Influence of sulfur interlayers on the Mg/GaAs(100) interface formation

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 16, Issue 4, 1998, Pages 2317-2323

  Hohenecker, St ^a   Kampen, T U ^a   Zahn, D R T ^a   Braun, W ^b  

^a CHEMNITZ UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Germany)

^b HAHN MEITNER INSTITUT   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0041924361     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.590168     Document Type: Article

References (24)

1. J. Shin, K. M. Geib, C. W. Wilmsen, and Z. Lilliental-Weber, J. Vac. Sci. Technol. A 8, 1894 (1990).
2. H. Sugahara, M. Oshima, H. Oigawa, H. Shigekawa, and Y. Nannichi, J. Appl. Phys. 69, 4349 (1991).
3. Z. S. Li, W. Z. Cai, R. Z. Su, G. S. Dong, D. M. Huang, X. M. Ding, X. Y. Hou, and X. Wang, Appl. Phys. Lett. 64, 3425 (1994).
4. X. Wang, X.-Y. Hou, Z.-S. Li, and X.-Y. Chen, Surf. Interface Anal. 24, 564 (1996).
5. V. N. Bessolov, A. F. Ivankov, and M. V. Lebedev. J. Vac. Sci. Technol. B 13, 1018 (1995).
6. V. N. Bessolov, E. V. Konenkova, and M. V. Lebedev, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 1 (1996).
7. P. Moriarty, B. Murphy, L. Roberts, A. A. Cafolla, G. Hughes, L. Koenders, and P. Bailey, Phys. Rev. B 50, 14237 (1994).
8. J. R. Waldrop, J. Vac. Sci. Technol. B 3, 1197 (1985).
9. G. W. Anderson, M. C. Hanf, P. R. Norton, M. Kowalewski, K. Myrtle, and B. Heinrich, J. Appl. Phys. 79, 4954 (1996).
10. R. Berrigan, Y. Watanabe, T. Scimeca, and M. Oshima, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 31, 3223 (1992).
11. M. Oshima, T. Scimeca, M. Sugiyama, S. Maeyama, H. Oigama, N. Nannichi, and H. Hashizume, Appl. Surf. Sci. 70/71, 496 (1993).
12. M. Larive, G. Jezequel, J. P. Landesman, F. Solal, J. Nagle, B. Lépine, A. Taleb-Ibrahimi, G. Indlekofer, and X. Marcadet, Surf. Sci. 304, 298 (1994).
13. J. H. Neave, P. K. Larsen, J. F. van der Veen, P. J. Dobson, and B. A. Joyce, Surf. Sci. 133, 267 (1983).
14. I. M. Vitomirov, A. D. Raisanen, A. C. Finnefrock, R. E. Viturro, L. J. Brillson, P. D. Kirchner, G. D. Pettit, and J. M. Woodall, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1898 (1992).
15. G. LeLay, D. Mao, A. Kahn, Y. Hwu, and G. Margaritondo, Phys. Rev. B 43, 14301 (1991).
16. J. F. van der Veen, P. K. Larsen, J. H. Neave, and B. A. Joyce, Solid State Commun. 49, 659 (1984).
17. P. K. Larsen, J. H. Neave, J. F. van der Veen, P. J. Dobson, and B. A. Joyce, Phys. Rev. B 27, 4966 (1983).
18. D. E. Eastman, T.-C. Chiang, P. Heimann, and F. J. Himpsel, Phys. Rev. Lett. 45, 656 (1980).
19. St. Hohenecker, D. Drews, M. Lübbe, D. R. T. Zahn, and W. Braun, Appl. Surf. Sci. 123/124, 120 (1998).
20. M. D. Pashley and D. Li, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 1848 (1994).
21. St. Hohenecker, T. Werninghaus, D. R. T. Zahn, and W. Braun, J. Electron Spectrosc. (accepted).
22. E. A. Kraut, R. W. Grant, J. R. Waldrop, and P. Kowalczyk, Phys. Rev. Lett. 44, 1620 (1980).
23. J. R. Waldrop, J. Vac. Sci. Technol. B 2, 445 (1984).
24. L. Geelhaar, R. A. Bartynski, F. Ren, M. Schnoes, and D. N. Buckley, J. Appl. Phys. 80, 3076 (1996).