Effect of deposition temperature on the structural and electrical properties of laser-crystallized hydrogenated amorphous silicon films

Journal of Applied Physics

Volumn 79, Issue 3, 1996, Pages 1569-1577

  Sridhar, Nagarajan ^a,c   Chung, D D L ^a,c   Anderson, W A ^a,c   Coleman, J ^b  

^a UNIVERSITY AT BUFFALO   (United States)

^b Plasma Physics Corporation   (United States)

^c Dept of Mech and Aerosp Eng ^*

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0040569161     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.361000     Document Type: Article

References (46)

1. T. L. Chu, J. Cryst. Growth 39, 45 (1977).
2. M. K. Hatalis and D. W. Greve, IEEE Electron Device Lett. EDL-8, 361 (1987).
3. S. D. Malhi, H. Shichijo, S. K. Banerjee, R. Sundaresan, M. Elahy, G. Pollack, W. Richardson, A. H. Shah, L. R. Hite, R. H. Womack, P. K. Chatterjee, and H. W. Lam, IEEE Trans. Electron Devices ED-32, 258 (1985).
4. D. A. Buchanan, J. Batey, and E. Tierney, IEEE Electron Device Lett. EDL-9, 576 (1988).
5. D. L. Staebler and C. R. Wronski, Appl. Phys. Lett. 39, 292 (1977).
6. M. J. Powell and D. H. Nicholls, IEE Proc. 130(1), 2 (1983).
7. R. Reif and J. E. Knott, Electron Lett. 17, 586 (1981).
8. S. Morozumi, K. Oguchi, T. Misawa, R. Araki, and H. Ohshima, in SID 84 Digest, 1984, p. 316.
9. C. H. Seager and D. S. Ginley, Appl. Phys. Lett. 34, 337 (1979).
10. A. Mimura, N. Konishi, K. Ono, J. Ohwada, Y. Hosokawa, Y. Ono, T. Suzuki, K. Miyata, and H. Kawakami, IEEE Trans. Electron Devices ED-36, 351 (1989).
11. T. I. Kamins, M. M. Mandurah, and K. C. Saraswat, J. Electrochem. Soc. 125, 927 (1978).
12. T. I. Kamins and K. L. Chiang, J. Electrochem. Soc. 129, 2326 (1982).
13. N. Nagasima and N. Kubota, Jpn. J. Appi. Phys. 14, 1105 (1975).
14. C. V. Thompson and H. I. Smith, Appl. Phys. Lett. 44, 603 (1984).
15. Y. Wada and S. Nishimatsu, J. Electrochem. Soc. 125, 1499 (1978).
16. P. Kwisera and R. Reif, Appl. Phys. Lett. 41, 379 (1982).
17. G. Harbeke, L. Krausbauer, E. F. Steigmeier, A. E. Widmer, H. F. Kappert, and G. Neugebauer, J. Electrochem. Soc. 131, 675 (1984).
18. F. S. Becker, H. Oppolzer, I. Weitzel, H. Eichermuller, and H. Schaber, J. Appl. Phys. 56, 1233 (1984).
19. R. C. Chittick, J. H. Alexander, and H. F. Sterling, J. Electrochem. Soc. Solid State Sci. 116, 77 (1969).
20. D. E. Carlson, RCA Internal Report, SAN1286-8, 1978.
21. Nagarajan Sridhar, D. D. L. Chung, W. A. Anderson, and J. Coleman, J. Electron. Mater. 24, 1451 (1995).
22. D. K. Beigelson, R. A. Street, C. C. Tsai, and J. C. Knights, Phys. Rev. B 20, 4839 (1979).
23. R. S. Sussmann, A. J. Harris, and R. Ogden, J. Non-Cryst. Solids 35, 249 (1980).
24. Y. H. Koh, H. Okamoto, K. Murakami, K. Gamo, Y. Hamakawa, and S. Namba, Jpn. J. Appl. Phys. 19, 849 (1980).
25. I. D. Calder, K. L. Kavanaugh, H. M. Naguib, C. Brassard, J. F. Currie, P. Depelsenaire, and R. Groleau, J. Electron. Mater. 11, 303 (1982).
26. J. I. Pankove, C. P. Wu, C. W. Magee, and J. T. McGinn, J. Electron. Mater. 9, 905 (1980).
27. E. L. Mathe, A. Naudon, M. Elliq, E. Fogarassy, and S. de Unamuno, Appl. Surf. Sci. 54, 392 (1992).
28. T. Sameshima and S. Usui, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 71, 435 (1986).
29. R. Z. Bachrach, K. Winer, J. B. Boyce, S. E. Ready, R. I. Johnson, and G. B. Anderson, J. Electron. Mater. 19, 241 (1990).
30. M. Kimura and K. Egami, Appl. Phys. Lett. 44, 420 (1984).
31. K. Egami and M. Kimura, Appl. Phys. Lett. 45, 854 (1984).
32. J. L. Regolini, N. M. Johnson, R. Sinclair, T. W. Sigmon, and J. F. Gibbons, in Laser and Electron-Beam Processing of Materials, edited by C. W. White and P. S. Peercy (Academic, New York, 1980), p. 297.
33. Y. Kanemitsu, Y. Tanaka, and H. Kuroda, Jpn. J. Appl. Phys. 24, L959 (1985).
34. Nagarajan Sridhar, D. D. L. Chung, W. A. Anderson, and J. Coleman, Mater. Res. Symp. Proc. 343, 697 (1994).
35. K. Nakazawa and K. Tanaka, J. Appl. Phys. 68, 1029 (1990).
36. B. D. Cullity, Elements of X-ray Diffraction (Addison-Wesley, Reading, MA, 1967).
37. K. Weiner, G. B. Anderson, S. E. Ready, R. Z. Bachrach, R. I. Johnson, F. A. Ponce, and J. B. Boyce, Appl. Phys. Lett. 57, 2222 (1990).
38. J. Y. W. Seto, J. Appl. Phys. 46, 5247 (1975).
39. M. Hirose, M. Taniguchi, and Y. Osaka, J. Appl. Phys. 50, 377 (1979).
40. W. Paul and D. A. Anderson, Sol. Energy Mater. 5, 229 (1981).
41. R. H. Bube, Photoelectronic Properties of Semiconductors (Cambridge University Press, Cambridge, 1992).
42. A. R. Moore, Appl. Phys. Lett. 37, 327 (1980).
43. J. Dresner, D. J. Szostak, and B. Goldstein, AIP Conf. Proc. 73, 317 (1981).
44. T. Warabisako, T. Saitoh, H. Itoh, N. Nakamura, and T. Tokuyama, Jpn. J. Appl. Phys. 17, Suppl. 17-1, 309 (1978).
45. T. Saitoh, T. Warabisako, H. Itoh, N. Nakamura, H. Tamura, S. Minagawa, and T. Tokuyama, Jpn. J. Appl. Phys. 16, Suppl. 16-1, 413 (1977).
46. T. L. Chu, S. S. Chu, C. L. Lin, and R. M. Davis, in Abstracts of the Fourth Annual Photovoltaic Advanced Research and Development Conference, Colorado, 1980, p. 173.