Formation of InAs quantum dots in a GaAs matrix during growth on misoriented substrates

Semiconductors

Volumn 32, Issue 1, 1998, Pages 84-89

  Tsatsul'nikov, A F ^a   Volovik, B V ^a   Ledentsov, N N ^a   Maksimov, M V ^a   Egorov, A Yu ^a   Zhukov, A E ^a   Kovsh, A R ^a   Ustinov, V M ^a   Chen, Chao ^a   Kop'ev, P S ^a   Alferov Zh I ^a   Petrov, V N ^b   Tsirlin, G E ^b   Bimberg, D ^c  

^a IOFFE INSTITUTE   (Russian Federation)

^b INSTITUTE FOR ANALYTICAL INSTRUMENTATION   (Russian Federation)

^c TECHNISCHE UNIVERSITÄT BERLIN   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0041192973     PISSN: 10637826     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1134/1.1187363     Document Type: Article

References (22)

1. L. Goldstein, F. Glass, J. Y. Marzin, M. N. Charasse, and G. Le Roux, Appl. Phys. Lett. 47, 1099 (1985).
2. P. M. Petroff and S. P. Den Baars, Superlattices Microstruct. 15, 15 (1994).
3. M. Moison, F. Houzay, F. Barthe, L. Leprince, E. Andre, and O. Vatel, Appl. Phys. Lett. 64, 196 (1994).
4. Zh. I. Alferov, N. A. Bert, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, A. O. Kosogov, T. L. Krestnikov, N. N. Ledentsov, A. V. Lunev, M. V. Maksimov, A. V. Sakharov, V. M. Ustinov, A. F. Tsatsul'nikov, Yu. M. Shemyakov, and D. Bimberg, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 30, 351 (1996) [Semiconductors 30, 194 (1996)].
5. Zh. I. Alferov, N. A. Bert, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, A. O. Kosogov, T. L. Krestnikov, N. N. Ledentsov, A. V. Lunev, M. V. Maksimov, A. V. Sakharov, V. M. Ustinov, A. F. Tsatsul'nikov, Yu. M. Shemyakov, and D. Bimberg, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 30, 351 (1996) [Semiconductors 30, 194 (1996)].
6. Zh. I. Alferov, N. Yu. Gordeev, S. V. Zaǐtsev, P. S. Kop'ev, I. V. Kochnev, V. V. Komin, I. L. Krestnikov, N. N. Ledentsov, A. V. Lunev, M. V. Maksimov, S. S. Ruvimov, A. V. Sakharov, A. F. Tsatsul'nikov, Yu. M. Shemyakov, and D. Bimberg, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 30, 357 (1996) [Semiconductors 30, 197 (1996)].
7. Zh. I. Alferov, N. Yu. Gordeev, S. V. Zaǐtsev, P. S. Kop'ev, I. V. Kochnev, V. V. Komin, I. L. Krestnikov, N. N. Ledentsov, A. V. Lunev, M. V. Maksimov, S. S. Ruvimov, A. V. Sakharov, A. F. Tsatsul'nikov, Yu. M. Shemyakov, and D. Bimberg, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 30, 357 (1996) [Semiconductors 30, 197 (1996)].
8. Yu. M. Shemyakov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, S. V. Zaǐtsev, A. R. Kovsh, I. L. Krestnikov, A. V. Lunev, N. N. Ledentsov, M. V. Maksimov, A. V. Sakharov, V. M. Ustinov, Chao Chen, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, and D. Bimberg, Pis'ma Zh. Tekh. Fiz. 23(4), 51 (1997) [Tech. Phys. Lett. 23, 149 (1997)].
9. Yu. M. Shemyakov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, S. V. Zaǐtsev, A. R. Kovsh, I. L. Krestnikov, A. V. Lunev, N. N. Ledentsov, M. V. Maksimov, A. V. Sakharov, V. M. Ustinov, Chao Chen, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, and D. Bimberg, Pis'ma Zh. Tekh. Fiz. 23(4), 51 (1997) [Tech. Phys. Lett. 23, 149 (1997)].
10. N. N. Ledentsov, M. Grundmann, N. Kirstaedter, O. Schmidt, R. Heitz, J. Bohrer, D. Bimberg, V. M. Ustinov, V. A. Shchukin, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, S. Zaitsev, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, S. S. Ruvimov, P. Werner, and U. Gosele, in Modulated Semiconductor Structures (MSS-7), invited paper.
11. Q. Xie, A. Madhukar, P. Chen, and N. Kobayashi, Phys. Rev. Lett. 75, 2542 (1995).
12. A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, M. V. Maksimov, V. M. Ustinov, a. f. tsatsul'nikov, N. A. Bert, A. O. Kosogov, D. Bimberg, and Zh. I. Alferov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 30, 1682 (1996) [Semiconductors 30, 879 (1996)].
13. A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, M. V. Maksimov, V. M. Ustinov, a. f. tsatsul'nikov, N. A. Bert, A. O. Kosogov, D. Bimberg, and Zh. I. Alferov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 30, 1682 (1996) [Semiconductors 30, 879 (1996)].
14. A. Sasaki, Thin Solid Films 267, 24 (1995).
15. G. É. Tsyrlin, A. O. Golubok, S. Ya. Tipisev, N. N. Ledentsov, and G. M. Gur'yanov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 29, 1697 (1995) [Semiconductors 29, 884 (1995)].
16. G. É. Tsyrlin, A. O. Golubok, S. Ya. Tipisev, N. N. Ledentsov, and G. M. Gur'yanov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 29, 1697 (1995) [Semiconductors 29, 884 (1995)].
17. G. E. Cirlin, V. N. Petrov, N. K. Polykov, V. N. Demidov, N. P. Korneeva, A. O. Golubok, S. Ya. Tipissev, V. G. Dubrovskii, G. M. Guryanov, M. V. Maximov, N. N. Ledentsov, and D. Bimberg, in Proceedings of the International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology," St. Petersburg, Russia (1996), p. 375.
18. G. E. Cirlin, G. M. Guryanov, A. O. Golubok, S. Ya. Tipissev, N. N. Ledentsov, P. S. Kop'ev, M. Grundmann, and D. Bimberg, Appl. Phys. Lett. 67, 97 (1995).
19. V. V. Gubanov, G. M. Gur'yanov, N. N. Ledentsov, V. N. Petrov, Yu. B. Samsonenko, and G. É. Tsyrlin, Pis'ma Zh. Tekh. Fiz. 19(21), 73 (1993) [Tech. Phys. Lett. 19, 695 (1993)].
20. V. V. Gubanov, G. M. Gur'yanov, N. N. Ledentsov, V. N. Petrov, Yu. B. Samsonenko, and G. É. Tsyrlin, Pis'ma Zh. Tekh. Fiz. 19(21), 73 (1993) [Tech. Phys. Lett. 19, 695 (1993)].
21. G. M. Gur'yanov, V. N. Demidov, N. P. Korneeva, V. N. Petrov, Yu. B. Samsonenko, and G. É. Tsyrlin, Zh. Tekh. Fiz. 67(8) , 111 (1997) [Tech. Phys. 42, 956 (1997)].
22. G. M. Gur'yanov, V. N. Demidov, N. P. Korneeva, V. N. Petrov, Yu. B. Samsonenko, and G. É. Tsyrlin, Zh. Tekh. Fiz. 67(8) , 111 (1997) [Tech. Phys. 42, 956 (1997)].