Observation of bistability in GaAs/AlAs superlattices

Applied Physics Letters

Volumn 70, Issue 21, 1997, Pages 2825-2827

  Zhang, Yaohui ^a,c   Klann, Robert ^a,d   Ploog, Klaus H ^a   Grahn, Holger T ^a,b  

^a PAUL DRUDE INSTITUT FÜR FESTKÖRPERELEKTRONIK   (Germany)

^b TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Japan)

^c NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

^d CompuNet GmbH ^*  (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0342878321     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.119014     Document Type: Article

References (15)

1. L. Esaki and L. L. Chang, Phys. Rev. Lett. 33, 495 (1974).
2. K. K. Choi, B. F. Levine, R. Malik, J. Walker, and C. G. Bethea, Phys. Rev. B 35, 4172 (1987).
3. H. T. Grahn, R. J. Haug, W. Müller, and K. Ploog, Phys. Rev. Lett. 67, 1618 (1991).
4. Y. Zhang, X. Yang, W. Liu, P. Zhang, and D. Jiang, Appl. Phys. Lett. 65. 1148 (1994).
5. S. H. Kwok, H. T. Grahn, M. Ramsteiner, K. Ploog, F. Prengel, A. Wacker, E. Schöll, A. Murugkar, and R. Merlin, Phys. Rev. B 51, 9943 (1995).
6. J. Kastrup, H. T. Grahn, K. Ploog, F. Prengel, A. Wacker, and E. Schöll, Appl. Phys. Lett. 65. 1808 (1994).
7. H. Grahn, J. Kastrup, K. Ploog, L. Bonilla, J. Galán, M. Kindelan, and M. Moscoso, Jpn. J. Appl. Phys. 1 34, 4526 (1995).
8. J. Kastrup, R. Klann, H. T. Grahn, K. Ploog, L. L. Bonilla, J. Galán, M. Kindelan, and M. Moscoso, Phys. Rev. B 52, 13761 (1995).
9. H. T. Grahn, J. Kastrup, R. Klann, K. H. Ploog, and H. Asai, Proceedings of the 23rd International Conference on the Physics of Semiconductors, edited by M. Scheffler and R. Zimmermann (World Scientific, Singapore, 1996), p. 1671.
10. J. Kastrup, R. Hey, K. H. Ploog, H. T. Grahn, L. L. Bonilla, M. Kindelan, M. Moscoso, A. Wacker, and J. Galán, Phys. Rev. B 55, 2476 (1997).
11. Y. Zhang, J. Kastrup, R. Klann, H. T. Grahn, and K. H. Ploog, Phys. Rev. Lett. 77, 3001 (1996).
12. Y. Zhang, R. Klann, H. T. Grahn, and K. H. Ploog, Superlattices Microstruct. 21, 565 (1997).
13. R. Döttling and E. Schöll, Phys. Rev. B 45, 1935 (1992).
14. Y. Zhang, R. Klann, K. H. Ploog, and H. T. Grahn, Appl. Phys. Lett. 69, 1116 (1996).
15. E. Schöll, G. Schwarz, M. Patra, F. Prengel, and A. Wacker, Proceedings of the 9th International Conference on Hot Carriers in Semiconductors, edited by K. Hess, J.-P. Leburton, and U. Ravaioli (Plenum, New York, 1996), p. 177.