Super-Grain Poly-Si by Metal Induced Crystallization of Amorphous Silicon

Solid State Phenomena

Volumn 93, Issue , 2003, Pages 199-206

  Jang, Jin ^a  

^a Kyung Hee University   (South Korea)

Author keywords

Crystallization Temperature; Metal Density; Metal Induced Crystallization; Polycrystalline Silicon

Indexed keywords

CRYSTALLIZATION; GRAIN GROWTH; GRAIN SIZE AND SHAPE; POLYSILICON; THERMAL EFFECTS;

METAL INDUCED CRYSTALLIZATION;

AMORPHOUS SILICON;

EID: 0242664704     PISSN: 10120394     EISSN: None     Source Type: Book Series    
DOI: 10.4028/www.scientific.net/ssp.93.199     Document Type: Conference Paper

References (25)

1. M. S. Haque, H. A. Naseem and W. D. Brown, J. Appl. Phys., 79, 7529 (1996).
2. L. Hultman, A. Robertsson, H. T. G. Hentzell, I. Engstrom and P. A. Psaras, J. Appl. Phys., 62, 3647 (1987).
3. S. Y. Yoon, K. H. Kim, C. O. Kim, J. Y. Oh and J. Jang, J. Appl. Phys., 82, 5865 (1997).
4. T. Asano, K. Aoto and Y. Okada, Jpn. J. Appl. Phys., 36, 1415 (1997).
5. G. Radnoczi, A. Robertsson, H. T. G. Hentzell, S. F. Gong and M. -A. Kasan, J. Appl. Phys., 69, 6394 (1991).
6. Y. Masaki, T. Ogata, H. Ogawa and D. I. Jones, J. Appl. Phys., 76, 5225 (1994).
7. S. F. Gong, A. Robertsson, H. T. G. Hentzell and, X. -H. Li, J. Appl. Phys., 68, 4535 (1990).
8. C. Hayzelden and J. L. Batstone, J. Appl. Phys., 73, 8279 (1993).
9. J. L. Batstone, C. Hayzelden, Solid State Phenom., 37-38, 257 (1994).
10. J. R. Phillips, L. R. Zheng and J. W. Mayer, Appl. Phys. Lett., 51, 421 (1987).
11. S. W. Lee, Y. C. Jeon and S. K. Joo, Appl. Phys. Lett., 66, 1671 (1995).
12. E. G. Colgan, J. Mater. Res., 10, 1953 (1995).
13. J. H. Kim and J. Y. Lee, Jpn. J. Appl. Phys., 35, 2052 (1996).
14. S. R. Herd, P. Chaudhari and M. H. Brodsky, J. Non-Cryst. Solids 7, 309 (1972).
15. T. J. Konno and R. Sinclair, Mater. Sci. Eng. A 179, 426 (1994).
16. S. F. Gong, H. T. G. Hentzell and A. E. Robertsson, J. Appl. Phys., 64, 1457 (1988).
17. R. B. Iverson and R. Reif, J. Appl. Phys., 62, 1675 (1987).
18. A. Lietolie, A. Wakita, T. W. Sigmn, and J. F. Gibbons., J. Appl. Phys., 53, 4399 (1982)
19. R. Kingi, Y. Wang, S. J. Fonash, O. Awadeldarin, J. Mehlhaff, and H. Hovagimian, Mater. Res. Soc. Symp. Proc.. 424, 237 (1997).
20. F. Edelman, C. Cytermann, R. Brener, M. Eizenberg, Yu. L. Khait, R. Weil, and W. Beyer, J. Appl. Phys., 75, 7875 (1994).
21. Y. Kawazu, H. Kudo, S. Onari, and T. Arai, Jpn. J. Appl. Phys., 29. 2698 (1990).
22. K. N. Tu, G. Ottaviani, U. Gösele, and H. Föil, J. Appl. Phys., 54, 758 (1983).
23. R. C. Carmarata, C. V. Thompson, C. Hayzelden, and K. N. Tu, J. Matter. Res., 5, 2133 (1990).
24. A. Yu. Kuznetsov and B. G. Svensson, Appl. Phys. Lett., 66, 2229 (1995).
25. J. Jang, J. Y. Oh, S. K. Kim, Y. J. Choi, S. Y. Yoon, and C. O. Kim, Nature 395, 481 (1998)