Improvement of the ON resistance of power VDMOS devices by surface doping: effect on the breakdown voltage

Microelectronics Journal

Volumn 21, Issue 6, 1990, Pages 21-27

  Charitat, G ^a   Tranduc, H ^a   Granadel, P ^a   Rossel, P ^a  

^a CNRS   (France)

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EID: 0039574484     PISSN: 00262692     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/0026-2692(90)90032-X     Document Type: Article

References (5)

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3. Propriétés à l'état passant des transistors DMOS de puissance coplanaires ou verticaux
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