Removal of end-of-range defects in Ge+-pre-amorphized Si by carbon ion implantation

Journal of Applied Physics

Volumn 85, Issue 6, 1999, Pages 3114-3119

  Chen, Peng Shiu ^a   Hsieh, T E ^a   Chu, Chih Hsun ^b  

^a NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b United Silicon Inc   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0142232209     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.369694     Document Type: Article

References (21)

1. M. C. Ozturk and J. J. Wortman, Appl. Phys. Lett. 52, 281 (1988).
2. A. J. Walker, P. H. Woeriee, H. G. Pomp, and N. E. B. Cowern, J. Appl. Phys. 73, 4048 (1993).
3. K. S. Jones, S. Prussin, and E. R. Weber, Appl. Phys. A: Solids Surf. 45, 1 (1988).
4. J. Thorton, K. C. Paus, R. P. Webb, I. H. Wilson, and G. R. Booker, J. Appl. Phys. 21, 334 (1988).
5. T. O. Sedgwick, A. E. Michel, V. R. Deline, S. A. Cohen, and J. B. Lasky, J. Appl. Phys. 63, 1452 (1988).
6. A. C. Ajmera, G. A. Rozgonyi, and R. B. Fair, Appl. Phys. Lett. 52, 813 (1988).
7. S. N. Hong, G. A. Rozgonzi, J. J. Wortman, and M. C. Ozturk, IEEE Trans. Electron Devices 38, 476 (1991).
8. S. M. Hu, Appl. Phys. Lett. 51, 308 (1987).
9. D. S. Wen, P. L. Smith, C. M. Osburn, and G. A. Rozgonzi, Appl. Phys. Lett. 51, 1182 (1987).
10. H. Wong, N. W. Cheung, K. M. Yu, P. K. Chu, and J. Liu, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 147, 97 (1989).
11. S. Nishikawa, A. Yanaka, and T. Yamaji, Appl. Phys. Lett. 60, 2270 (1992).
12. S. Isomae, T. Ishiba, T. Ando, and M. Tamura, J. Appl. Phys. 74, 3815 (1993).
13. P. A. Stolk, D. J. Eaglesham, H. J. Grossmann, and J. M. Poate, Appl. Phys. Lett. 66, 1370 (1995).
14. J. R. Liefting, J. S. Custer, and F. W. Saris, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 235, 179 (1992).
15. T. Sands, J. Washburn, R. Gronsky, W. Maszara, D. Sadana, and G. A. Rozgonyi, in 13th International Conference on Defect Semiconductors, edited by L. C. Kimerling and J. M. Parsev, Jr. (The Metallurgical Society of AIME, New York, 1984), p. 531.
16. A. Cacciato, J. G. E. Klappe, N. E. B. Cowern, W. Vandervost, L. P. Biró, J. S. Cluster, and F. W. Saris, J. Appl. Phys. 79, 2314 (1996).
17. J. P. Biersack and L. G. Haggmark, Nucl. Instrum. Methods 174, 257 (1980).
18. J. Narayan, D. Fathy, O. S. Oen, and O. W. Holland, J. Vac. Sci. Technol. A 2, 1303 (1984).
19. T. E. Seidel, D. M. Maher, and R. V. Knoell, in Ref. 15, p. 523.
20. J. S. Kang and D. K. Schroder, J. Appl. Phys. 65, 2974 (1989).
21. E. Myers, G. A. Rozgonyi, D. K. Sadana, W. Maszara, J. J. Wortman, and J. Narayan, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 52, 107 (1986).