Gallium-mediated homoepitaxial growth of silicon at low temperatures

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 54, Issue 7, 1996, Pages 4919-4925

  Gallas, B ^a   Berbezier, I ^a   Chevrier, J ^a   Derrien, J ^a  

^a CNRS   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0039284382     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.54.4919     Document Type: Article

References (38)

1. M. Otsuka and T. Ichikawa, Jpn. J. Appl. Phys. 24, 1103 (1985).
2. J. Patel, J. Zegenhagen, P. Freeland, M. Hybertson, J. Golovchenko and D. Chen, J. Vac. Sci. Technol. B 7, 296 (1989).
3. J. Chevrier, A. Cruz, N. Pinto, I. Berbezier and J. Derrien, J. Phys. (France) I 4, 1309 (1994).
4. J. Chevrier, V. Le Thanh, R. Buys and J. Derrien, Europhys. Lett. 16, 737 (1991).
5. P. Stadelmann, Ultramicroscopy 21, 131 (1987).
6. B. A. Joyce, H. J. Neave, P. J. Dobson and P. K. Larsen, Phys. Rev. B 29, 814 (1984).
7. T. Sakamoto, H. Funabashi, K. Ohta, T. Nakagawa, N. G. Kawai, T. Kojima and Y. Bando, Superlatt. Microstruct. 1, 347 (1985).
8. D. Gandolfo, J. Ruiz, and V. A. Zagrebnov (unpublished).
9. I. Elkinani and J. Villain, J. Phys. (France) I 4, 949 (1994).
10. Y. L. He, H. N. Yang, T. M. Lu and G. C. Wang, Phys. Rev. Lett. 69, 3770 (1992).
11. R. Hull and J. C. Bean, Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 17, 507 (1992).
12. A. Bourret and J. Desseaux, Philos. Mag. A 39, 405 (1979).
13. D. J. Eaglesham, J. Appl. Phys. 77, 3597 (1995).
14. M. Horn-von Hoegen, J. Falta, M. Copel and R. M. Tromp, Appl. Phys. Lett. 66, 487 (1995).
15. H. Nakahara and M. Ichikawa, Appl. Phys. Lett. 61, 1531 (1992).
16. B. Voigtländer and A. Zinner, Surf. Sci. Lett. 292, 775 (1993).
17. H. J. Osten, J. Klatt, G. Lippert, E. Bugiel and S. Higuchi, J. Appl. Phys. 74, 2507 (1993).
18. J. Massies and N. Grandjean, Phys. Rev. B 48, 8502 (1993).
19. U. Köhler, J. E. Demuth and R. J. Hamers, J. Vac. Sci. Technol. A 7, 2860 (1989).
20. B. Voigtländer, A. Zinner, T. Weber and H. P. Bonzel, Phys. Rev. B 51, 7583 (1995).
21. K. Sakamoto, K. Miki, T. Sakamoto, H. Matsuhata and K. Kyoya, J. Cryst. Growth 127, 392 (1993).
22. A. Venables, G. D. T. Spiller and M. Hanbücken, Rep. Prog. Phys. 47, 399 (1984).
23. M. Zinke-Allmang and L. C. Feldman, Surf. Sci. Lett. 191, 749 (1987).
24. S. Iwanari and K. Takayanagi, J. Cryst. Growth 119, 229 (1992).
25. S. Iwanari, Y. Kimura and K. Takayanagi, J. Cryst. Growth 119, 241 (1992).
26. J. Falta, M. Copel, F. K. Le Goues and R. M. Tromp, Appl. Phys. Lett. 62, 2962 (1993).
27. T. Ide, Phys. Rev. B 51, 1722 (1995).
28. D. Kandel and E. Kaxiras, Phys. Rev. Lett. 75, 2742 (1995).
29. I. Markov, Phys. Rev. B 50, 11t271 (1994).
30. S. C. Wang and G. Ehrlich, Phys. Rev. Lett. 71, 4174 (1993).
31. H. A. van der Vegt, M. Breeman, S. Ferrer, V. H. Etgens, X. Torreles and P. Fajardo, Phys. Rev. B 51, 14t806 (1995).
32. J. Vrijmoeth, H. A. van der Vegt, J. A. Meyer, E. Vlieg and R. J. Behm, Phys. Rev. Lett. 72, 3843 (1994).
33. S. Oppo, V. Fiorentini and M. Scheffler, Phys. Rev. Lett. 71, 2437 (1993).
34. R. M. Tromp and M. C. Reuter, Phys. Rev. Lett. 68, 954 (1992).
35. B. D. Yu and A. Oshiyama, Phys. Rev. Lett. 72, 3190 (1994).
36. R. Kern, Bull. Soc. Franç. Minér. Crist. 134, 292 (1961).
37. D. J. Eaglesham, F. C. Unterwald and D. C. Jacobson, Phys. Rev. Lett. 70, 966 (1993).
38. L. Li, Y. Wei, and I. S. T. Tsong, Surf. Sci. 304, 1 (1994).