The role of substrate quality on misfit dislocation formation in pseudomorphic high electron mobility transistor structures

Journal of Applied Physics

Volumn 81, Issue 7, 1997, Pages 3124-3128

  Meshkinpour, M ^a   Goorsky, M S ^a   Jenichen, B ^b   Streit, D C ^c   Block, T R ^c  

^a UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

^b PAUL DRUDE INSTITUT FÜR FESTKÖRPERELEKTRONIK   (Germany)

^c NORTHROP GRUMMAN CORPORATION   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0343299630     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.364346     Document Type: Article

References (27)

1. M. Meshkinpour, M. S. Goorsky, G. Chu, D. C. Streit, T. Block, and M. Wojtowicz, Appl. Phys. Lett. 66, 748 (1995).
2. L. D. Nguyen, D. C. Radulescu, M. C. Foisy, P. J. Tasker, and L. F. Eastman, IEEE Trans. Electron Devices 36, 833 (1989).
3. A. Fischer-Colbrie, J. N. Miller, S. S. Laderman, S. J. Rosner, and R. Hull, J. Vac. Sci. Technol. B 6, 620 (1988).
4. J. W. Matthews and A. E. Blakeslee, J. Cryst. Growth 27, 118 (1974).
5. G. S. Green, B. K. Tanner, S. J. Barnett, M. T. Emery, A. D. Pitt, C. R. Whitehouse, and G. F. Clark, Philos. Mag. Lett. 62, 131 (1990).
6. Z. J. Radzimski, B. L. Jiang, G. A. Rozgonyi, T. P. Humphreys, N. Hamaguchi, and S. M. Bedair, J. Appl. Phys. 64, 2328 (1988).
7. J. F. Klem, W. S. Fu, P. L. Gourley, E. D. Jones, T. M. Brennan, and J. A. Lott, Appl. Phys. Lett. 56, 1350 (1990).
8. E. A. Fitzgerald, G. P. Watson, R. E. Proano, D. G. Ast, P. D. Kirchner, G. D. Pettit, and J. M. Woodall, J. Appl. Phys. 65, 2220 (1989).
9. N. Moll, M. R. Hueschen, and A. Fischer-Colbrie, IEEE Trans. Electron Devices 35, 878 (1988).
10. D. C. Streit, K. L. Tan, R. M. Dia, J. K. Liu, A. C. Han, J. R. Velebir, S. K. Wang, T. Q. Trinh, P. D. Chow, P. H. Liu, and H. C. Yen, IEEE Electron Device Lett. 12, 149 (1991).
11. M. Meshkinpour, M. S. Goorsky, K. Matney, D. C. Streit, and T. Block, J. Appl. Phys. 76, 3362 (1994).
12. M. S. Goorsky and S. E. Lindo, submitted to 37th EMC Conference, Virginia, June (1995).
13. M. Meshkinpour, M. S. Goorsky, D. C. Streit, T. Block, M. Wojtowicz, K. Rammohan, and D. H. Rich, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 340, 327 (1994).
14. M. S. Goorsky, M. Meshkinpour, D. C. Streit, and T. R. Block, J. Phys. D 28, A92 (1995).
15. R. Kohler, Appl. Phys. A 58, 149 (1994).
16. P. H. Townsend, D. M. Barnett, and T. A. Brunner, J. Appl. Phys. 62, 4438 (1987).
17. S. Adachi, Properties of Aluminium Gallium Arsenide, edited by S. Adachi (INSPEC, London, 1993), p. 17.
18. E. A. Fitzgerald, Properties of Lattice-Matched And Strained Indium Gallium Arsenide, edited by P. Bhattacharya (INSPEC, London, 1993), p. 6.
19. M. V. Sullivan and G. A. Kolb, J. Electrochem. Soc. 110, 585 (1963).
20. I. C. Bassignana and D. A. Macquistan, 7th Conference Semi-insulating Materials, Ixtapa, Mexico, p. 183 (1992).
21. D. J. Stirland, Mircroscopy of Semiconducting Materials Conference, Oxford, U.K., p. 327 (1991).
22. P. J. Orders and B. F. Usher, Appl. Phys. Lett. 50, 980 (1987).
23. Y. C. Chen, P. K. Bhattacharya, and J. Singh, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 769 (1992).
24. S. R. Stiffler, C. L. Stanis, M. Goorsky, K. K. Chan, and E. de Fresart, J. Appl. Phys. 71, 4820 (1992).
25. A. Iida and K. Kohra, Phys. Status Solidi A 51, 533 (1979).
26. J. C. Bean, J. Electron. Mater. 19, 1055 (1990).
27. S. J. Barnett, A. M. Keir, A. G. Cullis, A. D. Johnson, J. Jefferson, G. W. Smith, T. Martin, C. R. Whitehouse, G. Lacey, G. F. Clark, B. K. Tanner, W. Spirkl, B. Lunn, J. C. H. Hogg, P. Ashu, W. E. Hagston, and C. M. Caselli, J. Phys. D 28, A17 (1995).