Ordered InAs quantum dots in InAlAs matrix on (001) InP substrates grown by molecular beam epitaxy

Applied Physics Letters

Volumn 72, Issue 17, 1998, Pages 2123-2125

  Li, Hanxuan ^a   Wu, Ju ^a   Xu, Bo ^a   Liang, Jiben ^a   Wang, Zhanguo ^a  

^a INSTITUTE OF SEMICONDUCTORS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0342708280     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.121296     Document Type: Article

References (27)

1. F. Bogani, L. Carraresi, R. Mattolini, M. Colocci, A. Bosacchi, and S. Franchi, Solid-State Electron. 40, 363 (1996).
2. H. Yu, S. Lycett, C. Roberts, and R. Murray, Appl. Phys. Lett. 69, 4087 (1996).
3. S. P. Guo, H. Ohno, A. Shen, F. Matsukura, and Y. Ohno, Appl. Phys. Lett. 70, 2738 (1997).
4. F. Hatami, N. N. Ledenstov, M. Grundmann, J. Bohrer, and Z. I. Alferov, Appl. Phys. Lett. 67, 656 (1995).
5. A. Kurtenbach, K. Eberl, and T. Shitara, Appl. Phys. Lett. 66, 361 (1994).
6. T. Utzmeier, G. Armelles, P. A. Postigo, J. Tamayo, M. Doctor, R. Garcia, and F. Briones, J. Cryst. Growth 175/176, 725 (1997).
7. S. Fafard, R. Leon, D. Leonard, J. L. Merz, and P. M. Petroff, Phys. Rev. B 50, 8086 (1994).
8. S. P. Denbaars, C. M. Reaves, V. Bresslerlil, S. Varma, W. H. Weinberg, and P. M. Petroff, J. Cryst. Growth 145, 721 (1994).
9. M. Taskinnen, M. Sopanen, H. Lipsanen, J. Tulkki, T. Tuomi, and J. Ahopelto, Surf. Sci. 376, 60 (1997).
10. J. F. Carlin, R. Houdre, A. Rudra, and M. Ilegems, Appl. Phys. Lett. 59, 3108 (1991).
11. M. A. Corta, R. A. Hamm, T. W. Staley, S. N. G. Chu, L. R. Harriott, M. B. Panish, and H. Temkin, Phys. Rev. Lett. 70, 4106 (1993).
12. P. Krapf, Y. Robach, M. Gendry, and L. Porte, Phys. Rev. B 55, R10229 (1997).
13. G. E. Cirlin, G. M. Guryanov, A. O. Golubok, S. Ya. Tipissev, N. N. Ledentsov, and D. Bimberg, Appl. Phys. Lett. 67, 97 (1995).
14. V. Bressler-Hill, A. Lorke, S. Varma, P. M. Petroff, and W. H. Weiberg, Phys. Rev. B 50, 8479 (1994).
15. V. I. Marchenko, Sov. Phys. JETP 54, 605 (1981).
16. V. I. Marchenko, Sov. Phys. JETP Lett. 33, 381 (1981).
17. S. Ruvimov, P. Weiner, K. Scheerschmidt, U. Gosele, and Z. I. Alferov, Phys. Rev. B 51, 14766 (1995).
18. F. Heinrichsdorff, A. Krost, M. Grundmann, D. Bimberg, A. Kosogov, and P. Wener, Appl. Phys. Lett. 68, 3284 (1996).
19. D. J. Eaglesham and M. Cerullo, Phys. Rev. Lett. 64, 1943 (1990).
20. M. Grandmann, N. N. Ledenstov, R. Heitz, L. Eckley, and Z. I. Alferov, Phys. Status Solidi B 188, 249 (1995).
21. A. Madhukar, Q. Xie, P. Chen, and A. Kokar, Appl. Phys. Lett. 64, 2727 (1994).
22. B. G. Orr, D. Kessler, C. W. Snyder, and L. Sander, Europhys. Lett. 19, 33 (1992).
23. A. Ponchet, A. LeCorre, H. L. Haridon, B. Lambert, and S. Salaun, Appl. Phys. Lett. 67, 1850 (1995);
24. A. Ponchet, A. LeCorre, and R. Carles, Solid-State Electron. 40, 615 (1996).
25. N. Lebouche-Girard, A. Ridra, and E. Kapon, J. Cryst. Growth 175/176, 1210 (1997).
26. J. J. F. Carlin, H. Houdre, R. Rudra, and M. Ilegems, Appl. Phys. Lett. 59, 3108 (1991).
27. J. L. de Miguel, M.-H. Meynadier, M. C. Tamargo, R. E. Nahory, and D. M. Hwang, J. Vac. Sci. Technol. B 6, 617 (1988).