Passivation properties of the local oxidation of silicon-oxide/Si interface defects

Journal of Applied Physics

Volumn 84, Issue 5, 1998, Pages 2732-2734

  Fujieda, Shinji ^a   Nobusawa, Hajime ^a   Hamada, Masayuki ^a   Tanigawa, Takaho ^a  

^a NEC CORPORATION   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0038740665     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.368386     Document Type: Article

References (14)

1. A. Hiraiwa, M. Ogasawara, N. Natsuaki, Y. Itoh, and H. Iwai, J. Appl. Phys. 80, 3091 (1996).
2. N. M. Johnson, Appl. Phys. Lett. 34, 802 (1979).
3. K. L. Wang, IEEE Trans. Electron Devices ED-27, 2231 (1980).
4. N. M. Johnson, D. K. Biegelsen, M. D. Moyer, S. T. Chang, E. H. Poindexter, and P. J. Caplan, Appl. Phys. Lett. 43, 563 (1983).
5. E. H. Poindexter, Semicond. Sci. Technol. 4, 961 (1989).
6. K. L. Brower and S. M. Myers, Appl. Phys. Lett. 57, 162 (1990).
7. L. Do Tanh and P. Balk, J. Electrochem. Soc. 135, 1797 (1988).
8. B. J. Fishbein, J. T. Watt, and J. D. Plummer, J. Electrochem. Soc. 134, 674 (1987).
9. M. J. Uren, J. H. Stathis, and E. Cartier, J. Appl. Phys. 80, 3915 (1996).
10. E. Cartier, J. H. Stathis, and D. A. Buchanan, Appl. Phys. Lett. 63, 1510 (1993).
11. G. Groeseneken, H. E. Maes, N. Beltrán, and R. F. de Keersmaecker, IEEE Trans. Electron Devices ED-31, 42 (1984).
12. M. L. Reed and J. D. Plummer, J. Appl. Phys. 63, 5776 (1988).
13. D. L. Griscom, J. Appl. Phys. 58, 2524 (1985).
14. J. M. Hwang and D. K. Schroder, J. Appl. Phys. 59, 2476 (1986).