Structural and morphological control of nanosized Cu islands on SiO 2 using a Ti underlayer

Journal of Applied Physics

Volumn 94, Issue 5, 2003, Pages 3492-3497

  Hu, Minghui ^a   Noda, Suguru ^a   Okubo, Tatsuya ^a   Yamaguchi, Yukio ^a   Komiyama, Hiroshi ^a  

^a UNIVERSITY OF TOKYO   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

COPPER; CRYSTAL ORIENTATION; SILICA; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; WETTING;

MORPHOLOGICAL CONTROL;

NANOSTRUCTURED MATERIALS;

EID: 0141831071     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1597972     Document Type: Article

References (23)

1. V. Musolino, A. Dal Corso, and A. Selloni, Phys. Rev. Lett. 83, 2761 (1999).
2. M. Hu, S. Noda, and H. Komiyama, Surf. Sci. 513, 530 (2002).
3. D. Fuks, S. Dorfman, Y. F. Zhukovskii, E. A. Kotomin, and A. M. Stoneham, Surf. Sci. 499, 24 (2002).
4. K. Kizuka and N. Tanaka, Phys. Rev. B 56, R10079 (1997).
5. S. Bajt, D. G. Steams, and P. A. Kearney, J. Appl. Phys. 90, 1017 (2001).
6. M. Jose-Yacaman, M. Marin-Almazo, and J. A. Ascencio, J. Mol. Catal. A: Chem. 173, 61 (2001).
7. M. Hu, S. Noda, and H. Komiyama, J. Appl. Phys. 93, 9336 (2003).
8. H. Shirakawa and H. Komiyama, J. Nanopart. Res. 1, 17 (1999).
9. V. Dureuil, C. Ricolleau, M. Gandais, C. Grigis, J. P. Lacharme, and A. Naudon, J. Cryst. Growth 233, 737 (2001).
10. M. Hu, S. Noda, Y. Tsuji, T. Okubo, Y. Yamaguchi, and H. Komiyama, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 589 (2002).
11. J. M. Zuo and B. Q. Li, Phys. Rev. Lett. 88, 2555021 (2002).
12. P. B. Abel, A. L. Korenyi-Both, F. S. Honecy, and S. V. Pepper, J. Mater. Res. 9, 617 (1994).
13. S. W. Russell, S. A. Rafalski, R. L. Spreitzer, J. Li, M. Moinpour, F. Moghadam, and T. L. Alford, Thin Solid Films 262, 154 (1995).
14. G. Dehm, C. Scheu, M. Ruble, and R. Raj, Acta Mater. 46, 759 (1998).
15. Y. K. Ko, J. H. Jang, S. Lee, H. J. Yang, L. W. H., P. J. Reueroft, and J. G. Lee, J. Mater. Sci. 38, 217 (2003).
16. T. Ohwaki, T. Yoshida, S. Hashimoto, H. Hosokawa, Y. Mitsushima, and Y. Taga, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L154 (1997).
17. D. N. Dunn, R. Hull, F. M. Ross, and R. M. Tromp, J. Appl. Phys. 89, 2635 (2001).
18. W. R. Tyson and W. A. Miller, Surf. Sci, 62, 267 (1977).
19. L. Z. Mezey and J. Giber, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 21, 1569 (1982).
20. S. H. Overbury, P. A. Bertrand, and G. A. Somorjai, Chem. Rev. (Washington, D.C.) 75, 547 (1975).
21. J.-P. Borel, Surf. Sci. 106, 1 (1981).
22. M. J. Yacaman, J. A. Ascencio, H. B. Liu, and J. Gardea-Torresdey, J. Vac. Sci. Teehnol. B 19, 1091 (2001).
23. C. S. Ryu, K. W. Kwon, A. L. S. Loke, H. B. Lee, T. Nogami, V. M. Dubin, R. A. Kavari, G. W. Ray, and S. S. Wong, IEEE Trans. Electron Devices 46, 1113 (1999).