Molecular beam epitaxy growth and characterization of GaN and AlxGa1-xN on 6H-SiC

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 14, Issue 3, 1996, Pages 896-899

  Sinharoy, S ^a   Augustine, G ^a   Rowland, L B ^a   Agarwal, A K ^a   Messham, R L ^a   Driver, M C ^a   Hopkins, R H ^a  

^a WESTINGHOUSE ELECTRIC COMPANY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0343321358     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.580410     Document Type: Article

References (22)

1. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, J. Appl. Phys. 76, 8189 (1994).
2. R. J. Molnar, R. Singh, and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 66, 268 (1995).
3. M. A. L. Johnson, S. Fujita, W. H. Rowland, Jr., K. A. Bowers, W. C. Hughes, Y. W. He, N. A. El Masry, J. W. Cook, Jr., J. F. Schetzina, J. Ren, and J. A. Edmond, J. Vac. Sci. Technol. B (to be published).
4. J. M. van Hove, G. Carpenter, E. Nelson, A. Wowchak, and P. P. Chow (unpublished).
5. M. A. Khan, J. N. Kuznia, D. T. Olson, W. J. Schaff, J. W. Burm, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 65, 1121 (1994).
6. M. A. Khan, J. N. Kuznia, A. R. Bhattarai, and D. T. Olson, Appl. Phys. Lett. 62, 1786 (1993).
7. S. C. Binari, L. B. Rowland, W. Kruppa, G. Keiner, K. Doverspike, and D. K. Gaskill, Electron. Lett. 30, 1248 (1994).
8. M. A. Khan, M. S. Shur, J. N. Kuznia, Q. Chen, J. Burm, and W. Schaff, Appl. Phys. Lett. 66, 1083 (1995).
9. A. Özgür, W. Kim, Z. Fan, A. Botchkarev, A. Salvador, S. N. Mohammad, B. Sverdlov, and H. Morkoç, Electron. Lett. 31, 1389 (1995).
10. J. Pankove, S. S. Chang, H. C. Lee, R. J. Molnar, T. D. Moustakas, and B. Van Zeghbroeck, IEDM-94, 389 (1994).
11. S. Nakamura, N. Iwasa, M. Senoh, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 31, 1258 (1992).
12. W. C. Hughes, W. H. Rowland, Jr., M. A. L. Johnson, S. Fujita, J. W. Cook, Jr., and J. F. Schetzina, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 1571 (1995).
13. C. D. Brandt et al., Compound Semiconductors 1994, Proceedings of the 21st International Symposium on Compound Semiconductors, IOP Conference Series No. 141, edited by H. Goronkin and U. Mishra (Institute of Physics, Bristol, 1995).
14. Z. Sitar, M. J. Paisley, B. Van, J. Ruan, W. J. Choyke, and R. F. Davis, J. Vac. Sci. Technol. B 8, 316 (1990).
15. M. E. Lin, B. Sverdlov, G. L. Zhou, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 62, 3479 (1993).
16. D. J. Smith, D. Chandrasekhar, B. Sverdlov, A. Botchkarev, A. Salvador, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 67, 1830 (1995).
17. T. W. Weeks, Jr., M. D. Bremser, K. S. Ailey, E. Carlson, W. G. Perry, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 67, 401 (1995).
18. N. Koide, H. Kato, M. Sassa, S. Yamasaki, K. Manabe, H. Hashimoto, H. Amano, K. Hiramatsu, and I. Akasaki, J. Cryst. Growth 115, 639 (1991).
19. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, J. Appl. Phys. 31, 2883 (1992).
20. D. K. Wickenden and W. A. Bryden, in Silicon Carbide and Related Materials, edited by M. G. Spencer, R. P. Devaty, J. A. Edmond, M. A. Khan, R. Kaplan, and M. Rahman (IOP, Bristol, 1994), p. 381.
21. L. B. Rowland, K. Doverspike, and D. K. Gaskill, Appl. Phys. Lett. 66, 1495 (1995).
22. A. E. Wickenden, L. B. Rowland, K. Doverspike, D. K. Gaskill, J. A. Freitas, Jr., D. S. Simons, and P. H. Chi, J. Electron. Mater. 25, 1547 (1995).