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Volumn 53, Issue 8, 1996, Pages 4434-4442

Hydrostatic pressure dependence of isoelectronic bound excitons in beryllium-doped silicon

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EID: 0038973125     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.53.4434     Document Type: Article
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References (29)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.