Optical characterization of high-purity cubic GaN grown on GaAs (001) substrate by metalorganic chemical vapor deposition

Applied Physics Letters

Volumn 76, Issue 21, 2000, Pages 3025-3027

  Xu, Dapeng ^a   Yang, Hui ^a   Li, J B ^a   Zhao, D G ^a   Li, S F ^a   Zhuang, S M ^a   Wu, R H ^a   Chen, Y ^b   Li, G H ^b  

^a INSTITUTE OF GEOLOGY AND GEOPHYSICS   (China)

^b INSTITUTE OF SEMICONDUCTORS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0039369005     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.126567     Document Type: Article

References (11)

1. R. C. Powell, N. E. Lee, Y. W. Kim, and J. E. Greene, J. Appl. Phys. 73, 189 (1993).
2. H. Liu, A. C. Vrenkel, J. G. Kim, and R. M. Park, J. Appl. Phys. 74, 6124 (1993).
3. M. J. Paisley, Z. Sitar, J. B. Posthill, and R. F. Davis, J. Vac. Sci. Technol. A 7, 701 (1989).
4. H. Yang, L. X. Zheng, J. B. Li, X. J. Wang, D. P. Xu, and Y. T. Wang, Appl. Phys. Lett. 74, 2498 (1999).
5. S. Strite, J. Ruan, Z. Li, A. Salvador, H. Chen, D. J. Smith, W. J. Choyke, and H. Morkoc, J. Vac. Sci. Technol. B 9, 1924 (1991).
6. J. Menniger, U. Jahn, O. Brandt, H. Yang, and K. Ploog, Phys. Rev. B 53, 1881 (1996).
7. D. J. As, F. Schmilgus, C. Wang, B. Schottker, D. Schikora, and K. Lishka, Appl. Phys. Lett. 70, 1311 (1997).
8. J. Wu, H. Yaguchi, K. Onable, and R. Ito, Appl. Phys. Lett. 71, 2067 (1997).
9. G. R. Flores, H. N. Contreras, A. L. Martinez, R. C. Powell, and J. E. Greene, Phys. Rev. B 50, 8433 (1994).
10. D. Xu, H. Yang, J. B. Li, S. F. Li, Y. T. Wang, D. G. Zhao, and R. H. Wu, J. Electron. Mater. 29, 177 (2000).
11. K. Kosai, B. T. Fitzpatrick, H. G. Grimmeiss, R. N. Bhargava, and G. F. Neumak, Appl. Phys. Lett. 35, 194 (1979).