Effect of the cracking zone temperature of a solid state arsenic source on the composition of background impurities in GaAs obtained by molecular beam epitaxy

Semiconductors

Volumn 30, Issue 9, 1996, Pages 891-898

  Zhuravlev, K S ^a   Kalagin, A K ^a   Moshegov, N T ^a   Toropov, A I ^a   Shamirzaev, T S ^a   Shegai O A ^a  

^a INSTITUTE OF SEMICONDUCTOR PHYSICS   (Russian Federation)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0039612218     PISSN: 10637826     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (31)

1. L. P. Erickson, T. J. Mattord, P. W. Palmberg, R. Fischer, and H. Morkoc, Electron. Lett. 19, 632 (1983).
2. J. H. Neave, P. Blood, and B. A. Joyce, Appl. Phys. Lett. 36, 311 (1980).
3. H. Kunsel, J. Knecht, H. Jung, K. Wunstel, and K. Ploog, Appl. Phys. A 28, 167 (1982).
4. J. C. Garcia, A. C. Beye, J. P. Contour, G. Neu, and J. Massies, Appl. Phys. Lett. 52, 1596 (1988).
5. T. M. Kerr, C. E. C. Wood, S. M. Newstead, and J. D. Wilcox, J. Appl. Phys. 65, 2673 (1989).
6. C. R. Stenley, M. C. Holland, J. M. Chamberlain, R. T. Grimes, and M. B. Stanaway, J. Cryst. Growth 111, 114 (1991).
7. R. Chow, R. Fernandez, D. Atchley, K. Chan, and D. Bliss, J. Vac. Sci. Technol. B 8, 163 (1990).
8. B. A. Joyce, in L. Cheng and K. Ploog, Eds., Molecular Beam Epitaxy and Heterostructures [Russian translation], Mir, Moscow (1989), p. 37.
9. C. R. Stenley, M. C. Holland, and A. H. Kean, Appl. Phys. Lett. 57, 1992 (1990).
10. C. R. Stenley, M. C. Holland, A. H. Kean, M. B. Stanaway, R. T. Grimes, and J. M. Chamberlain, Appl. Phys. Lett. 58, 478 (1991).
11. D. L. Miller, S. S. Bose, and G. J. Sullivan, J. Vac. Sci. Technol. B 8, 311 (1990).
12. B. S. Elman, E. S. Koteles, S. A. Zemon, and Y. J. Chi, J. Vac. Sci. Technol. B 5, 757 (1987).
13. M. Heiblum, E. E. Mendez, and L. Osterling, J. Appl. Phys. 54, 6982 (1983).
14. Sang Boo Nam, D. W. Langer, D. L. Kingston, and M. J. Luciano, Appl. Phys. Lett. 31, 652 (1977).
15. Z. H. Lu, M. C. Hanna, D. M. Szmyd, E. G. Oh, and A. Majerfeld, Appl. Phys. Lett. 56, 177 (1990).
16. D. J. Ashen, P. A. Dean, D. T. J. Hurle, J. B. Mullin, A. M. White, and P. D. Green, J. Phys. Chem. Solids 36, 1041 (1975).
17. A. M. Gilinsky and K. S. Zhuravlev, in Proc. of the International Workshop on Semiconductor Characterization, Gaithersburg, USA (1995).
18. M. Naganuma and K. Takahashi, Phys. Status Solidi 31, 187 (1975).
19. J. R. Arthur, Surf. Sci. 38, 394 (1973).
20. B. J. Skromme, S. S. Bose, B. Lee, T. S. Low, T. R. Lepkowski, R. Y. DeJule, G. E. Stillman, and J. C. M. Hwang, J. Appl. Phys. 58, 4685 (1985).
21. K. S. Zhuravlev, N. A. Yakusheva, T. S. Shamirzaev, V. G. Pogadaev, and O. A. Shegai, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 27, 1473 (1993) [Semiconductors 27, 813 (1993)].
22. K. S. Zhuravlev, N. A. Yakusheva, T. S. Shamirzaev, V. G. Pogadaev, and O. A. Shegai, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 27, 1473 (1993) [Semiconductors 27, 813 (1993)].
23. V. G. Rtskhiladze, Arsenic [in Russian], Metallurgiya, Moscow (1969).
24. N. Chand, R. C. Miller, A. M. Sergent, S. K. Sputz, and D. V. Lang, Appl. Phys. Lett. 52, 1721 (1988).
25. E. C. Larkins, E. S. Hellman, D. G. Schlom, J. S. Harris Jr., H. H. Kim, and G. E. Stillman, Appl. Phys. Lett. 49, 391 (1986).
26. D. A. Andrews, R. Heckingbottom, and G. J. Davies, J. Appl. Phys. 54, 4421 (1985).
27. R. Heckingbottom, in L. Cheng and K. Ploog, Eds., Molecular Beam Epitaxy and Heterostructures [Russian translation], Mir, Moscow (1989), p. 65.
28. N. A. Yakusheva, K. S. Zhuravlev, S. I. Chikichev, O. A. Shegaj, Cryst. Res. Thechol. 24, 235 (1989).
29. W. E. Ho, P. J. Limoni, P. S. Lym, H. T. Hendri, D. We, and P. Colombo, J. Cryst. Growth 111, 269 (1991).
30. J. Nagle, R. J. Malik, and D. Gershoni, J. Cryst. Growth 111, 264 (1991).
31. F. F. Khimushin, Ed., Materials in Machine Building [in Russian], Mashinostroenie, Moscow (1968), Vol. 3. L. V. Sharonova