Conduction band offsets in CdZnSSe/ZnSSe single quantum wells measured by deep level transient spectroscopy

Applied Physics Letters

Volumn 68, Issue 25, 1996, Pages 3591-3593

  Baude, P F ^a   Haase, M A ^a   Haugen, G M ^a   Law, K K ^a   Miller, T J ^a   Smekalin, K ^a   Phillips, J ^b   Bhattacharya, P ^b  

^a 3M COMPANY   (United States)

^b UNIVERSITY OF MICHIGAN   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0039280822     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.116647     Document Type: Article

References (23)

1. M. A. Haase, J. Qiu, J. M. DePuydt, and H. Cheng, Appl. Phys. Lett. AIP 59, 1272 (1991).
2. K. K. Law, P. F. Baude, T. J. Miller, M. A. Haase, G. M. Haugen, and K. Smekalin, Electron. Lett. (to be published).
3. J. M. Gaines, R. R. Drenten, K. W. Haberern, T. Marshall, P. Mensz, and J. Petruzello, Appl. Phys. Lett. AIP 62, 2462 (1993).
4. M. A. Haase, P. F. Baude, M. S. Hagedorn, Q. Qiu, J. M. DePuydt, H. Cheng, S. Guha, G. E. Hofler, and B. J. Wu, Appl. Phys. Lett. AIP 63, 2115 (1993).
5. J. M. DePuydt, M. S. Haase, S. Guha, J. Qiu, H. Cheng, B. J. Wu, G. E. Hofler, G. Meis-Haugen, M. S. Hagedorn, and P. F. Baude, J. Cryst. Growth INS 138, 667 (1994).
6. J. Tersoff, Phys. Rev. Lett. AIP 56, 2755 (1986).
7. M. Ukita, F. Hiei, K. Nakano, and A. Ishibashi, Appl. Phys. Lett. AIP 66, 209 (1995).
8. K. Shahzad, D. J. Olego, and C. G. Van de Walle, Phys. Rev. B AIP 38, 1417 (1988).
9. W. J. Walecki, A. V. Nurmikko, N. Samarth, H. Luo, J. K. Furdyna, and N. Otsuka, Appl. Phys. Lett. AIP 57, 466 (1990).
10. C. Trager-Cowan, P. J. Parbrook, B. Henderson, B. Henderson, and K. P. O'Donnell, Semicond. Sci. Technol. INS 7, 536 (1992).
11. Y. Wu, K. Ichino, Y. Kawakami, S. Fijita, and S. Fujita, Jpn. J. Appl. Phys. INS 31, 1737 (1992).
12. K. Shahzad, J. Petruzzello, J. M. Gaines, and C. Ponzoni, Appl. Phys. Lett. AIP 67, 659 (1995).
13. N. Debbar, D. Biswas, and P. Bhattacharya, Phys. Rev. B AIP 40, 1058 (1989).
14. D. Biswas, N. Debbar, P. Bhattacharya, M. Razeghi, M. Defour, and F. Omnes, Appl. Phys. Lett. AIP 56, 833 (1990).
15. D. V. Lang, in Heterojunction Band Discontinuities: Physics and Device Applications, edited by F. Capasso and G. Margaritondo (Elsevier, Amsterdam, 1987).
16. B. J. Wu, J. M. DePuydt, G. M. Haugen, G. E. Hofler, M. A. Haase, H. Cheng, S. Guha, and J. Qiu, Appl. Phys. Lett. AIP 66, 3462 (1995).
17. J. Qiu, H. Cheng, J. M. DePuydt, and M. A. Haase, J. Cryst. Growth INS 127, 279 (1993).
18. H. G. Grimmeiss, E. Meijer, R. Mach, and G. O. Muller, J. Appl. Phys. AIP 56, 2678 (1984).
19. K. Yoneda, Y. Hishida, and H. Ishii, Appl. Phys. Lett. AIP 47, 702 (1985).
20. S. Venkatesan, R. F. Pierret, J. Qiu, M. Kobayashi, R. L. Gunshor, and L. A. Kolodziejski, J. Appl. Phys. AIP 66, 3656 (1989).
21. B. Hu, G. Karczewski, H. Luo, N. Samarth, and J. K. Furdyna, J. Appl. Phys. AIP 63, 358 (1993).
22. G. Karczewski, B. Hu, A. Yin, H. Luo, N. Samarath, and J. K. Furdyna, J. Appl. Phys. AIP 75, 7382 (1994).
23. B. Hu, G. Karczewski H. Luo, U. Bindley, and J. K. Furdyna, J. Appl. Phys. AIP 77, 2026 (1995).