Relationship between electroluminescence and current transport in organic heterojunction light-emitting devices

Journal of Applied Physics

Volumn 79, Issue 10, 1996, Pages 7991-8006

  Burrows, P E ^a   Shen, Z ^a   Bulovic, V ^a   McCarty, D M ^a   Forrest, S R ^a   Cronin, J A ^b   Thompson, M E ^b  

^a Princeton University   (United States)

^b UNIVERSITY OF SOUTHERN CALIFORNIA   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0342971584     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.362350     Document Type: Article

References (92)

1. S. R. Forrest, IEEE Circuits Devices Mag. 5, 33 (1989).
2. F. F. So and S. R. Forrest, IEEE Trans. Electron Devices ED-36, 66 (1989).
3. J. H. Burroughes, C. A. Jones and R. H. Friend, Nature 335, 137 (1988).
4. C. W. Tang and S. A. VanSlyke, Appl. Phys. Lett. 51, 913 (1987).
5. C. W. Tang, S. A. VanSlyke, and C. H. Chen, J. Appl. Phys. 65, 3610 (1989).
6. J. H. Burroughes, D. D. C. Bradley, A. R. Brown, R. N. Marks, K. Mackay, R. H. Friend, P. L. Burns, and A. B. Holmes, Nature 347, 539 (1990).
7. A. R. Brown, D. D. C. Bradley, J. H. Burroughes, R. H. Friend, N. C. Greenham, P. L. Burns, A. B. Holmes, and A. Kraft, Appl. Phys. Lett. 61, 2793 (1992).
8. J. Kido, K. Nagai, and Y. Okamoto, J. Alloys Compounds 192, 30 (1993).
9. N. Takada, T. Tsutsui, and S. Saito, Jpn. J. Appl. Phys. 33, L863 (1994).
10. C. Adachi, T. Tsutsui, and S. Saito, Appl. Phys. Lett. 56, 799 (1990).
11. Y. Hamada, C. Adachi, T. Tsutsui, and S. Saito, Jpn. J. Appl. Phys. 31, 1812 (1992).
12. J. Kido, M. Kimura, and K. Nagai, Science 267, 1332 (1995).
13. J. E. Littman and S. A. VanSlyke, U.S. Patent No. 5,405,709 (1995).
14. P. E. Burrows and S. R. Forrest, App. Phys. Lett. 64, 2285 (1993).
15. Z. Shen, P. E. Burrows, V. Bulovic, D. Z. Garbuzov, D. M. McCarty, M. E. Thompson, and S. R. Forrest, Jpn. J. Appl. Phys. 35, L401 (1996).
16. A. Rose, Phys. Rev. 97, 1538 (1955).
17. M. A. Lampert, RCA Rev. 20, 682 (1959).
18. R. W. Smith and A. Rose, Phys. Rev. 97, 1531 (1955).
19. M. A. Lampert, Phys. Rev. 103, 1648 (1956).
20. P. Mark and W. Helfrich, J. Appl. Phys. 33, 205 (1962).
21. R. W. Smith, RCA Rev. 20, 69 (1959).
22. H. P. D. Lanyon, Phys. Rev. 130, 134 (1963).
23. A. Sussman, J. Appl. Phys. 38, 2738 (1967).
24. A. Sussman, J. Appl. Phys. 38, 2748 (1967).
25. B. B. Ismail and R. D. Gould, Phys. Status Solidi A 115, 237 (1989).
26. A. Bhattacharjee and B. Mallik, Ind. J. Phys. A 66, 369 (1992).
27. P. Canet, C. Laurent, J. Akinnifesi, and B. Despax, J. Appl. Phys. 72, 2423 (1992).
28. A. Ahmad and R. A. Collins, Thin Solid Films 217, 75 (1992).
29. A. K. Hassan and R. D. Gould, J. Phys. D 22, 1162 (1989).
30. A. K. Hassan and R. D. Gould, Int. J. Electron. 73, 1047 (1992).
31. T. G. Abdel-Malik, R. M. Abdel-Latif, A. E. El-Samahy, and S. M. Khalil, Thin Solid Films 256, 139 (1995).
32. S. Gravano, A. K. Hassan, and R. D. Gould, Int. J. Electron. 70, 477 (1991).
33. H. Antoniadis, M. Abkovitz, B. R. Hsieh, S. A. Jenekhe, and M. Stolka, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 328, 377 (1994).
34. H. Antoniadis, M. A. Abkowitz, and B. R. Hsieh, App. Phys. Lett. 65, 2030 (1994).
35. R. N. Marks, D. D. C. Bradley, R. W. Jackson, P. L. Burn, and A. B. Holmes, Synth. Met. 55, 4128 (1993).
36. C. C. Wu, J. K. M. Chun, P. E. Burrows, J. C. Sturm, M. E. Thompson, S. R. Forrest, and R. A. Register, Appl. Phys. Lett. 66, 653 (1995).
37. L. B. Schein and D. W. Brown, Mol. Cryst. Liq. Cryst. 87, 1 (1982).
38. T. Holstein, Ann. Phys. 8, 343 (1959).
39. Electronic and Structural Properties of Amorphous Semiconductors, edited by P. G. LeComber and J. Mort (Academic, New York, 1972), Chap. 7.
40. S. Sreepathi Rao, K. V. Satyanarayana Rao, K. Narasimba Reddy, J. Sura Kumar, and U. V. Subba Rao, Mater. Sci. Eng. B 8, 125 (1991).
41. N. R. Couch, C. M. Montgomery, and R. Jones, Thin Solid Films 135, 173 (1986).
42. M. H. Nathoo and A. K. Jonscher, J. Phys. C 4, L301 (1971).
43. G. G. Roberts, P. S. Vincent, and W. A. Barlow, J. Phys. C 11, 2077 (1978).
44. W. D. Gill, J. Appl. Phys. 43, 5033 (1972).
45. Z. Burshtein and D. F. Williams, Phys. Rev. B 15, 5769 (1977).
46. M. A. Abkowitz, Philos. Mag. B 65, 817 (1992).
47. L. B. Schein, Philos. Mag. B 65, 795 (1992).
48. V. M. Kenkre and D. H. Dunlap, Philos. Mag. B 65, 831 (1992).
49. E. A. Silinsh, Organic Molecular Crystals (Springer, Berlin, 1980).
50. E. Aminaka, T. Tsutsui, and S. Saito, Jpn. J. Appl. Phys. 33, 1061 (1994).
51. S. Egusa, A. Miura, N. Gemma, and M. Azuma, Jpn. J. Appl. Phys. 33, 2741 (1994).
52. S. R. Forrest and F. F. So, J. Appl. Phys. 64, 399 (1988).
53. M. Pope and C. E. Swenberg, Electronic Processes in Organic Crystals (Oxford University Press, Oxford, 1982), p. 204.
54. M. A. Lampert and P. Mark, Current Injection in Solids (Academic, New York, 1970).
55. W. Helfrich and F. R. Lipsett, J. Chem. Phys. 43, 12 (1963).
56. R. Signerski and J. Kalinowski, Thin Solid Films 75, 151 (1981).
57. H. B. De Vore, RCA Rev. 20, 79 (1959).
58. L. Friedman, Phys. Rev. 140, A1649 (1965).
59. K. C. Kao and W. Hwang, Electrical Transport in Solids (Pergamon, Oxford, 1981), Chap. 1.
60. J. S. Frener and F. E. Williams, J. Phys. Radium 17, 667 (1956).
61. W. Shockley and W. T. Read, Phys. Rev. 87, 835 (1952).
62. A. R. Brown, K. Pichler, N. C. Greenham, D. D. C. Bradley, R. H. Friend, and A. B. Holmes, Chem. Phys. Lett. 210, 61 (1993).
63. M. Stolka, J. F. Yanus, and D. M. Pai, J. Phys. Chem. 88, 4707 (1984).
64. M. Abkowitz and D. M. Pai, Philos. Mag. B 53, 193 (1986).
65. Syntec GmbH, Wollen, Germany.
66. TCI America, Portland, OR 97203.
67. K. Matsumura and M. Ito, J. Am. Chem. Soc. 77, 6671 (1955).
68. S. K. Freeman and P. E. Spoerri, J. Chem. Soc. 438, 1950.
69. Donnely Applied Flms Corporation, Boulder, CO.
70. F. Gutman and L. E. Lyons, Organic Semiconductors (Wiley, New York, 1992).
71. D. Z. Garbuzov, V. Bulovic, P. E. Burrows, and S. R. Forrest, Chem. Phys. Lett. 249, 433 (1996).
72. P. E. Burrows, L. S. Sapochak, D. M. McCarty, S. R. Forrest, and M. E. Thompson, Appl. Phys. Lett. 64, 2718 (1994).
73. Y. Hirose, A. Kahn, V. Aristov, and P. Soukiassian, Appl. Phys. Lett. 68, 217 (1996).
74. R. Lazzaroni, M. Logdlund, A. Calderone, J. L. Bredas, P. Dannetun, C. Fauquet, C. Fredriksson, S. Stafstrom, and W. R. Salaneck, Synth. Met. 71, 2159 (1995).
75. W. Hwang and K. C. Kao, Solid-State Electron 15, 523 (1972).
76. C. Hosokawa, H. Tokailin, H. Higashi, and T. Kusumoto, Appl. Phys. Lett. 60, 1220 (1992).
77. H. Schmidbaur, J. Lettenbauer, D. L. Wilkinson, G. Muller, and O. Kumberger, Z. Naturforsch. B 46, 901 (1991).
78. S. Karg, Ph.D. thesis, University of Bayreuth, 1994.
79. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (Wiley, New York, 1982).
80. S. Saito, T. Tsutsui, M. Era, N. Takada, C. Adachi, Y. Hamada, and T. Wakimoto, Proc. SPIE 1910, 212 (1993).
81. Y. Yamamoto and R. E. Slusher, Phys. Today June, 66 (1993).
82. Y. Abe, K. Onisawa, S. Aratani, and M. Hanazono, J. Electrochem. Soc. 139, 641 (1992).
83. M. Meier, E. Buchwald, S. Karg, M. Colle, J. Gmeiner, W. Riess, and M. Schwoerer, in 7th International Conference On Unconventional Photoactive Systems, Stanford University, CA, September 6-9, 1995.
84. R. G. Kepler, P. M. Beeson, S. J. Jacobs, R. A. Anderson, M. B. Sinclair, V. S. Valencia, and P. A. Cahill, Appl. Phys. Lett. 66, 3618 (1995).
85. W. P. Anderson, W. D. Edwards, and M. C. Zerner, Inorg. Chem. 25, 2728 (1986).
86. W. P. Anderson, T. R. Cundari, R. S. Drago, and M. C. Zerner, Inorg. Chem. 29, 1 (1990).
87. M. Kotzian, N. Rosch, H. Schroeder, and M. C. Zerner, J. Am. Chem. Soc. 111, 7687 (1989).
88. S. A. Van Slyke, P. S. Brynn, and F. V. Levecchio, U.S. Patent No. 5,150,006 (1992).
89. C. W. Tang, C. H. Weidner, and D. L. Comfort, U.S. Patent No. 5,409,783 (1995).
90. I. D. Parker, J. Appl. Phys. 75, 1656 (1994).
91. Y. Gao, K. T. Park, and B. R. Hsieh, J. Appl. Phys. 73, 7894 (1993).
92. R. H. Fowler and L. Nordheim, Proc. R. Soc. London Ser. A 119, 173 (1928).