Successful surface passivation of air-exposed AlGaAs by a silicon interface control layer-based technique

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

Volumn 36, Issue 3 SUPPL. B, 1997, Pages 1756-1762

  Ikeya, Kengo ^a   Hashizume, Tamotsu ^a   Hasegawa, Hideki ^a  

^a HOKKAIDO UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

AlGaAs; HCI; Native oxide; PL; Si interface control layer; Surface passivation; Surface treatment; XPS

Indexed keywords

EID: 0039079194     PISSN: 00214922     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/jjap.36.1756     Document Type: Article

References (28)

1. H. Hasegawa and H. Ohno: J. Vac. Sci. Technol. B 4 (1986) 1130.
2. J. Moisson, K. Elcess, F. Houzay, J. Y. Marzin, J. M. Gerard, F. Barthe and M. Bensoussan: Phys. Rev. B 41 (1990) 12945.
3. Y. L. Chang, I. H. Tan, Y. H. Zhang, D. Bimberg, J. Merz, E. Hu, A. Forva and V. Emiliani: J. Appl. Phys. 74 (1993) 5144.
4. Z. Sobiesierski, D. I. Westwood, D. A. Woolf, T. Fukui and H. Hasegawa: J. Vac. Sci. Technol. B 11 (1993) 1723.
5. H. Hasegawa, S. Kodama, S. Koyanagi and T. Hashizume: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) L495.
6. S. Kodama, S. Koyanagi, T. Hashizume and H. Hasegawa: J. Vac. Sci. Technol. B 13 (1995) 1794.
7. H. Hasegawa, M. Akazawa, K. Matsuzaki, H. Ishii and H. Ohno: Jpn. J. Appl. Phys. 27 (1988) L2265.
8. E. Yablonovitch, C. J. Sandroff, R. Bhat and T. G. Gmitter: Appl. Phys. Lett. 51 (1987) 439.
9. C. J. Sandroff, M. S. Hegde, L. A. Farrow, C. C. Chang and J. P. Harbison: Appl. Phys. Lett. 54 (1989) 362.
10. S. Shikata and H. Hayashi: J. Appl. Phys. 70 (1991) 3721.
11. Y. Ishikawa, H. Ishii, H. Hasegawa and T. Fukui: J. Vac. Sci. Technol. B 12 (1994) 2713.
12. Z. H. Lu, F. Chatenoud, M. M. Dion, M. J. Graham, H. E. Ruda, I. Koutzarov, Q. Liu, C. E. J. Mitchell, I. G. Hill and A. B. McLean: Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 670.
13. Z. Song, S. Shogen, M. Kawasaki and I. Suemune: J. Vac. Sci. Technol. B 13 (1995) 77.
14. K. Menda, E. Kanda and T. Yokoyama: Jpn. J. Appl. Phys. 29 (1900) L391.
15. D. Gräf, M. Grundner, D. Lüdecke and R. Schulz: J. Vac. Sci. Technol. A 8 (1990) 1955.
16. R. A. Gottscho, B. L. Preppernau, S. J. Pearton, A. B. Emerson and K. P. Giapis: J. Appl. Phys. 68 (1990) 440.
17. Y. L. Chang, W. Wolf, S. I. Yi, J. Merz, W. H. Weinberg and E. Hu: J. Vac. Sci. Technol. B 12 (1994) 2605.
18. Y. L. Chang, R. Cao, W. E. Spicer, P. Pianetta, S. Shi, E. Hu and J. Merz: J. Vac. Sci. Technol. B 14 (1996) 2914.
19. A. Callegari, D. Lacey, D. A. Buchanan, E. Latta, M. Gasser and A. Paccagnella: Proc. Int. Symp. GaAs and Related Compounds, Karuizawa, 1989 (IOP Publishing, Bristol, 1990) Int. Phys. Conf. Ser., No. 106, Chap. 6, p. 399.
20. A. Paccagnella, A. Callegari, J. Batey and D. Lacey: Appl. Phys. Lett. 57 (1990) 258.
21. A. Masuda, Y. Yonezawa, A. Morimoto and T. Shimizu: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) 1075.
22. H. Ohno, H. Kawanishi, Y. Akagi, Y. Nakajima and T. Hijikata: Jpn. J. Appl. Phys. 29 (1990) 2473.
23. H. Oigawa, J. Fan, Y. Nannichi, H. Sugahara and M. Oshima: Jpn. J. Appl. Phys. 30 (1991) L322.
24. K. D. Choquette, M. Hong, S. N. G. Chu, H. S. Luftman, J. P. Mannaerts, R. C. Wetzel and R. S. Freund: Appl. Phys. Lett. 62 (1993) 735.
25. K. D. Choquette, R. S. Freund, M. Hong, H. S. Luftman, S. N. G. Chu, J. P. Mannaerts and R. C. Wetzel: J. Vac. Sci. Technol. B 11 (1993) 2025.
26. G. P. Schwartz, B. Schwartz, J. E. Griffiths and T. Sugano: J. Electrochem. Soc. 127 (1980) 2269.
27. M. Akazawa, H. Ishii and H. Hasegawa: Jpn. J. Appl. Phys. 30 (1991) 3774.
28. S. Suzuki, S. Kodama, H. Tomozawa and H. Hasegawa: J. Electron. Mater. 25 (1996) 649.