Photoluminescence studies of strained CdTe/Cd0.633Mn0.367Te single quantum wells

Journal of Applied Physics

Volumn 80, Issue 10, 1996, Pages 5941-5945

  Shen, W Z ^a   Shen, S C ^a  

^a NONE

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0038928771     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.363589     Document Type: Review

References (36)

1. See, for example, A. Waag, S. Schmeusser, R. N. Bicknell-Tassius, D. R. Yakovlev, W. Ossau, G. Landwehr, and I. N. Uraltsev, Appl. Phys. Lett. 59, 2995 (1991).
2. N. B. Brandt and V. V. Moshchalkov, Adv. Phys. 33, 193 (1984).
3. W. Shan, S. C. Shen, and H. R. Zhu, Solid State Commun. 55, 475 (1985); Acta Phys. Sin. 35, 1291 (1986).
4. W. Shan, S. C. Shen, and H. R. Zhu, Solid State Commun. 55, 475 (1985); Acta Phys. Sin. 35, 1291 (1986).
5. S. C. Shen, J. H. Chu, and H. J. Ye, 17th International Conference on Physics of Semiconductor, San Francisco, 1984, p. 1189.
6. S. C. Shen, L. J. Zhang, W. Lu, and R. N. Bicknel-Tassius, Solid-State Electron. 37, 1087 (1994).
7. S. C. Shen and S. Jiang, Jpn. J. Appl. Phys. 32-1, 264 (1993).
8. S. K. Chang, A. V. Nurmikko, J.-W. Wu, L. A. Kolodziejski, and R. L. Gunshor, Phys. Rev. B 37, 1191 (1988).
9. A. Wasiela, P. Peyla, Y. Merle d'Aubigné, J. E. Nicholls, D. E. Ashenford, and B. Lunn, Semicond. Sci. Technol. 7, 571 (1992).
10. M. O'Neill, M. Oestreich, W. W. Ruble, and D. E. Ashenford, Phys. Rev. B 48, 8980 (1993).
11. S. R. Jackson, J. E. Nicholls, W. E. Hagston, P. Harrison, T. Stirner, J. H. C. Hogg, B. Lunn, and D. E. Ashenford, Phys. Rev. B 50, 5392 (1994).
12. M. O'Neill, P. Harrison, M. Oestreich, and D. E. Ashenford, J. Appl. Phys. 78, 451 (1995).
13. K. Y. Lay, H. Neff, and K. J. Bachmann, Phys. Status Solidi A 92, 567 (1985).
14. M. Taniguchi, L. Ley, R. L. Johnson, J. Ghijsen, and M. Cardona, Phys. Rev. B 33, 1206 (1986).
15. F. Martelli, M. G. Proietti, M. G. Simeone, M. R. Bruni, and M. Zugarini, J. Appl. Phys. 71, 539 (1993).
16. E. H. Reihlen, A. Persson, T. Y. Wang, K. L. Fry, and G. B. Stringfellow, J. Appl. Phys. 66, 5554 (1989).
17. D. Y. Oberli, J. Shah, J. L. Jewell, and T. C. Damen, Appl. Phys. Lett. 54, 1028 (1989).
18. G. Ambrazevičius, S. Marcinkevičius, T. Lideikis, and K. Naudžius, Semicond. Sci. Technol. 6, 41 (1991).
19. J. Lee, E. S. Kotcles, and M. O. Vassel, Phys. Rev. B 33, 5512 (1986).
20. H. B. Bebbs and E. H. Williams, in Semiconductor and Semimetals, edited by R. K. Williardson and A. C. Beer (Academic, New York, 1972), Vol. 8, p. 256.
21. W. Z. Shen, W. G. Tang, S. C. Shen, S. M. Wang, and T. G. Andersson, Appl. Phys. Lett. 65, 2728 (1994).
22. Z. Z. Li, Solid State Theory (College Education Press, Beijing, 1985) (in Chinese).
23. A. V. Tulub, Zh. Eksp. Teor. Fiz. 34, 1641 (1958); 36, 1859 (1959).
24. A. V. Tulub, Zh. Eksp. Teor. Fiz. 34, 1641 (1958); 36, 1859 (1959).
25. J. J. Licari and R. Evrard, Phys. Rev. B 15, 2254 (1977).
26. J. E. Zucker, A. Pinczhuk, D. S. Chemla, A. Gossard, and W. Weigmann, Phys. Rev. Lett. 51, 1293 (1983).
27. W. Z. Shen, W. G. Tang, S. C. Shen, S. M. Wang, and T. G. Anderson, J. Phys., Condens. Matter. 7, L79 (1995); J. Appl. 78, 1178 (1995).
28. W. Z. Shen, W. G. Tang, S. C. Shen, S. M. Wang, and T. G. Anderson, J. Phys., Condens. Matter. 7, L79 (1995); J. Appl. 78, 1178 (1995).
29. K. F. Huang, K. Tai, S. N. G. Chu, and A. Y. Cho, Appl. Phys. Lett. 54, 2026 (1989).
30. W. Pickin and J. P. David, Appl. Phys. Lett. 56, 268 (1990).
31. Y. J. Ding, C. L. Guo, S. Li, J. B. Khurgin, K. K. Law, and J. L. Merz, Appl. Phys. Lett. 60, 154, (1992); 60, 2051 (1992).
32. Y. J. Ding, C. L. Guo, S. Li, J. B. Khurgin, K. K. Law, and J. L. Merz, Appl. Phys. Lett. 60, 154, (1992); 60, 2051 (1992).
33. J. D. Lambkin, D. J. Dunstan, K. P. Homewood, L. K. Howard, and M. T. Emeny, Appl. Phys. Lett. 57, 1986 (1990).
34. P. Michler, A. Hanhleiter, M. Moser, M. Geiger, and F. Scholz, Phys. Rev. B 46, 7280 (1992).
35. W. Z. Shen, W. G. Tang, S. C. Shen, and T. G. Andersson, Int. J. Infrared Millim. Waves 15, 1643 (1994).
36. R. L. S. Devine, Semicond. Sci. Technol. 3, 1171 (1989).