Electrical characterization of SiO2/n-GaN metal-insulator-semiconductor diodes

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 21, Issue 4, 2003, Pages 1364-1368

  Nakano, Yoshitaka ^a,b   Jimbo, Takashi ^b  

^a Rd Management Section   (Japan)

^b NAGOYA INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CAPACITANCE; CHARGE CARRIERS; FERMI LEVEL; GALLIUM NITRIDE; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SEMICONDUCTOR LASERS; SILICA;

CAPACITANCE TRANSIENT TECHNIQUES;

METAL INSULATOR TRANSITION;

EID: 0141681291     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Conference Paper

References (23)

1. H. Morkoc, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov, and M. S. Burns, J. Appl. Phys. 76, 1363 (1994).
2. T. P. Chow and R. Tyagi, IEEE Trans. Electron Devices 41, 1481 (1994).
3. J. Han, A. G. Baca, R. J. Shul, C. G. Willison, L. Zhang, F. Ren, A. P. Zhang, G. T. Dang, S. M. Donovan, X. A. Cao, H. Cho, K. B. Jung, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and R. G. Wilson, Appl. Phys. Lett. 74, 2702 (1999).
4. M. Asif Khan, X. Hu, A. Tarakji, G. Simin, J. Yang, R. Gaska, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 77, 1339 (2000).
5. F. Ren, M. Hong, S. N. G. Chu, M. A. Marcus, M. J. Schurman, A. Baca, S. J. Pearton, and C. R. Abernathy, Appl. Phys. Lett. 73, 3893 (1998).
6. J. W. Johnson, B. Luo, F. Ren, B. P. Gila, W. Krishnamoorthy, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, J. I. Chyi, T. E. Nee, C. M. Lee, and C. C. Chuo, Appl. Phys. Lett. 77, 3230 (2000).
7. H. Hong, K. A. Anselm, J. Kwo, H. M. Ng, J. N. Baillargeon, A. R. Kortan, J. P. Mannaerts, A. Y. Cho, C. M. Lee, J. I. Chyi, and T. S. Lay, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1453 (2000).
8. H. Kim, S. Park, and H. Hwang, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 579 (2001).
9. H. Kawai, M. Hara, F. Nakamura, and S. Imanaga, Electron. Lett. 34, 592 (1998).
10. H. C. Casey, Jr, G. G. Fountain, R. G. Alley, B. P. Keller, and S. P. Denbaars, Appl. Phys. Lett. 68, 1850 (1996).
11. P. Chen, W. Wang, S. J. Chua, and Y. D. Zheng, Appl. Phys. Lett. 79, 3530 (2001).
12. S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa, T. Jimbo, and M. Umeno, Appl. Phys. Lett. 73, 809 (1998).
13. W. P. Li, R. Zhang, Y. G. Zhou, J. Yin, H. M. Bu, Z. Y. Luo, B. Shen, Y. Shi, R. L. Jiang, S. L. Gu, Z. G. Liu, Y. D. Zheng, and Z. C. Huang, Appl. Phys. Lett. 75, 2416 (1999).
14. L. W. Tu, P. H. Tsao, K. H. Lee, I. Lo, S. J. Bai, C. C. Wu, K. Y. Hsieh, and J. K. Sheu, Appl. Phys. Lett. 79, 4589 (2001).
15. T. Rotter, D. Mistele, J. Stemmer, F. Fedler, J. Aderhold, J. Graul, V. Schwegler, C. Kirchner, M. Kamp, and M. Heuken, Appl. Phys. Lett. 76, 3923 (2000).
16. J. Kim, R. Mehandru, B. Luo, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and Y. Irokawa, Appl. Phys. Lett. 80, 4555 (2002).
17. J. Kim, R. Mehandru, B. Luo, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and Y. Irokawa, Appl. Phys. Lett. 81, 372 (2002).
18. Y. Nakano and T. Jimbo, Appl. Phys. Lett. 82, 218 (2003).
19. Y. Nakano, T. Kachi, and T. Jimbo, Appl. Phys. Lett. 82, 2443 (2003).
20. T. Yoshimura, N. Fujimura, D. Ito, and T. Ito, J. Appl. Phys. 87, 3444 (2000).
21. L. G. Meiners, Appl. Phys. Lett. 33, 747 (1978).
22. Y. Mochizuki and M. Mizuta, Appl. Phys. Lett. 69, 3051 (1996).
23. Y. Nakano and T. Jimbo, Appl. Phys. Lett. 80, 4756 (2002).