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Volumn 75, Issue 3, 1997, Pages 803-821

Measurement of indium segregation in strained InxGa1-xAs/GaAs quantum wells by transmission electron microscopy

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EID: 0038905446     PISSN: 01418610     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1080/01418619708207203     Document Type: Article
Times cited : (9)

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.