Formation of NiSi-Silicided p+n Shallow Junctions Using Implant-Through-Silicide and Low-Temperature Furnace Annealing

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 150, Issue 9, 2003, Pages

  Wang, Chao Chun ^a   Lin, Chiao Ju ^a   Chen, Mao Chieh ^a  

^a NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACTIVATION ENERGY; AGGLOMERATION; ANNEALING; ION IMPLANTATION; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY; SEMICONDUCTING FILMS; SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS; THERMODYNAMIC STABILITY; ULSI CIRCUITS;

REVERSE CURRENT;

SEMICONDUCTOR JUNCTIONS;

EID: 0041779946     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1599851     Document Type: Article

References (40)

1. V. Probst, H. Schaber, A. Mitwalsky, H. Kabza, L. Van den hove, and K. Maex, J. Appl. Phys., 70, 708 (1991).
2. B. Y. Tsui, J. Y. Tsai, and M. C. Chen, J. Appl. Phys., 69, 4352 (1991).
3. B. S. Chen and M. C. Chen, J. Appl. Phys., 72, 4619 (1992).
4. B. S. Chen and M. C. Chen, IEEE Trans. Electron Devices, ED-43, 258 (1996).
5. C. T. Lin, K. P. Ma, P. F. Chou, and H. C. Cheng, J. Electrochem. Soc., 142, 1579 (1995).
6. F. La Via and E. Rimini, IEEE Trans. Electron Devices, ED-44, 526 (1997).
7. J. S. Park, D. K. Sohn, J. U. Bae, C. H. Han, and J. W. Park, IEEE Trans. Electron Devices, ED-47, 994 (2000).
8. V. Probst, H. Schaber, P. Lippens, L. Van den Hove, and R. F. Keersmacker, J. Appl. Phys., 52, 1803 (1988).
9. K. Maex, R. F. De Keersmaecker, G. Ghosh, L. D. Delaey, and V. Probst, J. Appl. Phys., 66, 5327 (1989).
10. H. Jeon, C. A. Sukow, J. W. Honeycutt, G. A. Rozgonyi, and R. J. Nemanich, J. Appl. Phys., 71, 4269 (1992).
11. S. Motakef, J. M. E. Harper, F. M. d'Heurle, T. A. Gallo, and N. Herbots, J. Appl. Phys., 70, 2660 (1991).
12. J. B. Lasky, J. S. Nakos, O. J. Cain, and P. J. Geiss, IEEE Trans. Electron Devices, ED-38, 262 (1991).
13. Y. Matsubara, T. Horiuchi, and K. Okumura, Appl. Phys. Lett., 62, 2634 (1993).
14. P. S. Lee, K. L. Pey, D. Mangelinck, J. Ding, D. Z. Chi, and L. Chan, IEEE Electron Device Lett., EDL-22, 568 (2001).
15. F. Deng, R. A. Johnson, P. M. Asbeck, S. S. Lau, W. B. Dubbelday, T. Hsiao, and J. Woo, J. Appl. Phys., 81, 8047 (1997).
16. J. P. Gambion and E. G. Colgan, Mater. Chem. Phys., 52, 99 (1998).
17. J. K. Kittl, Q. Z. Hong, H. Yang, N. Yu, S. B. Samavedam, and M. A. Gribelyuk, Thin Solid Films, 332, 404 (1998).
18. Q. Z. Hong, W. T. Shiau, H. Yang, J. A. Kittl, C. P. Chao, H. L. Tsai, S. Krishnan, I. C. Chen, and R. H. Havemann, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet., 1997, 107.
19. K. Maex, A. Lauwers, P. Besser, E. Kondoh, M. de Potter, and A. Steegen, IEEE Trans. Electron Devices, ED-46, 1545 (1999).
20. A. Lauwers, P. Besser, M. De Potter, E. Kondoh, N. Roelandts, A. Steegen, M. Stucchi, and K. Maex, IEEE International Interconnect Technology Conference (IITC), p. 99 (1998).
21. T. Morimoto, H. S. Momose, T. Iinuma, I. Kunishima, K. Suguro, H. Okana, I. Katakabe, H. Nakajima, M. Tsuchiaki, M. Ono, Y. Katsumata, and H. Iwai, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet., 1991, 653.
22. T. Ohguro, S. Nakamura, M. Koike, T. Morimoto, A. Nishiyama, Y. Ushiku, T. Yoshitomi, M. Ono, M. Saito, and H. Iwai, IEEE Trans. Electron Devices, ED-41, 2305 (1994).
23. T. Ohguro, S. Nakamura, E. Morifuji, M. Ono, T. Yoshitomi, M. Saito, H. S. Momose, and H. Iwai, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. 1995, 453.
24. T. Morimoto, T. Ohguro, S. Momose, T. Iinuma, I. Kunishima, K. Suguro, I. Katakabe, H. Nakajima, M. Tsuchiaki, M. Ono, Y. Katsumata, and H. Iwai, IEEE Trans. Electron Devices, ED-42, 915 (1995).
25. D. X. Xu, S. R. Das, C. J. Peters, and L. E. Erickson, Thin Solid. Films, 326, 143 (1998).
26. M. C. Poon, F. Deng, M. Chan, W. Y. Chan, and S. S. Lau, Appl. Surf. Sci., 157, 29 (2000).
27. A. Lauwers, A. Steegen, M. de Potter, R. Lindsay, A. Satta, H. Bender, and K. Maex, J. Vac. Sci. Technol. B, B19, 2026 (2001).
28. S. P. Murarka, Silicides for VLSI Applications, Academic Press, New York (1983).
29. Y. Tsuchiya, A. Tobioka, O. Nakatsuka, H. Ikeda, A. Sakai, S. Zaima, and Y. Yasuda, Jpn. J. Appl. Phys., Part I, 41, 2450 (2002).
30. Q. Xiang, C. Woo, E. Paton, J. Foster, B. Yu, and M. R. Lin, Symposium on VLSI Technology Digest, p. 76 (2000).
31. R. Chau, J. Kavalieros, B. Roberds, R. Schenker, D. Lionberger, D. Barkage, B. Doyle, R. Arghavani, A. Murtht, and G. Deewy, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet., 2000, 45.
32. P. S. Lee, K. L. Pey, D. Mangelinck, J. Ding, A. T. S. Weé, and L. Chan, IEEE Electron Device Lett., EDL-21, 566 (2000).
33. R. Mukai, S. Ozawa, and H. Yagi, Thin Solid Film, 270, 567 (1995).
34. M. Y. Tsai and B. G. Streetman, J. Appl. Phys., 50, 183 (1979).
35. S. S. Lau and N. W. Cheung, Thin Solid Films, 71, 117 (1980).
36. B. Y. Tsui, J. Y. Tsai, T. S. Wu, and M. C. Chen, IEEE Trans. Electron Devices, ED-40, 54 (1993).
37. T. P. Nolan, R. Sinclar, and R. Beyers, J. Appl. Phys., 71, 720 (1992).
38. A. A. Brown, P. B. Moynagh, and P. J. Rosser, Semiconductor Silicon, 13, 280 (1989).
39. B. A. Julies, D. Knoesen, R. Pretorius, and D. Adams, Thin Solid Films, 347, 201 (1999).
40. K. Goto, J. Watanabe, A. Fushida, T. Sakuma, and T. Sugii, IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), p. 363 (1998).