Deposition of diamond films on SiO2 surfaces using a high power microwave enhanced chemical vapor deposition process

Journal of Applied Physics

Volumn 81, Issue 1, 1997, Pages 486-491

  Lee, Jau Sung ^a   Liu, Kuo Shung ^a   Lin, I Nan ^a  

^a NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0040941183     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.364104     Document Type: Article

References (29)

1. J. E. Field, The Properties of Diamonds (Academic, London, 1979).
2. K. V. Ravi, Mater. Sci. Eng. B 19, 203 (1993).
3. G. Popovici and M. A. Prelas, Phys. Status Solidi A 132, 233 (1992).
4. M. Iida, Y. Matsumac, T. Kursou, and Y. Akiba, Diam. Films Technol. 1, 139 (1992).
5. A. J. Gatesman, R. H. Giles, and J. Waldman, Diam. Opt. III 1325, 170 (1990).
6. D. C. Harris, Naval Res. Rev. 3, 3 (1992).
7. W. Zhu, X. H. Wang, B. R. Stoner, H. S. Kong, M. W. H. Braun, and J. T. Glass, Diam. Relat. Mater. 2, 590 (1993).
8. L. Fayette, M. Mermoux, and B. Marcus, Diam. Relat. Mater. 3, 480 (1994).
9. W. Kulisch, B. Sobisch, M. Kuhr, and R. Beckmann, Diam. Relat. Mater. 4, 401 (1995).
10. J. Gerber, M. Weiler, O. Sohr, K. Jung, and H. Ehrhardt, Diam. Relat. Mater. 3, 506 (1994).
11. Y. Liou, A. Inspektor, R. Weimer, and R. Messier, Appl. Phys. Lett. 55, 631 (1989).
12. D. J. Pickrell, W. Zhu, A. R. Badzian, R. E. Newnham, and R. Messier, J. Mater. Res. 6, 1264 (1991).
13. J. Patscheider and B. Oral, Thin Solid Films 253, 114 (1994).
14. J. Rankin, R. E. Boekenhauer, R. Csencsits, Y. Shigesato, M. W. Jacobson, and B. W. Sheldon, J. Mater. Res. 9, 2164 (1994).
15. A. Hoffman, R. Brener, A. Laikhtman, Y. Avigal, and P. J. Evans, Diam. Relat. Mater. 4, 765 (1995).
16. G. S. Yang and M. Aslam, Appl. Phys. Lett. 66, 311 (1995).
17. M. Y. Mao, X. F. Jin, T. P. Wang, J. F. Xie, S. S. Tan, W. Y. Wang, X. K. Zhang, and Z. C. Zhuang, Appl. Phys. Lett. 66, 16 (1995).
18. S. D. Wolter, B. R. Stoner, and J. T. Glass, Appl. Phys. Lett. 62, 1215 (1993).
19. X. Jiang, C.-P. Klages, R. Zachai, M. Hartweg, and H. J. Fusser, Appl. Phys. Lett. 62, 3438 (1993).
20. J. S. Lee, K. S. Liu, and I-Nan Lin, Appl. Phys. Lett. 67, 1555 (1995).
21. H. Saitoh, H. Mima, T. Ishiguro, and Y. Ichinose, Diam. Relat. Mater. 3, 452 (1994).
22. R. Beckmann, B. Sobisch, and W. Kulisch, Diam. Relat. Mater. 3, 555 (1994).
23. P. Deák, A. Gali, G. Sczigel, and H. Ehrhardt, Diam. Relat. Mater. 4, 706 (1995).
24. J. Robertson, Diam. Relat. Mater. 4, 549 (1995).
25. J. Narayan and X. Chen, J. Appl. Phys. 71, 3795 (1992).
26. X. Jiang, E. Boettger, M. Paul, and C.-P. Klages, Appl. Phys. Lett. 65, 1519 (1994).
27. S. Yugo, K. Semoto, K. Hoshina, T. Kimura, and H. Nakai, Diam. Relat. Mater. 4, 903 (1995).
28. B. Marcus, L. Fayette, M. Mermoux, L. Abello, and G. Lucazeau, J. Appl. Phys. 76, 3463 (1994).
29. L. Fayette, B. Marcuo, M. Mermoux, N. Rosman, L. Abello, and G. Lucazeau, J. Appl. Phys. 76, 1604 (1994).