Three-dimensionally nucleated growth of gallium nitride by low-pressure metalorganic vapour phase epitaxy

Journal of Crystal Growth

Volumn 258, Issue 3-4, 2003, Pages 232-250

  Schenk, H P D ^a,c   Vennegues P ^a   Tottereau, O ^a   Riemann, T ^b   Christen, J ^b  

^a CNRS   (France)

^b OTTO VON GUERICKE UNIVERSITY   (Germany)

^c INSTITUTE OF HIGH PRESSURE PHYSICS   (Poland)

Author keywords

A1. Atomic force microscopy; A1. Crystal structure; A1. Stresses; A3. Metalorganic chemical vapour deposition; A3. Selective epitaxy; B2. Semiconducting gallium compounds

Indexed keywords

CRYSTAL STRUCTURE; NUCLEATION; OPTOELECTRONIC DEVICES; SAPPHIRE; VAPOR PHASE EPITAXY;

NUCLEATED GROWTH;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 0141843594     PISSN: 00220248     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0022-0248(03)01519-7     Document Type: Article

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