Atomic scale roughness of GaAs(002)2×4 surfaces

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 14, Issue 2, 1996, Pages 623-631

  Fan, Y ^b   Karpov, I ^b   Bratina, G ^b   Sorba, L ^a   Gladfelter, W ^b   Franciosi, A ^b  

^a CNR   (Italy)

^b NONE

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0042356768     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (36)

1. D. J. Chadi, J. Vac. Sci. Technol. A 5, 834 (1987).
2. J. E. Northrup and S. Froyen, Phys. Rev. Lett. 71, 2276 (1993).
3. I. M. Vitomirov, A. D. Raisanen, A. C. Finnefrock, R. E. Viturro, L. J. Brillson, P. D. Kirchner, G. D. Pettit, and J. M. Woodall, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1898 (1992).
4. R. Duszak, C. J. Palmstrøm, L. T. Florez, Y.-N. Yang, and J. H. Weaver, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1891 (1992).
5. W. Chen, M. Dumas, D. Mao, and A. Kahn, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1886 (1992).
6. E. J. Heller, Z. Y. Zhang, and M. G. Lagally, Phys. Rev. Lett. 71, 743 (1993).
7. M. D. Pashley, K. W. Haberern, and W. Friday, Phys. Rev. Lett. 60, 2176 (1988).
8. D. K. Biegelsen, R. D. Bringans, J. E. Northrup, and L.-E. Swartz, Phys. Rev. B 41, 5701 (1990).
9. V. Bressler-Hill, M. Wassermeier, K. Pond, R. Maboundian, G. A. D. Briggs, P. M. Petroff, and W. H. Weinberg, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1881 (1992).
10. M. C. Gallagher, R. H. Prince, and R. F. Willis, Surf. Sci. 275, 31 (1992).
11. M. D. Pashley and K. W. Haberern, in Semiconductor Interface at the Sub-Nanometer Scale, edited by H. W. M. Salemink and M. D. Pashley (Kluwer Academic, Dordrecht, 1993), p. 63.
12. T. Hashizume, Q. K. Xue, J. Zhou, A. Ichimiya, and T. Sakurai, Phys. Rev. Lett. 73, 2208 (1994).
13. S. P. Kowalczyk, D. L. Miller, J. R. Waldrop, P. G. Newman, and R. W. Grant, J. Vac. Sci. Technol. 19, 255 (1981).
14. R. W. Bernstein, A. Borg, H. Husby, B.-O. Fimland, and J. K. Grepstad, Appl. Surf. Sci. 56-58, 74 (1992).
15. H. Yamaguchi and Y. Horikoshi, Jpn. J. Appl. Phys. 33, 716 (1994)
16. E. D. Williams, Surf. Sci. 299/300, 502 (1994).
17. E. Chason, C. M. Falco, A. Ourmazd, E. F. Schubert, J. M. Slaughter, and R. S. Williams, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 280, 203 (1993).
18. B. G. Orr, M. D. Johnson, C. Orme, J. Sudijono, and A. W. Hunt, Proc. SPIE 2140, 2 (1994).
19. Y.-N. Yang, Y. S. Lou, J. H. Weaver, L. T. Florez, and C. J. Palmstrøm, Appl. Phys. Lett. 61, 1930 (1992).
20. R. M. Feenstra, D. A. Collins, D. Z.-Y. Ting, M. W. Wang, and T. C. McGill, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 2592 (1994); S. M. Goodnick, R. G. Gann, J. R. Sites, D. K. Ferry, C. W. Wilmsen, D. Fathy, and O. L. Krivanek, ibid. 1, 803 (1983).
21. R. M. Feenstra, D. A. Collins, D. Z.-Y. Ting, M. W. Wang, and T. C. McGill, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 2592 (1994); S. M. Goodnick, R. G. Gann, J. R. Sites, D. K. Ferry, C. W. Wilmsen, D. Fathy, and O. L. Krivanek, ibid. 1, 803 (1983).
22. M. Offenberg, M. Liehr, and G. W. Rubloff, J. Vac. Sci. Technol. A 9, 1058 (1991).
23. T. Ohmi, M. Miyashita, M. Ithano, T. Imaoka, and I. Kawanabe, IEEE Trans. Electron Dev. 39, 537 (1992).
24. L. Sorba, G. Bratina, A. Antonini, A. Franciosi, L. Tapfer, A. Migliori, and P. Merli, Phys. Rev. B 46, 6834 (1992); A. Franciosi, L. Sorba, G. Bratina, and G. Biasiol, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 1628 (1993).
25. L. Sorba, G. Bratina, A. Antonini, A. Franciosi, L. Tapfer, A. Migliori, and P. Merli, Phys. Rev. B 46, 6834 (1992); A. Franciosi, L. Sorba, G. Bratina, and G. Biasiol, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 1628 (1993).
26. NanoScope III, Digital Instruments, Santa Barbara, CA.
27. G. Bratina, G. Biasiol, L. Vanzetti, L. Sorba, and A. Franciosi, Proc. SPIE 2346, 180 (1994); G. Bratina, L. Vanzetti, L. Sorba, and A. Franciosi, Phys. Rev. B 52, R8625 (1995).
28. G. Bratina, G. Biasiol, L. Vanzetti, L. Sorba, and A. Franciosi, Proc. SPIE 2346, 180 (1994); G. Bratina, L. Vanzetti, L. Sorba, and A. Franciosi, Phys. Rev. B 52, R8625 (1995).
29. PHI 301 NanoScope STM, Physical Electronics, Eden Prairie, MN.
30. H. H. Farrell and C. J. Palmstrøm, J. Vac. Sci. Technol. B 8, 903 (1990).
31. M. D. Pashley, K. W. Haberern, and J. M. Gaines, J. Vac. Sci. Technol. B 9, 936 (1991).
32. C. Orme, M. D. Johnson, J. Sudijono, K. T. Leung, and B. G. Orr, Appl Phys. Lett. 64, 860 (1994).
33. Y. H. Xie, G. H. Gilmer, C. Roland, P. J. Silverman, S. K. Buratto, J. Y. Cheng, E. A. Fitzgerald, A. R. Kortan, S. Schuppler, M. A. Marcus, and P. H. Citrin, Phys. Rev. Lett. 73, 3006 (1994).
34. M. A. Cotta, R. A. Hamm, T. W. Staley, S. N. G. Chu, L. R. Harriott and M. B. Panish, Phys. Rev. Lett. 70, 4106 (1993).
35. Y. S. Fatt, J. Appl. Phys. 71, 158 (1992).
36. R. L. Schwoebel and E. J. Shipsey, J. Appl. Phys. 37, 3682 (1966).