Background Si-doping effects on Zn diffusion-induced disordering in GaAs/AlGaAs multiple-quantum-well structures

Journal of Applied Physics

Volumn 79, Issue 8, 1996, Pages 4009-4016

  Ky, Nguyen Hong ^a   Ganiere J D ^a   Reinhart, F K ^a   Blanchard, B ^b  

^a EPFL   (Switzerland)

^b CEA LETI   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0343859299     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.361829     Document Type: Article

References (28)

1. W. D. Laidig, N. Holonyak, Jr., M. D. Camras, K. Hess, J. J. Coleman, P. D. Dapkus, and J. Bardeen, Appl. Phys. Lett. 38, 776 (1981).
2. D. G. Deppe and N. Holonyak, Jr., J. Appl. Phys. 64, R93 (1988).
3. T. Y. Tan, U. Gösele, and S. Yu, Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 17, 47 (1991); S. Yu, T. Y. Tan, and U. Gösele, J. Appl. Phys. 69, 3547 (1991).
4. T. Y. Tan, U. Gösele, and S. Yu, Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 17, 47 (1991); S. Yu, T. Y. Tan, and U. Gösele, J. Appl. Phys. 69, 3547 (1991).
5. C. Wang, Q. M. Zhang, and J. Bernholc, Phys. Rev. Lett. 69, 3789 (1992).
6. B. Chen, Q. M. Zhang, and J. Bernholc, Phys. Rev. B 49, 2985 (1994).
7. Nguyen Hong Ky, J. D. Ganière, M. Gailhanou, B. Blanchard, L. Pavesi, G. Burri, D. Araújo, and F. K. Reinhart, J. Appl. Phys. 73, 3769 (1993).
8. I. Harrison, H. P. Ho, B. Tuck, M. Henini, and O. H. Hughes, Semicond. Sci. Technol. 4, 841 (1989).
9. D. G. Deppe, N. Holonyak, Jr., F. A. Kish, and J. E. Baker. Appl. Phys. Lett. 50, 998 (1987).
10. V. Swaminathan, N. Chand, M. Geva, P. J. Anthony, and A. S. Jordan, J. Appl. Phys. 72, 4648 (1992).
11. Nguyen Hong Ky, L. Pavesi, D. Araújo, J. D. Ganière, and F. K. Reinhart, J. Appl. Phys. 69. 7585 (1991).
12. L. Pavesi, Nguyen Hong Ky, J. D. Ganière, F. K. Reinhart, N. Baba-Ali, I. Harrison, B. Tuck, and M. Henini, J. Appl. Phys. 71, 2225 (1992).
13. Nguyen Hong Ky, J. D. Ganière, F. K. Reinhart, B. Blanchard, and J. C. Pfister, J. Appl. Phys. 74, 5493 (1993).
14. Nguyen Hong Ky, L. Pavesi, D. Araújo, J. D. Ganière, and F. K. Reinhart, J. Appl. Phys. 70, 3887 (1991).
15. L. Pavesi and M. Guzzi, J. Appl. Phys. 75, 4779 (1994).
16. D. R. Wight, in Gallium Arsenide - Materials, Devices and Circuits, edited by M. J. Howes and D. V. Morgan (Wiley, New York, 1985).
17. Nguyen Hong Ky, J. D. Ganière, M. Gailhanou. F. Morier-Genoud, D. Martin, and F. K. Reinhart, Phys. Rev. B 46, 6947 (1992).
18. R. Dingle. H. L. Störmer, A. C. Gossard, and W. Wiegmann, Appl. Phys. Lett. 33, 665 (1978).
19. R. Cingolani, W. Stolz, and K. Ploog, Phys. Rev. B 40, 2950 (1989).
20. G. Livescu, D. A. B. Miller, D. S. Chemla, M. Ramaswami, T. Y. Chang, N. Sauer, A. C. Gossard, and J. H. English, IEEE J. Quantum Electron. 24, 1677 (1988).
21. M. S. Skolnick, J. M. Rorison, K. J. Nash, D. J. Mowbray, P. R. Tapster, S. J. Bass, and A. D. Pitt, Phys. Rev. Lett. 58, 2130 (1987).
22. J. S. Lee, Y. Iwasa, and N. Miura, Semicond. Sci. Technol. 2, 675 (1987).
23. S. Schuppler, D. L. Adler, L. N. Pfeiffer, K. W. West, E. E. Chaban, and P. H. Citrin, Appl. Phys. Lett. 63, 2357 (1993).
24. E. W. Williams and H. Barry Bebb, Semiconductors and Semimetals (Academic, New York, 1972), Vol. 8.
25. Y. Kajikawa, M. Nakanishi, and K. Nagahama, Semicond. Sci. Technol. 7, 1170 (1992).
26. M. D. Camras, N. Holonyak, Jr., R. D. Burnham, W. Streifer, D. R. Scifres, T. L. Paoli, and C. Lindström, J. Appl. Phys. 54, 5637 (1983).
27. U. Gösele and F. Morehead, J. Appl. Phys. 52, 4617 (1981).
28. G. A. Baraff and M. Schlüter, Phys. Rev. Lett. 55, 1327 (1985).