Science and Technology, Group IV and III-V Compound, edited by O. Madelung (Springer, Berlin, 1991); Semiconductors, Physics of Group IV Elements and III-V Compound, edited by K. H. Hellwege and O. Madelung, Landolt-Bornstein, New Series Group III, Vol. 17, Pt. A (Springer, Berlin, 1982).
52. Data in Science and Technology, Group IV and III-V Compound, edited by O. Madelung (Springer, Berlin, 1991); Semiconductors, Physics of Group IV Elements and III-V Compound, edited by K. H. Hellwege and O. Madelung, Landolt-Bornstein, New Series Group III, Vol. 17, Pt. A (Springer, Berlin, 1982).