Hydrogenation and annealing effects in p-type ZnSe thin films grown on GaAs (100) substrates

Journal of Applied Physics

Volumn 84, Issue 6, 1998, Pages 3125-3128

  Kim, M D ^a   Park, H S ^a   Kim, T W ^b  

^a Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)   (South Korea)

^b Kwangwoon University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0343285667     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.368510     Document Type: Article

References (25)

1. R. F. C. Farrow, G. R. Jones, G. H. Williams, and I. M. Young, Appl. Phys. Lett. 39, 954 (1981).
2. M. Lovergine, R. Cingolani, G. Leo, A. M. Mancini, L. Vasanelli, F. Romanato, A. V. Drigo, and M. Mazzer, Appl. Phys. Lett. 63, 3452 (1993).
3. V. H. Etgens, M. Sauvage-Simkin, R. Pinchaux, J. Massies, N. Jedrecy, A. Waldhauer, S. Tatarenko, and P. H. Jouneau, Phys. Rev. B 47, 10 607 (1993).
4. D. Coquillat, F. Hamdani, J. P. Lascaray, O. Briot, N. Briot, and R. L. Aulombard, Phys. Rev. B 47, 10489 (1993).
5. T. W. Kim, H. L. Park, and J. Y. Lee, Appl. Phys. Lett. 64, 2526 (1994).
6. T. W. Kim, Y. H. Chang, Y. D. Zheng, A. A. Reader, B. D. McCombe, R. F. C. Farrow, T. Temofonte, F. A. Shirland, and A. Noreika, J. Vac. Sci. Technol. B 5, 980 (1987).
7. R. M. Park, M. B. Troffer, C. M. Rouleau, J. M. Depuydt, and M. A. Haase, Appl. Phys. Lett. 57, 2127 (1990).
8. M. A. Haase, J. Qiu, J. M. Depuydt, and H. Cheng, Appl. Phys. Lett. 59, 1272 (1991).
9. S. Guha, H. Munekata, F. K. LeGoues, and L. L. Chang, Appl. Phys. Lett. 60, 3220 (1992).
10. L. H. Kuo, L. Salanianca-Riba, J. M. Depuydt, H. Cheng, and J. Qui, Appl. Phys. Lett. 63, 3197 (1993).
11. M. Drechster, B. K. Meyer, D. M. Hofmann, P. Ruppert, and D. Hommel, Appl. Phys. Lett. 71, 1116 (1997).
12. K. K. Fung, N. Wang, and I. K. Sou, Appl. Phys. Lett. 71, 1225 (1997).
13. S. Guha, J. M. Depuydt, M. A. Hasse, J. Qiu, and H. Cheng, Appl. Phys. Lett. 63, 3107 (1993).
14. G. C. Hua, N. Otsuka, D. C. Grillo, Y. Fan, J. Han, M. Ringle, R. L. Gunshor, M. Hovinen, and A. V. Nurmiko, Appl. Phys. Lett. 65, 1331 (1994).
15. S. J. Pearton, J. W. Corbett, and T. S. Shi, Appl. Phys. A: Solids Surf. 43, 153 (1987).
16. S. M. Sze, VLSI Technology (McGraw-Hill, New York, 1988).
17. C. Morhain, E. Tournie, G. Neu, C. Ongaretto, and J. P. Faurie, Phys. Rev. B 54, 4714 (1996).
18. O. Pages, M. A. Renucci, O. Briot, and R. L. Aulombard, J. Appl. Phys. 77, 1241 (1995).
19. T. Yasuda, T. Yasui, B.-P. Zhang, and Y. Segawa, J. Cryst. Growth 159, 1168 (1996).
20. I. S. Hauksson, J. Simpson, S. Y. Wang, K. A. Prior, and B. C. Cavenett, Appl. Phys. Lett. 61, 2208 (1992).
21. J. Qiu, J. M. Depuydt, H. Cheng, and M. A. Haase, Appl. Phys. Lett. 59, 2992 (1991).
22. I. S. Hauksson, S. Y. Wang, J. Simpson, K. A. Prior, B. C. Cavenett, W. Liu, and B. J. Skromme, Phys. Rev. B 52, 17 184 (1995).
23. L. Pavesi, F. Martelli, D. Martin, and F. K. Reinhart, Appl. Phys. Lett. 54, 1522 (1989).
24. B. A. Weinstein and M. Cardona, Phys. Rev. B 5, 3120 (1972).
25. O. Pages, M. A. Renucci, O. Briot, and R. L. Aulombard, J. Appl. Phys. 80, 1128 (1996).